欧美日本亚洲一区二区-亚洲中文字幕第八页在线看-男女猛烈国产无遮挡免费网站-国模小黎精品超大尺度-国产一区二区三区精彩视频-日本最新一区二区三区免费-师道之不传也久矣之的意思-亚洲精品中文字幕一二-蜜臀免费在线观看视频

您現(xiàn)在所在位置: 主頁 > 新聞中心 > 元器件百科

L9925 DMOS雙全橋驅動器

發(fā)布日期:2023-11-10 09:58 瀏覽次數(shù):

2獨立控制

H橋

RDS,ON<0.9Ω@環(huán)境溫度=25°C,VS=14 V

0.8A直流無散熱片

低靜態(tài)模式Iq<200μA

熱防護

交叉?zhèn)鲗ПWo

電源電壓高達40V

CMOS兼容輸入

輸出短路保護

說明

L9925是步進電機的雙全橋驅動器電機應用。在BCD(雙極性,CMOS&amp;DOS)技術,邏輯電路,精密線性塊和功率晶體管組合在一起優(yōu)化電路性能和最小化關斷芯片組件。施密特觸發(fā)器用于所有輸入級和完全兼容5VCMOS邏輯電平。當兩個啟用信號都低,則IC被命令進入低靜態(tài)電流狀態(tài),從電池。電荷泵集成在芯片上;不需要外部組件。充分發(fā)揮維護9V<VS<16V。擴展范圍6V<VS<9V和16V<VS<40V,功能齊全,但性能輕松。所有引腳的超溫保護和ESD保護確保可靠性并降低系統(tǒng)集成度失敗。

絕對最大額定值

絕對最大額定值是指超過該值可能對設備造成損壞的數(shù)值。功能性這種情況下的操作是不隱含的。對于設備外部施加的電壓和電流:

(1) 如果在一個或多個輸出端同時出現(xiàn)脈沖和短路,則裝置可能會過度應力。

電氣特性(VS=9至16V;Tj=-40至150°C(3),除非另有規(guī)定。)

當電流流入引腳時,參考GND的電壓和電流被假定為正。

(3) 在125°C的溫度下進行測試,通過150°C的相關系數(shù)保證參數(shù)

一般操作

啟用網(wǎng)橋后,每個輸入INx直接映射到相應的輸出OUTx。輸出電壓將等于差值在供應鏈和產(chǎn)品之間負載電流和輸出的導通電阻開關。Vout=V電源-(RDS,在⋅ILOAD上)。源負載電流為正。

圖4顯示了直流電機驅動。為確保電路在蓄電池反向工作時的安全,需要使用反向保護二極管D1。瞬態(tài)保護二極管D2必須確保瞬態(tài)期間的電源電壓VSVBAT行將被限制為小于VVSP的絕對最大額定值。容量CB用于降低VS-EMR,其值取決于驅動負載。電阻反饋回路通過二極管Do連接到μP電源線上允許打開負載檢測。保護設備輸出端抗EMI或ESD>2KV外部可使用電容器Cex。

電路描述

L9925是一款雙全橋集成電路,用于驅動直流電動機、步進電動機和其他感應電動機荷載。Eah電橋有4個功率DMOS晶體管RDSon=0.75Ω和相對保護和控制電路(見圖5)。t四分之一橋梁可通過以下方式獨立控制IN1、IN3、IN4和2的4個輸入的方式使能輸入ENABLE1和ENABLE2。

交叉?zhèn)鲗?/p>

該器件通過觀察內部柵極源電壓來保證沒有交叉導電動力汽車制造商。晶體管操作開啟狀態(tài)當一個功率DMOS晶體管在上面時可視為電阻器RDS(ON)=0.75Ω連接溫度為25°C在這種情況下,通過以下方式產(chǎn)生耗散功率:PON=RDS(開)⋅IDS2多電源BCD過程的低RDS(ON)可提供低功耗的高電流。

關閉狀態(tài)

當其中一個功率DMOS晶體管關閉VDS電壓等于電源電壓,只有泄漏電流IDSS流動。給出了這段時間內的功耗:POFF=VS⋅IDSS

過渡

就像所有的MOS功率晶體管一樣功率晶體管在源極和漏極之間有一個內部二極管,它可以作為開關模式應用中的快速續(xù)流二極管。在再循環(huán)過程中,使能輸入較低,功率MOS關閉,二極管電壓固定在其特性上。當啟用輸入低時,功率MOS關閉,二極管攜帶所有的接收電流。循環(huán)中轉換時間內消耗的功率取決于應用中的電壓和電流波形。Ptrans=IDS(t)⋅VDS(t)

熱防護

包括一個熱保護電路如果結溫低于溫度下降時達到150°C在輸入和啟用信號的控制下,設備重新啟動至安全水平。

申請信息

再循環(huán)

在ENALBE輸入高的再循環(huán)過程中,晶體管上的電壓降為RDS(開)。對于小于0.6V的電壓,且夾持在電壓取決于源漏二極管更高的電壓。盡管該裝置有防止交叉?zhèn)鲗У谋Wo措施。各橋功耗為了達到所提供的高性能到了L9925,必須注意確保它有足夠的PCB面積來散熱。任何熱設計的第一階段是計算應用,在本例中,考慮圖6所示的半步操作。上升時間TR當半橋臂打開時,電流開始在感應負載中流動,直到最大電流IL在時間TR后達到,即耗散能量EOFF/ON。

準時到噸

在此期間,能量耗散是由于晶體管EON和減刑經(jīng)濟。作為兩個電力DMO晶體管接通EON由以下公式給出:EON=IL2⋅RDS(開)⋅2⋅噸

在換向過程中,消耗的能量為:經(jīng)濟=VS⋅IL⋅TCOM⋅F開關⋅噸

TCOM=通信時間,假設:TCOM=trise=tfall≤20μs t開關=斬波頻率下降時間TF在這個例子中,假設能量消散在這一部分的周期采取相同的上升時間的形式如下:

靜止能量

能量耗散的最后貢獻是由于靜止供電電流和:等分=IQUIESCENT⋅VS⋅T

每循環(huán)總能量

ETOT=(2⋅EOFF/ON+EON+ECOM)橋接1+

+(2⋅EOFF/ON+EON+ECOM)bridg2+等分

總功耗PDI簡單地說:

TR=上升時間

TON=準時

TF=下降時間

TOFF=關閉時間

T=周期

T=TR+TON+TF+TOFF


  安芯科創(chuàng)是一家國內芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項目開發(fā),以及元器件一站式采購服務,類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。(關于元器件價格請咨詢在線客服黃經(jīng)理:15382911663

  代理分銷品牌有:ADI_亞德諾半導體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導體/HDSC_華大半導體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術/NEXPERIA_安世半導體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導體/TD_TECHCODE美國泰德半導體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等


免責聲明:部分圖文來源網(wǎng)絡,文章內容僅供參考,不構成投資建議,若內容有誤或涉及侵權可聯(lián)系刪除。

15382911663