LTB增益修改（可選）

內(nèi)部增益可以通過(guò)SS/LTBG/AMD引腳進(jìn)行修改，如中所示圖13。SS/LTBG/AMD引腳也用于設(shè)置軟啟動(dòng)時(shí)間，因此SS/LTBG/AMD引腳必須在軟啟動(dòng)完成后進(jìn)行修改。使用D二極管和R3電阻器（圖13中的紅色方塊），在軟啟動(dòng)后電流從SS/LTBG/AMD引腳到SGND的流量為零，因此內(nèi)部增益不是修改。As結(jié)果LTB增益為默認(rèn)值（LTB增益=2）。為了降低LTB增益，必須使用由Q、R1和R2（藍(lán)色）組成的電路圖13中的正方形。）軟啟動(dòng)后，來(lái)自SS/LTBG/AMD引腳的電流僅依賴于R1電阻，因此減小R1電阻值可以降低LTB增益。R1和R2之和必須選擇電阻器以獲得所需的軟啟動(dòng)時(shí)間。

動(dòng)態(tài)視頻轉(zhuǎn)換

該設(shè)備能夠管理允許輸出電壓的動(dòng)態(tài)視頻編碼變化設(shè)備正常運(yùn)行期間的修改。OVP和UVP信號(hào)（以及AMD模式）在每個(gè)VID轉(zhuǎn)換期間被屏蔽，并且在轉(zhuǎn)換以32個(gè)時(shí)鐘周期延遲結(jié)束，以防止由于過(guò)渡。當(dāng)動(dòng)態(tài)改變調(diào)節(jié)電壓（D-VID）時(shí)，系統(tǒng)需要充電或相應(yīng)地對(duì)輸出電容放電。這意味著一個(gè)額外的ID-VID需要尤其是在提高輸出穩(wěn)壓時(shí)，必須設(shè)置過(guò)電流閾值時(shí)考慮。可以使用以下關(guān)系：

對(duì)于DV LS6，選擇VRDAC輸出或VRDAC為25毫伏25毫伏（對(duì)于AMD DAC）和TVID是每個(gè)LSB轉(zhuǎn)換之間的時(shí)間間隔（外部驅(qū)動(dòng)）。動(dòng)態(tài)視頻期間克服OC閾值會(huì)導(dǎo)致設(shè)備進(jìn)入恒流限制減慢了輸出電壓dV/dt也導(dǎo)致了故障在D-VID測(cè)試中。L6713A檢查內(nèi)部上升沿上的VID代碼修改（參見圖14）附加DVID時(shí)鐘，等待下一下降沿的確認(rèn)。一旦新的代碼是穩(wěn)定的，在下一個(gè)上升沿，參考開始上升或下降在LSB增加每個(gè)VID時(shí)鐘周期，直到達(dá)到新的VID代碼。在過(guò)渡期間，忽略VID代碼更改；設(shè)備在轉(zhuǎn)換后重新開始監(jiān)視VID在下一個(gè)上升邊緣完成。頻率（VID）取決于時(shí)鐘選擇的工作模式：對(duì)于Intel模式，它在1MHz范圍內(nèi)，以確保兼容性與規(guī)格同時(shí)，對(duì)于AMD模式，這個(gè)頻率降低到約250kHz。當(dāng)L6713A在AMD模式下執(zhí)行D-VID轉(zhuǎn)換時(shí)，DVID引腳被拉高，只要設(shè)備正在執(zhí)行轉(zhuǎn)換（還包括額外的32個(gè)時(shí)鐘延遲）

啟用和禁用

L6713A有三種不同的電源：為內(nèi)部控制邏輯提供VCC引腳，VCCDRx提供低端驅(qū)動(dòng)，BOOTx提供高端驅(qū)動(dòng)。如果電壓在針腳VCC和VCCDRx不高于電氣規(guī)范中規(guī)定的接通閾值特點(diǎn)是，該設(shè)備關(guān)閉：所有驅(qū)動(dòng)器保持關(guān)閉的MOSFET顯示高負(fù)載阻抗。一旦設(shè)備正確供應(yīng)，就可以保證正常運(yùn)行該器件可以由OUTEN管腳驅(qū)動(dòng)，控制電源時(shí)序。設(shè)置無(wú)引腳，設(shè)備實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)編程電壓。做空引腳到SGND，復(fù)位設(shè)備（在這種情況下，SS_END/PGOOD對(duì)SGND短路）從任何鎖存狀態(tài)，也禁用保持所有MOSFET轉(zhuǎn)動(dòng)的設(shè)備關(guān)閉以顯示對(duì)負(fù)載的高阻抗。

軟啟動(dòng)

