特征

集成高壓啟動

PFC、半橋和預熱用4個驅動器

摩費特

3.3V微控制器兼容

全面整合所有人的電源管理

操作模式

內部兩點VCC調節(jié)器

帶數(shù)字輸出的過電流保護

信號

交叉?zhèn)鲗ПＷo（聯(lián)鎖）

欠壓鎖定

集成自舉二極管

應用

可調光/不可調光鎮(zhèn)流器

描述

L6382D適用于微控制嵌入PFC級和a的電子鎮(zhèn)流器半橋階段。L6382D包括4MOSFET驅動階段（PFC，半個電橋，用于預熱MOSFET）加上電源管理單元（PMU）還具有可在任何情況下提供微控制器的參考條件。除了提高應用效率外，還包括L6382D減少了物料清單，因為不同任務（關于驅動和電源管理）由單個IC執(zhí)行，該IC提高了應用程序的可靠性。

設備說明

L6382D采用高壓BCD離線技術設計，是PFC和鎮(zhèn)流器控制器配有4個輸入引腳和一個設計用于由微控制器管理的應用程序提供最大的靈活性。它允許設計師只需簡單地改變，就可以使用相同的鎮(zhèn)流器電路，用于不同的燈瓦數(shù)/類型μC軟件。數(shù)字輸入引腳-能夠接收高達400KHz的信號-連接到電平轉換器向相關驅動器提供控制信號；尤其是L6382D嵌入式系統(tǒng)一個驅動器用于PFC預調節(jié)器階段，兩個驅動器用于鎮(zhèn)流器半橋階段（高電壓，也包括引導功能）和最后一個提供補充通過可調光隔離繞組提供的燈絲預熱功能應用。可提供高達30mA的精確參考電壓（+3.3V±1%）μC：該電流的獲得得益于片上高壓啟動發(fā)生器，此外，使啟動前的消耗量保持在150μA以下。該芯片采用先進的電源管理邏輯設計，以降低功耗損耗和增加應用可靠性。在半橋部分，專利集成引導段取代了外部自舉二極管。L6382D還集成了調節(jié)IC電源電壓的功能（無需并優(yōu)化電流消耗。

電氣特性

表4。電氣特性（TJ=25°C，VCC=13V，CDRIVER=1nF除非另有規(guī)定）

表4。電氣特性（TJ=25°C，VCC=13V，CDRIVER=1nF除非另有規(guī)定）（續(xù)）

典型電氣性能

申請信息

電源管理

L6382D有兩個穩(wěn)定狀態(tài)（保存模式和操作模式）和兩個管理啟動和故障條件的附加狀態(tài)（圖10）：過電流保護是在操作模式下啟用的并行異步進程。下面的段落將描述每種模式和切換所需的條件他們。

啟動模式

參考圖11的時序圖，當?shù)谝淮蜗驌Q流器，大容量電容器上的電壓增大，高壓發(fā)電機可以操作拉拔10mA左右。這個電流，被IC消耗減少（小于150μA），對連接在引腳Vcc和接地之間的旁路電容器充電它的電壓幾乎呈線性上升。在此階段，所有IC的功能都被禁用，除了：

VREF引腳上的電流衰減電路，通過保持禁用連接到該引腳的微控制器；

開啟（導電）的高壓啟動（HVSU）為外部充電引腳Vcc上的電容器。當Vcc電壓達到啟動閾值（14V典型值）時，芯片開始工作并高壓發(fā)電機關閉。

總結：

–高壓啟動發(fā)電機激活；

–VREF被禁用，引腳VREF上的附加陷波電路啟用；

–TPR被禁用；

–OCP被禁用；

保存模式

此模式在Vcc電壓達到開啟閾值后進入；VREF為在低電流源模式下啟用，以提供與其相連的μC，其喚醒所需電流必須小于10mA：如果在LGI輸入端未檢測到開關活動，則高壓啟動發(fā)電機循環(huán)開關，保持Vcc之間的電壓以及VccSM。

