1、特點(diǎn)

輸入電壓范圍：2.7 V至10 V

輸出電壓范圍：1.25 V至9 V

2.5%調(diào)整引腳電壓精度（25°C）

低壓差：1 A時(shí)為450 mV（典型值為5 VVOUT）

精密（微調(diào)）帶隙基準(zhǔn)

確保-40°C至+125°C的規(guī)格

1-μA斷開(kāi)狀態(tài)靜態(tài)電流

熱過(guò)載保護(hù)

可折疊限流

啟用（EN）引腳（LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ）

5針SOT-223和6針WSON封裝

2、應(yīng)用

硬盤驅(qū)動(dòng)器

筆記本電腦

電池供電設(shè)備

便攜式儀器

3、說(shuō)明

LP38690-ADJ和LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器提供2.5%的精度參考電壓，極低的壓降（1-A負(fù)載電流下450 mV，VOUT=5 V）和利用超低當(dāng)量的優(yōu)異交流性能串聯(lián)電阻（ESR）陶瓷輸出電容器。WSON和SOT的低熱阻-允許運(yùn)行223個(gè)完整的包即使在高環(huán)境溫度下也能使用環(huán)境。使用PMOS功率晶體管意味著直流基極驅(qū)動(dòng)電流需要使其偏置接地引腳電流保持在100μA以下不管負(fù)載電流、輸入電壓或運(yùn)行溫度。

跌落電壓：450 mV（典型值）為1 A（典型值輸出5伏）

接地引腳電流：滿載時(shí)55μA（典型值）

調(diào)整引腳電壓：2.5%（25°C）精度

電氣特性

除非另有規(guī)定：典型限值為TJ=25°C，最小和最大限值適用于整個(gè)操作溫度范圍；VIN=VOUT+1 V，CIN=COUT=10μF，ILOAD=10毫安。最小和最大限值通過(guò)測(cè)試、統(tǒng)計(jì)相關(guān)性或設(shè)計(jì)。

（1） 典型數(shù)字代表25°C操作最有可能的參數(shù)規(guī)范。

（2） 輸出電壓線路調(diào)節(jié)是指由于輸入電壓的變化而引起的輸出電壓與標(biāo)稱值的變化。

（3） 輸出電壓負(fù)載調(diào)節(jié)是指當(dāng)負(fù)載電流從1mA增加到滿載。

（4） 壓降定義為保持輸出在標(biāo)稱值100 mV范圍內(nèi)所需的最小輸入輸出差。

典型特征

除非另有規(guī)定：TJ=25°C，CIN=COUT=10μF，EN引腳與VIN（僅限LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ）相連，VOUT=1.25 V，VIN=2.7五、 ILOAD=10 mA。

詳細(xì)說(shuō)明

概述

LP3869x調(diào)整設(shè)備的設(shè)計(jì)滿足便攜式，電池供電的數(shù)字系統(tǒng)的要求提供精確的輸出電壓和快速啟動(dòng)。通過(guò)啟用引腳的低邏輯信號(hào)禁用時(shí)（EN），功耗幾乎降到零（僅限LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ）。LP3869x設(shè)備性能良好有一個(gè)1μF輸入電容和一個(gè)1μF陶瓷輸出電容。

功能描述

可折疊限流

可折疊電流限制內(nèi)置在LP3869x ADJ中，可減少部件的輸出電流量輸出電壓降低時(shí)輸出。負(fù)載電流的大小取決于壓差在VIN和VOUT之間。通常，當(dāng)電壓差超過(guò)5V時(shí)，負(fù)載電流將限制在450毫安。當(dāng)VIN–VOUT差降至4 V以下時(shí)，負(fù)載電流限制在1500 mA左右。