L6713A實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)，以平穩(wěn)地為輸出濾波器充電，避免了高峰值輸入電源所需的電流。設(shè)備增加了根據(jù)所選操作，以不同方式調(diào)零至編程值模式和輸出電壓隨閉環(huán)調(diào)節(jié)而增加。只有當(dāng)所有的電源都高于其自身的開啟閾值并且外部引腳被釋放時(shí)，該設(shè)備才能實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。在數(shù)字軟啟動(dòng)結(jié)束時(shí)，SS_end/PGOOD信號(hào)被釋放。保護(hù)措施是在此階段激活；當(dāng)參考電壓達(dá)到0.6V時(shí)，欠電壓?jiǎn)⒂枚^(guò)電壓總是以一個(gè)取決于所選操作的閾值啟用模式或由ROVP編程的固定閾值（參見“過(guò)電壓和可編程OVP“部分）。

英特爾模式

一旦L6713A接收到所有正確的電源并啟用，并且Intel模式選擇后，啟動(dòng)軟啟動(dòng)階段，延時(shí)為T1=1ms（min）。之后，參考文獻(xiàn)根據(jù)SS/LTBG/AMD設(shè)置，在T2中上升至VBOOT=1.081V（1.100V-19mV）并等待T3=75μsec（典型值），在此期間設(shè)備讀取VID線。輸出電壓將然后以與之前相同的斜率上升到T4中的編程值（參見圖15）。

SS/LTB/AMD定義了用于從零階躍至編程值；此振蕩器獨(dú)立于頻率通過(guò)OSC引腳編程的主振蕩器。特別是，它允許精確編程啟動(dòng)時(shí)間到VBOOT（T2），因?yàn)樗且环N獨(dú)立于可編程視頻顯示器的固定電壓。總軟啟動(dòng)時(shí)間依賴于編程的VID結(jié)果（見圖17和圖19）。

軟啟動(dòng)時(shí)保護(hù)有效，參考電壓達(dá)到0.6V后，UVP啟用而在VBOOT之前，OVP始終以固定的1.24V閾值和閾值激活從VID（或編程的VOVP）在VBOOT之后（見中的紅色虛線圖15）。

注：如果在T3期間編程的VID選擇了低于VBOOT的輸出電壓，則輸出從VBOOT開始，電壓將上升到編程電壓。

使用LTB增益=2時(shí)的SS/LTB/AMD連接SS/LTB/AMD引腳根據(jù)電阻RSSOSC通過(guò)信號(hào)二極管與SSEND/PGOOD引腳連接（見圖16）。

其中TSS是達(dá)到編程電壓VSS和RSSOSC所花費(fèi)的時(shí)間連接在SS/LTBG/AMD和SSEND（通過(guò)信號(hào)二極管）之間，單位為kΩ。

使用LTB增益<2時(shí)的SS/LTB/AMD連接當(dāng)使用LTB增益<2時(shí)，等效RSSOSC電阻由R1+R2），因?yàn)樵谲泦?dòng)沒(méi)有完成之前，Q晶體管是關(guān)閉的（見圖18）。

其中TSS是達(dá)到編程電壓VSS和RSSOSC所花費(fèi)的時(shí)間連接在SS/LTBG/AMD和SGND（RSSOSC=R1+R2）之間，單位為kΩ。

AMD模式

一旦L6713A接收到所有正確的電源并啟用，AMD模式選擇后，它通過(guò)將基準(zhǔn)從零步進(jìn)到編程值來(lái)啟動(dòng)軟啟動(dòng)VID代碼（參見圖15）；現(xiàn)在用于步進(jìn)參考的時(shí)鐘與主時(shí)鐘相同由OSC引腳編程的振蕩器，SSOSC引腳在這種情況下不適用。然后，軟啟動(dòng)時(shí)間結(jié)果（見圖20）：

其中TSS是達(dá)到VSS所花費(fèi)的時(shí)間，F(xiàn)SW是主開關(guān)頻率由OSC引腳編程。軟啟動(dòng)期間保護(hù)激活，在參考電壓達(dá)到0.6V，而OVP始終在固定的1.800V閾值（或編程VOVP）。

低側(cè)啟動(dòng)

為了避免啟動(dòng)過(guò)程中負(fù)載側(cè)出現(xiàn)任何類型的負(fù)欠沖，L6713A在使LS驅(qū)動(dòng)器能夠切換時(shí)執(zhí)行一個(gè)特殊的序列：在軟啟動(dòng)階段LS驅(qū)動(dòng)器結(jié)果禁用（LS=關(guān)閉），直到HS開始切換。這樣可以避免危險(xiǎn)輸出電壓上的負(fù)尖峰，如果在預(yù)偏壓輸出上啟動(dòng)可能發(fā)生（見圖21）。該設(shè)備的這一特殊功能屏蔽了僅從觀點(diǎn)：如果出現(xiàn)過(guò)電壓，仍然允許保護(hù)打開LS MOSFET需要。

