一般特征
0.8V啟動輸入電壓
高達5.5V的工作輸入電壓
內(nèi)部同步整流器
1.8V可調(diào)輸出電壓
3.3V和5V固定輸出電壓
電池低電壓檢測
反向電池保護
750mA輸入電流限制
開關(guān)頻率高達1MHz
1.23V參考電壓
應(yīng)用
從1到3堿性,
鎳氫、鎳鎘電池或1個鋰離子電池
PDA和手持儀器
數(shù)碼相機
手機
GPS
分布式電源
說明
L6920DB是一種高效率的單片臺階上開關(guān)變換器集成電路電池供電應(yīng)用。封裝是MSOP8,以便最小化PCB空間。它只需要三個外部組件實現(xiàn)電池電壓的轉(zhuǎn)換至所選輸出電壓。最小輸出電壓為1.8V:適用于提供最先進的ASIC和μP。高開關(guān)頻率允許低姿態(tài),小型電感器和輸出電容器用過。參考電壓、低電池檢測和停機與過流一起提供。

表4。電氣特性
(VIN=2V,F(xiàn)B=GND,TJ=25°C,除非另有規(guī)定)


詳細說明
L6920DB是一種高效率、低壓升壓型DC/DC變換器對于1到3個電池(鋰離子/聚合物,NiMH)電池上轉(zhuǎn)換。這些性能是通過大幅降低靜態(tài)電流(僅限10μa)實現(xiàn)的以及采用同步校正,這也意味著在應(yīng)用中降低了成本(不需要外部二極管)。操作基于最大開啟時間-最小關(guān)閉時間控制,由電流定制限制設(shè)置為800mA。簡化的框圖如下所示。

工作原理
在L6920DB中,控制基于一個比較器,該比較器連續(xù)檢查輸出電壓。如果輸出電壓低于預(yù)期值,則控制功能為L6920DB將存儲在電感器中的能量傳輸?shù)截撦d。這就完成了在兩個基本步驟之間交替:
噸相:通過短路LX,能量從電池轉(zhuǎn)移到電感器節(jié)點通過N通道電源開關(guān)接地。如果電流電感器中的電流達到750mA或在最大接通時間設(shè)置為5μs后。
TOFF相:電感器中儲存的能量通過同步開關(guān)的最小關(guān)閉時間至少等于1μs。在此之后同步開關(guān)一旦輸出電壓低于調(diào)節(jié)后的電壓或電流在感應(yīng)器中流動會降到零。
因此,在輕載的情況下,設(shè)備工作在PFM模式下,如圖8所示:

考慮到電感器中的電流限制為800mA,最大負載電流為由以下關(guān)系定義:

式中η為效率,ILIM=750mA當然,如果ILOAD大于ILOAD iu LIM,則失去調(diào)節(jié)(圖8)

啟動
L6920DB的主要特點之一是在電源電壓降至0.8V時啟動(請請參見圖4中的圖表)。在啟動時,同步開關(guān)關(guān)閉,能量通過本征體二極管。由于內(nèi)部電荷泵用于偏置功率MOS柵。由于這種修改后的行為,TON/TOFF次數(shù)為加長的。電流限制和過零檢測仍然可用。
關(guān)閉
在關(guān)閉模式下(SHDN拉低),所有內(nèi)部電路都被關(guān)閉,從而最大限度地減少由電池提供的電流(典型情況下,ISHDN<100 nA)。兩個開關(guān)都被關(guān)閉,低電池比較器輸出被強制在高電平阻抗狀態(tài)。
同步開關(guān)體二極管在電源和在停機狀態(tài)下也不可避免的輸出。
低電量檢測
L6920DB包括一個低電池檢測器比較器。閾值為VREF電壓,并添加一個滯后,以避免輸入交叉時出現(xiàn)振蕩慢慢地進入門檻。LBO是開漏極輸出,因此需要一個上拉電阻器正確使用。
低電池輸入
可以使用外部電阻分壓器來固定LBO閾值,以適應(yīng)通過以下等式,在正確輸入源處進行LBO檢測:

反極性
為了避免L6920DB和電池的損壞,設(shè)計了保護電路電池插入錯誤時損壞。此外,該電路的設(shè)計使電池所需的電流為零也有相反的極性。如果電池可以反向插入,則應(yīng)使用非極化電容器安裝在C2位置。
輸出電壓選擇
必須選擇作用于FB引腳的輸出電壓。有三種選擇:固定3.3V,5V或通過外部電阻可調(diào)的輸出設(shè)置分隔線。

安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。(關(guān)于元器件價格請咨詢在線客服黃經(jīng)理:15382911663)
代理分銷品牌有:ADI_亞德諾半導體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導體/HDSC_華大半導體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導體/TD_TECHCODE美國泰德半導體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等
免責聲明:部分圖文來源網(wǎng)絡(luò),文章內(nèi)容僅供參考,不構(gòu)成投資建議,若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。
Copyright ? 2002-2023 深圳市安芯科創(chuàng)科技有限公司 版權(quán)所有 備案號:粵ICP備2023092210號-1