2獨(dú)立控制

H橋

RDS，ON<0.9Ω@環(huán)境溫度=25°C，VS=14 V

0.8A直流無(wú)散熱片

低靜態(tài)模式Iq<200μA

熱防護(hù)

交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)

電源電壓高達(dá)40V

CMOS兼容輸入

輸出短路保護(hù)

說(shuō)明

L9925是步進(jìn)電機(jī)的雙全橋驅(qū)動(dòng)器電機(jī)應(yīng)用。在BCD（雙極性，CMOS&amp;DOS）技術(shù)，邏輯電路，精密線性塊和功率晶體管組合在一起優(yōu)化電路性能和最小化關(guān)斷芯片組件。施密特觸發(fā)器用于所有輸入級(jí)和完全兼容5VCMOS邏輯電平。當(dāng)兩個(gè)啟用信號(hào)都低，則IC被命令進(jìn)入低靜態(tài)電流狀態(tài)，從電池。電荷泵集成在芯片上；不需要外部組件。充分發(fā)揮維護(hù)9V<VS<16V。擴(kuò)展范圍6V<VS<9V和16V<VS<40V，功能齊全，但性能輕松。所有引腳的超溫保護(hù)和ESD保護(hù)確保可靠性并降低系統(tǒng)集成度失敗。

絕對(duì)最大額定值

絕對(duì)最大額定值是指超過(guò)該值可能對(duì)設(shè)備造成損壞的數(shù)值。功能性這種情況下的操作是不隱含的。對(duì)于設(shè)備外部施加的電壓和電流：

（1） 如果在一個(gè)或多個(gè)輸出端同時(shí)出現(xiàn)脈沖和短路，則裝置可能會(huì)過(guò)度應(yīng)力。

電氣特性（VS=9至16V；Tj=-40至150°C（3），除非另有規(guī)定。）

當(dāng)電流流入引腳時(shí)，參考GND的電壓和電流被假定為正。

（3） 在125°C的溫度下進(jìn)行測(cè)試，通過(guò)150°C的相關(guān)系數(shù)保證參數(shù)

一般操作

啟用網(wǎng)橋后，每個(gè)輸入INx直接映射到相應(yīng)的輸出OUTx。輸出電壓將等于差值在供應(yīng)鏈和產(chǎn)品之間負(fù)載電流和輸出的導(dǎo)通電阻開(kāi)關(guān)。Vout=V電源-（RDS，在⋅ILOAD上）。源負(fù)載電流為正。

圖4顯示了直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。為確保電路在蓄電池反向工作時(shí)的安全，需要使用反向保護(hù)二極管D1。瞬態(tài)保護(hù)二極管D2必須確保瞬態(tài)期間的電源電壓VSVBAT行將被限制為小于VVSP的絕對(duì)最大額定值。容量CB用于降低VS-EMR，其值取決于驅(qū)動(dòng)負(fù)載。電阻反饋回路通過(guò)二極管Do連接到μP電源線上允許打開(kāi)負(fù)載檢測(cè)。保護(hù)設(shè)備輸出端抗EMI或ESD>2KV外部可使用電容器Cex。

電路描述

L9925是一款雙全橋集成電路，用于驅(qū)動(dòng)直流電動(dòng)機(jī)、步進(jìn)電動(dòng)機(jī)和其他感應(yīng)電動(dòng)機(jī)荷載。Eah電橋有4個(gè)功率DMOS晶體管RDSon=0.75Ω和相對(duì)保護(hù)和控制電路（見(jiàn)圖5）。t四分之一橋梁可通過(guò)以下方式獨(dú)立控制IN1、IN3、IN4和2的4個(gè)輸入的方式使能輸入ENABLE1和ENABLE2。

交叉?zhèn)鲗?dǎo)