輸出電壓監(jiān)視器和保護(hù)

L6713A通過(guò)引腳VSEN監(jiān)控調(diào)節(jié)電壓，以管理OVP、UVP以及良好（適用時(shí)）條件。當(dāng)編程不同的操作模式（Intel或AMD，見表11），但是對(duì)保護(hù)事件的響應(yīng)仍然與下面描述的相同。當(dāng)使用偏移函數(shù)時(shí)，OVP、UVP和PGOOD閾值根據(jù)偏移電壓：在軟啟動(dòng)期間（見“軟啟動(dòng)”一節(jié)），在屏蔽的情況下，保護(hù)也處于活動(dòng)狀態(tài)在D-VID轉(zhuǎn)換期間，在轉(zhuǎn)換后有額外的32時(shí)鐘周期延遲完成以避免錯(cuò)誤觸發(fā)。

欠壓

如果VSEN監(jiān)控的輸出電壓低于編程值-750mV以上對(duì)于一個(gè)以上的時(shí)鐘周期，L6713A關(guān)閉所有mosfet并鎖存條件：要恢復(fù)，需要循環(huán)Vcc或OUTEN引腳。這是獨(dú)立于選擇操作模式。

初步過(guò)電壓

在VCC低于UVLOVCC閾值時(shí)提供保護(hù)是必須避免的HS MOSFET故障時(shí)CPU損壞。事實(shí)上，由于設(shè)備是由對(duì)于12V總線，對(duì)于低于開啟閾值（UVLOVCC）的任何電壓，它基本上是“盲”的。在為了給負(fù)載提供全面保護(hù)，在VCC時(shí)提供初步的OVP保護(hù)在LovUVCC內(nèi)。只要VSEN管腳電壓更大，這種保護(hù)就會(huì)開啟低側(cè)mosfet大于1.800V，滯后350mV。設(shè)置后，保護(hù)驅(qū)動(dòng)LS MOSFET門到源的電壓取決于施加在VCCDRx上的電壓通過(guò)這些引腳的開啟閾值（UVLOVCCDR）。這種保護(hù)還取決于OUTEN管腳狀態(tài)如圖22所示。當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，一種在所有情況下為輸出提供保護(hù)的簡(jiǎn)單方法（然后避免圖22左邊的不受保護(hù)的紅色區(qū)域）包括提供控制器通過(guò)5VSB總線，如圖22右圖所示：5VSB以前總是存在的+12V，在HS短路的情況下，LS MOSFET由5V驅(qū)動(dòng)，確保可靠負(fù)載保護(hù)。對(duì)于Intel和AMD模式。

過(guò)壓和可編程OVP

一旦VCC超過(guò)開啟閾值且設(shè)備啟用（OUTEN=1），L6713A提供過(guò)電壓保護(hù)：當(dāng)VSEN感應(yīng)到的電壓克服OVP閾值，控制器永久性地打開所有低端MOSFET和關(guān)閉所有高側(cè)MOSFET以保護(hù)負(fù)載。OSC/故障引腳驅(qū)動(dòng)電壓高（5V）并且需要電源或外部引腳循環(huán)才能重新啟動(dòng)OVP閾值根據(jù)選擇的操作模式而變化（參見表11）。OVP閾值也可以通過(guò)OVP引腳編程：讓引腳浮動(dòng)，它內(nèi)部拉高，并根據(jù)表11設(shè)置OVP閾值。連接OVP引腳到SGND通過(guò)電阻ROVP，OVP閾值變?yōu)榇嬖诘碾妷涸诖箢^針處。由于OVP引腳提供恒定的IOVP=12.5μa電流（見表4），因此編程電壓變?yōu)椋?img src="https://member.ic37.com/file/uploadfile/mynews/2020-10-23/ea830265-2f76-4d50-9a26-0e8aaf908a95.png" title="QQ圖片20201023103616.png" />