設(shè)備功能模式

啟用引腳（僅限LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ）

LP38692–ADJ有一個(gè)啟用引腳（EN），允許外部控制信號(hào)打開(kāi)調(diào)節(jié)器輸出然后離開(kāi)。啟用開(kāi)/關(guān)閾值沒(méi)有滯后。電壓信號(hào)必須清晰地上升和下降，并且迅速通過(guò)開(kāi)關(guān)電壓閾值。EN引腳沒(méi)有內(nèi)部上拉或下拉來(lái)建立默認(rèn)條件，因此，必須主動(dòng)或被動(dòng)終止此引腳。如果EN引腳被驅(qū)動(dòng)從一個(gè)高電壓和低電壓的電源中，驅(qū)動(dòng)電壓不能低于地電位或高于VIN。如果應(yīng)用程序不需要啟用功能，則必須將管腳直接連接到IN引腳。

申請(qǐng)信息

反向電壓

當(dāng)OUT引腳上的電壓高于IN引腳上的電壓時(shí)，存在反向電壓情況。通常情況下，當(dāng)IN被突然放低，并且不能繼續(xù)保持足夠的電荷時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況輸入到輸出的電壓變得相反。一種不常見(jiàn)的情況是當(dāng)備用電壓源連接到輸出端。在反向電壓期間，電流從輸出引腳流回輸入端有兩種可能的路徑條件。

1、當(dāng)車輛識(shí)別號(hào)（VIN）高到足以使控制電路保持工作狀態(tài)，且EN引腳（僅限LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ）高于即使（開(kāi)）閾值，控制電路將嘗試調(diào)節(jié)輸出電壓。如果輸入電壓較低控制電路比編程的輸出電壓驅(qū)動(dòng)通路元件的柵極完全接通條件。在這種情況下，反向電流從OUT引腳流向In引腳，僅受的RDS（ON）限制通過(guò)元件和輸出到輸入的電壓差。輸出電容器放電高達(dá)1000μF當(dāng)電流迅速衰減時(shí)，這種方式不會(huì)損壞設(shè)備。但是，連續(xù)反轉(zhuǎn)必須避免電流。當(dāng)EN引腳較低時(shí)，可防止這種情況。

2、內(nèi)部PFET通道元件有一個(gè)固有的寄生二極管。在正常運(yùn)行期間，輸入電壓高于輸出電壓且寄生二極管反向偏壓。但是，當(dāng)車輛識(shí)別號(hào)（VIN）低于控制電路帶電或EN引腳低（僅限LP38692-adj-ic/" title="LP38692-ADJ">LP38692-ADJ）且輸出電壓為高于輸入電壓500毫伏（典型值）時(shí)，寄生二極管會(huì)產(chǎn)生正向偏壓和電流通過(guò)二極管從OUT引腳流向IN引腳。寄生二極管中的電流必須限制在小于1-A連續(xù)和5-A峰值。如果用于雙電源系統(tǒng)，其中調(diào)節(jié)器輸出負(fù)載返回負(fù)電源，則輸出引腳必須將二極管夾緊接地，以限制負(fù)電壓轉(zhuǎn)換。建議使用肖特基二極管這個(gè)保護(hù)夾。

詳細(xì)設(shè)計(jì)程序

設(shè)置輸出電壓

使用外部電阻器R1和R2設(shè)置輸出電壓（見(jiàn)圖29和圖30）。輸出電壓由式1給出：VOUT=VADJ×（1+（R1/R2））（1）由于零件的最小負(fù)載電流要求為100μa，TI建議R2始終為12 kΩ或更少，以提供足夠的負(fù)載。即使最小負(fù)載總是通過(guò)其他方式提供，它也不是建議對(duì)R1和R2使用非常高的電阻值，因?yàn)樗梢允笰DJ節(jié)點(diǎn)易受噪音影響。建議R2的最大值為100 kΩ，以防止發(fā)生這種情況。

外部電容器

像任何低壓差調(diào)節(jié)器一樣，需要外部電容器來(lái)保證穩(wěn)定性。這些電容器必須正確選擇以獲得適當(dāng)?shù)男阅堋?/p>

