特征

集成高壓啟動

PFC、半橋和預(yù)熱用4個驅(qū)動器

摩費特

3.3V微控制器兼容

全面整合所有人的電源管理

操作模式

內(nèi)部兩點VCC調(diào)節(jié)器

帶數(shù)字輸出的過電流保護

信號

交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護（聯(lián)鎖）

欠壓鎖定

集成自舉二極管

應(yīng)用

可調(diào)光/不可調(diào)光鎮(zhèn)流器

描述

L6382D適用于微控制嵌入PFC級和a的電子鎮(zhèn)流器半橋階段。L6382D包括4MOSFET驅(qū)動階段（PFC，半個電橋，用于預(yù)熱MOSFET）加上電源管理單元（PMU）還具有可在任何情況下提供微控制器的參考條件。除了提高應(yīng)用效率外，還包括L6382D減少了物料清單，因為不同任務(wù)（關(guān)于驅(qū)動和電源管理）由單個IC執(zhí)行，該IC提高了應(yīng)用程序的可靠性。

設(shè)備說明

L6382D采用高壓BCD離線技術(shù)設(shè)計，是PFC和鎮(zhèn)流器控制器配有4個輸入引腳和一個設(shè)計用于由微控制器管理的應(yīng)用程序提供最大的靈活性。它允許設(shè)計師只需簡單地改變，就可以使用相同的鎮(zhèn)流器電路，用于不同的燈瓦數(shù)/類型μC軟件。數(shù)字輸入引腳-能夠接收高達400KHz的信號-連接到電平轉(zhuǎn)換器向相關(guān)驅(qū)動器提供控制信號；尤其是L6382D嵌入式系統(tǒng)一個驅(qū)動器用于PFC預(yù)調(diào)節(jié)器階段，兩個驅(qū)動器用于鎮(zhèn)流器半橋階段（高電壓，也包括引導(dǎo)功能）和最后一個提供補充通過可調(diào)光隔離繞組提供的燈絲預(yù)熱功能應(yīng)用。可提供高達30mA的精確參考電壓（+3.3V±1%）μC：該電流的獲得得益于片上高壓啟動發(fā)生器，此外，使啟動前的消耗量保持在150μA以下。該芯片采用先進的電源管理邏輯設(shè)計，以降低功耗損耗和增加應(yīng)用可靠性。在半橋部分，專利集成引導(dǎo)段取代了外部自舉二極管。L6382D還集成了調(diào)節(jié)IC電源電壓的功能（無需并優(yōu)化電流消耗。

電氣特性

表4。電氣特性（TJ=25°C，VCC=13V，CDRIVER=1nF除非另有規(guī)定）

表4。電氣特性（TJ=25°C，VCC=13V，CDRIVER=1nF除非另有規(guī)定）（續(xù)）

典型電氣性能

申請信息

電源管理

L6382D有兩個穩(wěn)定狀態(tài)（保存模式和操作模式）和兩個管理啟動和故障條件的附加狀態(tài)（圖10）：過電流保護是在操作模式下啟用的并行異步進程。下面的段落將描述每種模式和切換所需的條件他們。

啟動模式

參考圖11的時序圖，當(dāng)?shù)谝淮蜗驌Q流器，大容量電容器上的電壓增大，高壓發(fā)電機可以操作拉拔10mA左右。這個電流，被IC消耗減少（小于150μA），對連接在引腳Vcc和接地之間的旁路電容器充電它的電壓幾乎呈線性上升。在此階段，所有IC的功能都被禁用，除了：

VREF引腳上的電流衰減電路，通過保持禁用連接到該引腳的微控制器；

開啟（導(dǎo)電）的高壓啟動（HVSU）為外部充電引腳Vcc上的電容器。當(dāng)Vcc電壓達到啟動閾值（14V典型值）時，芯片開始工作并高壓發(fā)電機關(guān)閉。

總結(jié)：

–高壓啟動發(fā)電機激活；

–VREF被禁用，引腳VREF上的附加陷波電路啟用；

–TPR被禁用；

–OCP被禁用；

保存模式

此模式在Vcc電壓達到開啟閾值后進入；VREF為在低電流源模式下啟用，以提供與其相連的μC，其喚醒所需電流必須小于10mA：如果在LGI輸入端未檢測到開關(guān)活動，則高壓啟動發(fā)電機循環(huán)開關(guān)，保持Vcc之間的電壓以及VccSM。

總結(jié)：

—高壓啟動發(fā)電機循環(huán)；

–VREF在低電源電流能力（IREF≤10mA）下啟用；

–TPR電路被禁用；

–OCP被禁用；

–駕駛員被禁用。

如果Vcc電壓低于VREF（關(guān)）閾值，則設(shè)備進入啟動模式。

工作模式

在保存模式下10μs后，且僅當(dāng)VREF處的電壓高于3.0V時在HGI輸入端，驅(qū)動程序和IC的所有功能都已啟用；這是與適當(dāng)?shù)臒粜袨橄鄬?yīng)的模式。

總結(jié)：

–HVSU關(guān)閉

–VREF在高電源電流模式下啟用（IREF<30mA）

–TPR電路啟用

–OCP已啟用

–驅(qū)動程序已啟用

如果超過100μs，LGI上沒有開關(guān)活動，則IC返回保存模式。

關(guān)機

此狀態(tài)允許在操作模式下管理故障條件，并由發(fā)生下列情況之一：

1.Vcc<VccOff（電源欠壓故障），

2.VREF<2.0V（VREF上的欠壓故障）

在此狀態(tài)下，功能包括：

–HVSU發(fā)電機開啟

–VREF在低電源電流模式下啟用（IREF<10mA）

禁用–TPR

–OCP被禁用

–駕駛員被禁用

如果設(shè)備處于VccOn狀態(tài)，則進入VccOn狀態(tài)Vcc<VREF（關(guān)），同時關(guān)閉μC，設(shè)備將準(zhǔn)備好執(zhí)行啟動順序。