該器件通過(guò)觀察內(nèi)部柵極源電壓來(lái)保證沒(méi)有交叉導(dǎo)電動(dòng)力汽車(chē)制造商。晶體管操作開(kāi)啟狀態(tài)當(dāng)一個(gè)功率DMOS晶體管在上面時(shí)可視為電阻器RDS（ON）=0.75Ω連接溫度為25°C在這種情況下，通過(guò)以下方式產(chǎn)生耗散功率：PON=RDS（開(kāi)）⋅IDS2多電源BCD過(guò)程的低RDS（ON）可提供低功耗的高電流。

關(guān)閉狀態(tài)

當(dāng)其中一個(gè)功率DMOS晶體管關(guān)閉VDS電壓等于電源電壓，只有泄漏電流IDSS流動(dòng)。給出了這段時(shí)間內(nèi)的功耗：POFF=VS⋅IDSS

過(guò)渡

就像所有的MOS功率晶體管一樣功率晶體管在源極和漏極之間有一個(gè)內(nèi)部二極管，它可以作為開(kāi)關(guān)模式應(yīng)用中的快速續(xù)流二極管。在再循環(huán)過(guò)程中，使能輸入較低，功率MOS關(guān)閉，二極管電壓固定在其特性上。當(dāng)啟用輸入低時(shí)，功率MOS關(guān)閉，二極管攜帶所有的接收電流。循環(huán)中轉(zhuǎn)換時(shí)間內(nèi)消耗的功率取決于應(yīng)用中的電壓和電流波形。Ptrans=IDS（t）⋅VDS（t）

熱防護(hù)

包括一個(gè)熱保護(hù)電路如果結(jié)溫低于溫度下降時(shí)達(dá)到150°C在輸入和啟用信號(hào)的控制下，設(shè)備重新啟動(dòng)至安全水平。

申請(qǐng)信息

再循環(huán)

在ENALBE輸入高的再循環(huán)過(guò)程中，晶體管上的電壓降為RDS（開(kāi)）。對(duì)于小于0.6V的電壓，且?jiàn)A持在電壓取決于源漏二極管更高的電壓。盡管該裝置有防止交叉?zhèn)鲗?dǎo)的保護(hù)措施。各橋功耗為了達(dá)到所提供的高性能到了L9925，必須注意確保它有足夠的PCB面積來(lái)散熱。任何熱設(shè)計(jì)的第一階段是計(jì)算應(yīng)用，在本例中，考慮圖6所示的半步操作。上升時(shí)間TR當(dāng)半橋臂打開(kāi)時(shí)，電流開(kāi)始在感應(yīng)負(fù)載中流動(dòng)，直到最大電流IL在時(shí)間TR后達(dá)到，即耗散能量EOFF/ON。

準(zhǔn)時(shí)到噸

在此期間，能量耗散是由于晶體管EON和減刑經(jīng)濟(jì)。作為兩個(gè)電力DMO晶體管接通EON由以下公式給出：EON=IL2⋅RDS（開(kāi)）⋅2⋅噸

在換向過(guò)程中，消耗的能量為：經(jīng)濟(jì)=VS⋅IL⋅TCOM⋅F開(kāi)關(guān)⋅噸

TCOM=通信時(shí)間，假設(shè)：TCOM=trise=tfall≤20μs t開(kāi)關(guān)=斬波頻率下降時(shí)間TF在這個(gè)例子中，假設(shè)能量消散在這一部分的周期采取相同的上升時(shí)間的形式如下：

靜止能量

能量耗散的最后貢獻(xiàn)是由于靜止供電電流和：等分=IQUIESCENT⋅VS⋅T

每循環(huán)總能量

ETOT=（2⋅EOFF/ON+EON+ECOM）橋接1+

+（2⋅EOFF/ON+EON+ECOM）bridg2+等分

總功耗PDI簡(jiǎn)單地說(shuō)：

TR=上升時(shí)間

TON=準(zhǔn)時(shí)

TF=下降時(shí)間

TOFF=關(guān)閉時(shí)間

T=周期

T=TR+TON+TF+TOFF

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