輸入電容器

需要至少1μF的輸入電容器（建議使用陶瓷）。電容器的位置不得超過(guò)離IN引腳1厘米以上，返回到干凈的模擬地面。

輸出電容器

需要一個(gè)輸出電容器來(lái)保證回路的穩(wěn)定性。它必須位于距離設(shè)備不到1厘米的地方，并且直接連接到OUT和GND引腳，使用沒(méi)有其他電流流過(guò)的痕跡。可用于穩(wěn)定運(yùn)行的最小輸出電容量為1μF。陶瓷電容器推薦使用（LP3869x ADJ設(shè)計(jì)用于超低ESR電容器）。LP3869x調(diào)節(jié)器是輸出電容ESR在0Ω和100Ω之間穩(wěn)定。

選擇電容器

必須注意的是，必須考慮電容公差和隨溫度變化的情況當(dāng)選擇電容器時(shí)，使所需的最小電容量大于工作溫度范圍。

陶瓷

對(duì)于10-100μF范圍內(nèi)的電容值，陶瓷通常比由于鉭電容器具有很高的雜訊，所以具有很高的雜訊ESR（通常小于10 mΩ）。然而，一些介質(zhì)類型并不具有良好的電容特性作為電壓和溫度的函數(shù)。Z5U和Y5V介電陶瓷的電容隨外加電壓的增加而急劇下降。典型的Z5U或Y5V電容器在施加一半額定電壓的情況下，會(huì)損失60%的額定電容。Z5U和Y5V同時(shí)還表現(xiàn)出嚴(yán)重的溫度效應(yīng)，在溫度范圍。如果使用陶瓷，強(qiáng)烈建議使用X7R和X5R介質(zhì)陶瓷電容器，因?yàn)樗鼈兺ǔＪ窃跍囟群碗妷旱臐M工作額定值的±20%范圍內(nèi)保持電容范圍。對(duì)于給定的電壓和電容，它們通常比Z5U/Y5U型號(hào)更大、成本更高。

鉭

固體鉭電容器具有良好的溫度穩(wěn)定性：高質(zhì)量的鉭通常表現(xiàn)為電容在-40°C到+125°C的整個(gè)溫度范圍內(nèi)變化小于10-15%的值。ESR僅變化約2×從高溫到低溫極限。當(dāng)使用邊際質(zhì)量電容器時(shí)，較低溫度下的ESR增加會(huì)導(dǎo)致振蕩（如果電容器的ESR在室溫下接近穩(wěn)定范圍的上限）。

射頻干擾/電磁干擾敏感性

射頻干擾（RFI）和電磁干擾（EMI）會(huì)降低任何集成電路的性能由于設(shè)備內(nèi)部的幾何尺寸較小，所以性能良好。在電路應(yīng)用中存在產(chǎn)生大量高頻能量含量（>1MHz）的信號(hào)源，必須小心確保這不會(huì)影響設(shè)備調(diào)節(jié)器。如果調(diào)節(jié)器的輸入側(cè)存在RFI/EMI噪聲（例如輸入源出現(xiàn)的應(yīng)用從開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出），必須在設(shè)備。如果負(fù)載連接到高速開(kāi)關(guān)的設(shè)備輸出（如時(shí)鐘），則高頻負(fù)載所需的電流脈沖必須由設(shè)備輸出上的電容器提供。因?yàn)閹捜绻{(diào)節(jié)器回路小于100 kHz，則控制電路無(wú)法對(duì)高于該值的負(fù)載變化作出響應(yīng)頻率。這意味著在100 kHz以上的頻率下確定了設(shè)備的有效輸出阻抗只靠輸出電容器。在負(fù)載高速切換的應(yīng)用中，設(shè)備的輸出可能需要射頻隔離負(fù)荷。建議在輸出電容器和負(fù)載之間放置一些電感，以及好的射頻旁路電容器直接放置在負(fù)載上。PCB布局在高噪聲環(huán)境中也很重要，因?yàn)镽FI/EMI很容易直接輻射到PC軌跡中。噪聲電路應(yīng)盡可能與干凈的電路隔離，并通過(guò)單獨(dú)的路徑接地。在MHz頻率，接地平面開(kāi)始看起來(lái)是感應(yīng)的，RFI/EMI可能會(huì)導(dǎo)致地面反彈地平面。在多層印刷電路板的應(yīng)用中，應(yīng)注意布局，使噪音大的電源和接地飛機(jī)不會(huì)直接輻射到攜帶模擬電源和地面的相鄰層。