總結：

—高壓啟動發(fā)電機循環(huán)；

–VREF在低電源電流能力（IREF≤10mA）下啟用；

–TPR電路被禁用；

–OCP被禁用；

–駕駛員被禁用。

如果Vcc電壓低于VREF（關）閾值，則設備進入啟動模式。

工作模式

在保存模式下10μs后，且僅當VREF處的電壓高于3.0V時在HGI輸入端，驅動程序和IC的所有功能都已啟用；這是與適當?shù)臒粜袨橄鄬哪Ｊ健?/p>

總結：

–HVSU關閉

–VREF在高電源電流模式下啟用（IREF<30mA）

–TPR電路啟用

–OCP已啟用

–驅動程序已啟用

如果超過100μs，LGI上沒有開關活動，則IC返回保存模式。

關機

此狀態(tài)允許在操作模式下管理故障條件，并由發(fā)生下列情況之一：

1.Vcc<VccOff（電源欠壓故障），

2.VREF<2.0V（VREF上的欠壓故障）

在此狀態(tài)下，功能包括：

–HVSU發(fā)電機開啟

–VREF在低電源電流模式下啟用（IREF<10mA）

禁用–TPR

–OCP被禁用

–駕駛員被禁用

如果設備處于VccOn狀態(tài)，則進入VccOn狀態(tài)Vcc<VREF（關），同時關閉μC，設備將準備好執(zhí)行啟動順序。

塊說明

供應部分

μPUVLO（μPower Under Voltage Lock Out）：此塊控制功率管理L6382D，確保每次操作中正確的電流消耗狀態(tài)、正確的VREF電流能力、驅動器啟用和高壓啟動發(fā)電機切換。在啟動過程中，設備吸收了為外部電容器充電所需的電流在高壓母線的引腳VCC上；在這種狀態(tài)下，其他IC的功能被禁用整個集成電路的電流消耗小于150μA。當VCC引腳上的電壓達到VccON時，IC進入保存模式，其中μPUVLO塊通過打開/關閉高壓啟動發(fā)電機。

HVSU（高壓啟動發(fā)電機）：600V內部MOS晶體管結構在啟動和保存模式條件下控制Vcc電源電壓通過關閉MOS晶體管來降低工作模式下的功率損耗。這種晶體管的源電流能力高達30毫安。

TPR（兩點調節(jié)器）和PWS：在正常模式下，TPR塊控制PSW開關，用于將IC電源電壓（VCC）調節(jié)到范圍內的值在TPR（ON）和TPR（OFF）之間通過開關PSW晶體管圖11。

–Vcc>TPRst:PSW立即接通；

–TPR（ON）<Vcc<TPRst:PSW在以下下降沿打開

LGI；

–Vcc<TPR（OFF）：在LGI的下一下降沿關閉PSW。

當PSW開關斷開時，二極管建立電荷泵結構，以便將TPR引腳轉換成開關電壓（通過電容器）就可以提供較低的電壓芯片的電壓部分，不添加任何其他外部元件。二極管和開關的設計至少能承受200毫安的電流。

3.3V參考電壓

此塊用于向微控制器供電；此電源可在save中提供10mA模式，在操作模式下為30mA；此外，在VREF尚未啟動時可用的，一個額外的電路是確保，即使下沉3毫安，引腳電壓不會超過1.2V。在Vcc高于VREF（關閉）之前，該參考可用；低于該值時，它將關閉，并且附加的下沉電路再次啟用。

LSD（低壓側驅動器）：由一個從3.3V邏輯信號（LSI）到Vcc的電平變換器組成MOS驅動電平；構思用于半橋低功耗MOS，它能夠源和匯120mA（最小值）。

HSD（電平變換器和高壓側驅動器）：由3.3V邏輯的電平變換器組成信號（HGI）到高壓側門驅動器輸入高達600V。設計用于半橋高側功率MOS，HSG能夠產生和吸收120mA。

PFD（功率因數(shù)驅動器）：由一個從3.3V邏輯信號（PFI）到Vcc MOS驅動電平：驅動器能夠從Vcc向PFG供電120mA（打開）并使250mA下降到GND（關斷）；適合于驅動PFC預調節(jié)級的MOS。

HED（熱驅動器）：由一個從3.3V邏輯信號（HEI）到Vcc MOS的電平變換器組成驅動電平；驅動器能夠從Vcc向HEG供電30毫安，并將75毫安降至適用于獨立供電時的燈絲加熱彎曲的。

自舉電路：為高壓側驅動器（HSD）產生電源電壓。一個專利的集成引導段取代了一個外部引導二極管。這個部分和一個自舉電容器一起提供引導電壓來驅動高功率MOSFET。此功能是通過使用高壓DMOS驅動器來實現(xiàn)的與低壓側外接功率MOSFET同步驅動。為了保險箱啟動引腳和Vcc之間的電流始終被抑制，即使ZVS操作可能無法保證。

內部邏輯、過流保護（OCP）和聯(lián)鎖

功能

DIM（數(shù)字輸入監(jiān)視器）模塊管理發(fā)送給駕駛員的輸入信號確保在所述的啟動過程中它們處于較低水平；調光塊控制L6382D在保存和操作模式下的行為。當引腳CSI上的電壓超過0.5V（典型值）的內部參考值時鎖定故障狀態(tài)：在此狀態(tài)下，OCP塊強制HSG和LSG信號均低而CSO會被強迫到高位。這種情況將保持鎖定，直到LSI和HSI同時低，CSI低于0.5V。此功能適用于實施過電流保護或硬開關檢測通過使用外部感應電阻。由于引腳CSI上的電壓可能變?yōu)樨撝担娏鞅仨毾拗圃?毫安以下外部組件。DIM塊的另一個特點是內部聯(lián)鎖，避免了半橋場效應晶體管：如果碰巧HGI和LGI的輸入在同一個高水平只要HSG持續(xù)時間很短，那么LSG就處于危險狀態(tài)。

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