塊說明

供應(yīng)部分

μPUVLO（μPower Under Voltage Lock Out）：此塊控制功率管理L6382D，確保每次操作中正確的電流消耗狀態(tài)、正確的VREF電流能力、驅(qū)動器啟用和高壓啟動發(fā)電機切換。在啟動過程中，設(shè)備吸收了為外部電容器充電所需的電流在高壓母線的引腳VCC上；在這種狀態(tài)下，其他IC的功能被禁用整個集成電路的電流消耗小于150μA。當(dāng)VCC引腳上的電壓達到VccON時，IC進入保存模式，其中μPUVLO塊通過打開/關(guān)閉高壓啟動發(fā)電機。

HVSU（高壓啟動發(fā)電機）：600V內(nèi)部MOS晶體管結(jié)構(gòu)在啟動和保存模式條件下控制Vcc電源電壓通過關(guān)閉MOS晶體管來降低工作模式下的功率損耗。這種晶體管的源電流能力高達30毫安。

TPR（兩點調(diào)節(jié)器）和PWS：在正常模式下，TPR塊控制PSW開關(guān)，用于將IC電源電壓（VCC）調(diào)節(jié)到范圍內(nèi)的值在TPR（ON）和TPR（OFF）之間通過開關(guān)PSW晶體管圖11。

–Vcc>TPRst:PSW立即接通；

–TPR（ON）<Vcc<TPRst:PSW在以下下降沿打開

LGI；

–Vcc<TPR（OFF）：在LGI的下一下降沿關(guān)閉PSW。

當(dāng)PSW開關(guān)斷開時，二極管建立電荷泵結(jié)構(gòu)，以便將TPR引腳轉(zhuǎn)換成開關(guān)電壓（通過電容器）就可以提供較低的電壓芯片的電壓部分，不添加任何其他外部元件。二極管和開關(guān)的設(shè)計至少能承受200毫安的電流。

3.3V參考電壓

此塊用于向微控制器供電；此電源可在save中提供10mA模式，在操作模式下為30mA；此外，在VREF尚未啟動時可用的，一個額外的電路是確保，即使下沉3毫安，引腳電壓不會超過1.2V。在Vcc高于VREF（關(guān)閉）之前，該參考可用；低于該值時，它將關(guān)閉，并且附加的下沉電路再次啟用。

LSD（低壓側(cè)驅(qū)動器）：由一個從3.3V邏輯信號（LSI）到Vcc的電平變換器組成MOS驅(qū)動電平；構(gòu)思用于半橋低功耗MOS，它能夠源和匯120mA（最小值）。

HSD（電平變換器和高壓側(cè)驅(qū)動器）：由3.3V邏輯的電平變換器組成信號（HGI）到高壓側(cè)門驅(qū)動器輸入高達600V。設(shè)計用于半橋高側(cè)功率MOS，HSG能夠產(chǎn)生和吸收120mA。

PFD（功率因數(shù)驅(qū)動器）：由一個從3.3V邏輯信號（PFI）到Vcc MOS驅(qū)動電平：驅(qū)動器能夠從Vcc向PFG供電120mA（打開）并使250mA下降到GND（關(guān)斷）；適合于驅(qū)動PFC預(yù)調(diào)節(jié)級的MOS。

HED（熱驅(qū)動器）：由一個從3.3V邏輯信號（HEI）到Vcc MOS的電平變換器組成驅(qū)動電平；驅(qū)動器能夠從Vcc向HEG供電30毫安，并將75毫安降至適用于獨立供電時的燈絲加熱彎曲的。

自舉電路：為高壓側(cè)驅(qū)動器（HSD）產(chǎn)生電源電壓。一個專利的集成引導(dǎo)段取代了一個外部引導(dǎo)二極管。這個部分和一個自舉電容器一起提供引導(dǎo)電壓來驅(qū)動高功率MOSFET。此功能是通過使用高壓DMOS驅(qū)動器來實現(xiàn)的與低壓側(cè)外接功率MOSFET同步驅(qū)動。為了保險箱啟動引腳和Vcc之間的電流始終被抑制，即使ZVS操作可能無法保證。

內(nèi)部邏輯、過流保護（OCP）和聯(lián)鎖

功能

DIM（數(shù)字輸入監(jiān)視器）模塊管理發(fā)送給駕駛員的輸入信號確保在所述的啟動過程中它們處于較低水平；調(diào)光塊控制L6382D在保存和操作模式下的行為。當(dāng)引腳CSI上的電壓超過0.5V（典型值）的內(nèi)部參考值時鎖定故障狀態(tài)：在此狀態(tài)下，OCP塊強制HSG和LSG信號均低而CSO會被強迫到高位。這種情況將保持鎖定，直到LSI和HSI同時低，CSI低于0.5V。此功能適用于實施過電流保護或硬開關(guān)檢測通過使用外部感應(yīng)電阻。由于引腳CSI上的電壓可能變?yōu)樨撝担娏鞅仨毾拗圃?毫安以下外部組件。DIM塊的另一個特點是內(nèi)部聯(lián)鎖，避免了半橋場效應(yīng)晶體管：如果碰巧HGI和LGI的輸入在同一個高水平只要HSG持續(xù)時間很短，那么LSG就處于危險狀態(tài)。

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