輸出噪聲

噪聲有兩種規(guī)定：斑點(diǎn)噪聲或輸出噪聲密度是所有噪聲源的均方根和，在調(diào)節(jié)器輸出處，以特定頻率測(cè)量（以1-Hz帶寬測(cè)量）。就是這種噪音通常作為頻率的函數(shù)繪制在曲線上。總輸出噪聲或?qū)拵г肼暈榫礁驮谔囟ǖ膸捝希ǔＪ菐资甑念l率范圍內(nèi)的斑點(diǎn)噪聲。必須注意計(jì)量單位。點(diǎn)噪聲的測(cè)量單位為μV/√Hz或nV/√Hz和總計(jì)輸出噪聲以μVRMS為單位進(jìn)行測(cè)量低壓差穩(wěn)壓器的主要噪聲源是內(nèi)部基準(zhǔn)。噪音可以一分為二方法：通過(guò)增加晶體管面積或增加內(nèi)部基準(zhǔn)電流。增加的該區(qū)域減少了將模具裝配到較小包裝中的可能性。增加內(nèi)部參考增加總電源電流（GND引腳電流）。

功耗

了解設(shè)備的功耗和連接到凸耳或焊盤的熱平面的正確尺寸是對(duì)確保可靠運(yùn)行至關(guān)重要。設(shè)備功耗取決于輸入電壓、輸出電壓和荷載條件和可用公式2計(jì)算。車輛識(shí)別號(hào)（VIN）=最大值2通過(guò)使用可用的最低功耗，可以將功耗降到最低，并實(shí)現(xiàn)更高的效率電壓降選項(xiàng)仍將大于壓降電壓（VDO）。但是，請(qǐng)記住電壓降會(huì)產(chǎn)生更好的動(dòng)態(tài)性能（即PSRR和瞬態(tài)）。在WSON（NGD）封裝中，熱量的主要傳導(dǎo)路徑是通過(guò)暴露的功率墊到印刷電路板。為確保設(shè)備不會(huì)過(guò)熱，通過(guò)熱通孔將裸露的焊盤連接到內(nèi)部接地板有適當(dāng)數(shù)量的銅PCB面積。在SOT-223（NDC）封裝上，熱量的主要傳導(dǎo)路徑是通過(guò)引腳到PCB。功耗和結(jié)溫通常與環(huán)境熱阻有關(guān)（RθJA）根據(jù)式3或式4:TJ（MAX）=TA（MAX）+（RθJA×PD（MAX））PD=TJ（最大）–TA（最大）/RθJA

不幸的是，這種RθJA高度依賴于特定PCB設(shè)計(jì)的熱擴(kuò)散能力，并且因此，根據(jù)銅的面積和總面積的不同而不同。RθJA記錄熱信息由特定的EIA/JEDEC JESD51-7 PCB和銅鋪展面積標(biāo)準(zhǔn)確定，僅作為封裝熱性能的相對(duì)測(cè)量。對(duì)于設(shè)計(jì)良好的熱布局，RθJA實(shí)際上是封裝結(jié)與外殼（底部）熱阻之和（RθJCbot）加上作為熱沉的PCB銅區(qū)的熱阻貢獻(xiàn)。

估算結(jié)溫

EIA/JEDEC標(biāo)準(zhǔn)建議使用psi（Ψ）熱特性來(lái)估計(jì)結(jié)典型PCB板應(yīng)用表面貼裝設(shè)備的溫度。這些特征不是真的熱阻值，而是包裝特定的熱特性，提供實(shí)用和相對(duì)的估計(jì)結(jié)溫的方法。這些psi指標(biāo)被確定為顯著獨(dú)立于銅擴(kuò)散區(qū)。關(guān)鍵熱特性（ΨJT和ΨJB）在熱信息中給出，并且根據(jù)式5或式6使用。TJ（最大）=TTOP+（ΨJT×PD（MAX））

