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SI3440DV-T1-GE3/VISHAY

發(fā)布日期:2023-08-23 15:27 瀏覽次數(shù):

SI3440DV-T1-GE3_VISHAY_威世

  制造商:Vishay

  產(chǎn)品種類:MOSFET

  安裝風(fēng)格:SMD/SMT

  封裝 / 箱體:TSOP-6

  晶體管極性:N-Channel

  通道數(shù)量:1 Channel

  Vds-漏源極擊穿電壓:150 V

  Id-連續(xù)漏極電流:1.5 A

  Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:375 mOhms

  Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V

  Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V

  Qg-柵極電荷:8 nC

  最小工作溫度:- 55 C

  最大工作溫度:+ 150 C

  Pd-功率耗散:2 W

  系列:SI3

  封裝:Reel

  封裝:Cut Tape

  封裝:MouseReel

  高度:1.1 mm

  長度:3.05 mm

  產(chǎn)品類型:MOSFET

  工廠包裝數(shù)量:3000

  寬度:1.65 mm

  零件號(hào)別名:SI3440DV-GE3

  單位重量:20 mg

溫馨提示

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安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù).

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