最大值（100pF）與最大值。

PGOOD（僅適用于AMD模式）

它是軟啟動(dòng)程序完成后釋放的開路漏極信號(hào)。它被拉低了當(dāng)輸出電壓低于編程電壓的-300mV時(shí)。

集成的大電流驅(qū)動(dòng)器允許使用不同類型的功率MOS（也可以是多個(gè)MOS降低等效RdsON），保持快速開關(guān)轉(zhuǎn)換。高壓側(cè)mosfet的驅(qū)動(dòng)器使用BOOTx引腳供電，PHASEx引腳用于返回。低端mosfet的驅(qū)動(dòng)器使用vcdrx引腳作為電源和PGNDx引腳為了回報(bào)。VCCDRx引腳上的最低電壓要求設(shè)備開始運(yùn)行。VCCDRx針腳必須連接在一起。該控制器包含一個(gè)復(fù)雜的反射擊系統(tǒng)，以盡量減少低的一面體二極管傳導(dǎo)時(shí)間保持良好效率節(jié)省肖特基二極管的使用：當(dāng)高壓側(cè)MOSFET關(guān)閉時(shí)，其源上的電壓開始下降；當(dāng)電壓達(dá)到2V時(shí)，低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)突然應(yīng)用。當(dāng)?shù)蛡?cè)MOSFET關(guān)閉時(shí)，檢測(cè)到LGATEx引腳上的電壓。當(dāng)電壓降到1V以下時(shí)高壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)突然應(yīng)用。如果電感器中的電流是負(fù)的，那么高側(cè)MOSFET的源就永遠(yuǎn)不會(huì)放下。即使在這種情況下，也允許打開低側(cè)MOSFET，一個(gè)看門狗控制器啟用：如果高側(cè)MOSFET的源不下降，則低側(cè)MOSFET被打開，從而允許感應(yīng)器的負(fù)電流再循環(huán)。這個(gè)即使電流為負(fù)，機(jī)械裝置也能使系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)節(jié)。CDRX和VCIC引腳也與電源引腳分開信號(hào)接地（SGND引腳）和電源接地（PGNDx引腳），以便最大限度地開關(guān)抗擾度。不同驅(qū)動(dòng)器的獨(dú)立供電具有很高的靈活性在選擇MOSFET時(shí)，允許使用邏輯電平MOSFET。幾種供應(yīng)組合可以選擇優(yōu)化應(yīng)用程序的性能和效率。電源轉(zhuǎn)換輸入也是靈活的；5V，12V總線或任何允許轉(zhuǎn)換的總線（見最大占空比限制）可自由選擇。

系統(tǒng)控制回路補(bǔ)償

控制回路由均流控制回路（見圖9）和平均電流模式控制回路。在適當(dāng)增益的情況下，每個(gè)環(huán)路都會(huì)對(duì)PWM使其調(diào)節(jié)誤差最小化：均流控制回路當(dāng)平均電流模式控制回路固定輸出電壓等于VID編程的參考值。圖25顯示了該塊系統(tǒng)控制回路圖。系統(tǒng)控制回路如圖26所示。IDROOP提供的當(dāng)前信息通過(guò)下降管腳流入RFB實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的依賴性讀取電流。

該系統(tǒng)可以用等效單相變流器進(jìn)行建模差分是等效電感器L/N（其中每相有一個(gè)L電感器）環(huán)路增益結(jié)果（在補(bǔ)償引腳后打開環(huán)路獲得）：

基于L6713A的虛擬現(xiàn)實(shí)嵌入

將VRD嵌入應(yīng)用程序時(shí)，必須格外小心，因?yàn)檎麄€(gè)VRD是一個(gè)開關(guān)式DC/DC調(diào)節(jié)器，也是其中最常見的系統(tǒng)工作是一個(gè)數(shù)字系統(tǒng)，如MB或類似的。事實(shí)上，最新的MB已經(jīng)變得更快而且功能強(qiáng)大：高速數(shù)據(jù)總線越來(lái)越普遍和開關(guān)感應(yīng)噪聲如果不遵循其他布局指南，VRD生成的數(shù)據(jù)可能會(huì)影響數(shù)據(jù)完整性。在路由高交換路徑時(shí)，必須主要考慮幾個(gè)容易的點(diǎn)電流（高開關(guān)電流會(huì)導(dǎo)致雜散電感上的電壓尖峰會(huì)影響附近記錄道的噪聲的軌跡）：保持大電流開關(guān)VRD軌跡和數(shù)據(jù)總線之間的安全防護(hù)距離，尤其是高速數(shù)據(jù)總線，使噪聲耦合最小化。為I/O子系統(tǒng)路由偏差跟蹤時(shí)，保持安全防護(hù)距離或適當(dāng)過(guò)濾必須在VRD附近行走。噪聲的可能原因可以定位在相位連接，MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)以及輸入電壓路徑（來(lái)自輸入大容量電容器和HS漏極）。還有PGND連接如果不堅(jiān)持使用電源接地平面，則必須考慮。這些連接必須小心遠(yuǎn)離噪音敏感的數(shù)據(jù)總線。由于產(chǎn)生的噪聲主要是由于VRM的開關(guān)活動(dòng)，所以噪聲排放量取決于電流轉(zhuǎn)換的速度。為了降低噪音排放水平另外，除了前面的指導(dǎo)方針，還可以適當(dāng)?shù)亟档彤?dāng)前坡度調(diào)諧HS門電阻和相位緩沖網(wǎng)絡(luò)。

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