PD（MAX）在方程式4中進(jìn)行了解釋•TTOP是在裝置封裝的中心頂部測(cè)得的溫度。TJ（MAX）=t板+（ψJB×PD（MAX））

PD（MAX）在方程式4中解釋。TBOARD是從設(shè)備封裝1毫米處測(cè)得的PCB表面溫度，并以包裝邊緣。

電源建議

LP3869x ADJ設(shè)備設(shè)計(jì)用于在2.7 V到10 V的輸入電源電壓范圍內(nèi)工作輸入電源必須調(diào)節(jié)良好，無(wú)雜音。以確保LP3869x調(diào)節(jié)器的輸出電壓如果調(diào)節(jié)良好，輸入電源必須至少為VOUT+0.5v或2.7v，以較高者為準(zhǔn)。最低限度電容器值1-μF要求在IN引腳1cm范圍內(nèi)。

布局

布局指南

必須使用良好的PC布局實(shí)踐，否則會(huì)因接地回路和電壓降而導(dǎo)致不穩(wěn)定。輸入和輸出電容器必須使用直接連接到調(diào)節(jié)器的輸入、輸出和接地引腳沒(méi)有其他電流流過(guò)的記錄道（開(kāi)爾文連接）。最好的方法是將CIN和COUT布置在設(shè)備附近，并對(duì)輸入、輸出和GND進(jìn)行短距離跟蹤別針。調(diào)節(jié)器接地針腳必須連接到外部電路接地，以便調(diào)節(jié)器及其電容器有單點(diǎn)接地。穩(wěn)定性問(wèn)題已經(jīng)出現(xiàn)在使用內(nèi)部接地層通孔的應(yīng)用中裝置的接地點(diǎn)以及輸入和輸出電容器。這是由于這些節(jié)點(diǎn)是由流過(guò)地平面的電流引起的。使用單點(diǎn)接地技術(shù)調(diào)節(jié)器和調(diào)節(jié)器電容器解決了這個(gè)問(wèn)題。因?yàn)楦唠娏髁鬟^(guò)輸入和輸出，開(kāi)爾文將電容器引線連接到這些引腳上，這樣就不會(huì)有電壓降串聯(lián)輸入和輸出電容器。

WSON安裝

NGG0006A（無(wú)回拉）6引線WSON封裝需要具體的安裝技術(shù)，這些技術(shù)都是詳細(xì)說(shuō)明的在AN-1187無(wú)鉛引線框架封裝（LLP）中，SNOA401。要與WSON包一起使用的pad樣式是NSMD（非焊接掩模定義）類型。此外，TI建議PCB端子墊為0.2 mm比封裝焊盤長(zhǎng)，形成焊角，提高可靠性和檢驗(yàn)性。輸入電流在兩個(gè)IN引腳1和6之間分流。兩個(gè)IN銷必須連接在一起以確保裝置在額定電流下能滿足所有規(guī)格。WSON封裝的散熱性能直接關(guān)系到印刷電路板的結(jié)構(gòu)和結(jié)構(gòu)連接到DAP的額外銅面積。WSON封裝底部的DAP（暴露焊盤）通過(guò)導(dǎo)電材料連接到模具基板粘上粘合劑。DAP與任何引腳沒(méi)有直接的電氣（導(dǎo)線）連接。有一個(gè)寄生的PN芯片基板和設(shè)備接地之間的連接。因此，強(qiáng)烈建議DAP在設(shè)備導(dǎo)線2（即GND）處直接接地。或者，但不推薦，DAP可以保持漂浮狀態(tài)（即沒(méi)有電氣連接）。DAP不得連接到除接地。

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