大范圍電源操作

“片上”700V V（BR）DSS功率MOS

65 kHz內(nèi)部振蕩器

2.5V±2%內(nèi)部基準(zhǔn)

待機(jī)模式，在輕載

過電流和閉鎖

過電壓保護(hù)

非耗散內(nèi)置啟動電路

滯后熱關(guān)機(jī)

斷電保護(hù)（SMD封裝僅限）

主要應(yīng)用

壁掛式電源高達(dá)15 W

AC-DC適配器

輔助電源：

-CRT和LCD顯示器（藍(lán)色天使）

-臺式PC/服務(wù)器

-傳真、電視、激光打印機(jī)

-家用電器/照明

線路卡，DC-DC轉(zhuǎn)換器

說明

L6590是采用BCD離線技術(shù)設(shè)計的單片開關(guān)穩(wěn)壓器，能夠工作輸入電壓范圍廣15W輸出功率。內(nèi)部電源開關(guān)是一個橫向功率MOSFET，典型的RDS（on）為13Ω最小電壓為700V的V（BR）DSS。

電氣特性（Tj=-25至125°C，Vcc=10V；除非另有規(guī)定）

電氣特性（續(xù)）

（1）相互跟蹤的參數(shù)

（2）參數(shù)由設(shè)計保證，未在生產(chǎn)中測試

（3）設(shè)計保證的參數(shù)，生產(chǎn)中測試的功能

申請信息

在以下章節(jié)中，功能塊以及設(shè)備最重要的內(nèi)部功能將被描述。

啟動電路

當(dāng)電路首次通電，且大容量電容器上的電壓足夠高時，內(nèi)部高壓電流發(fā)生器具有足夠的偏壓，可以開始運行，并通過變壓器的一次繞組和漏極引腳。大部分電流給連接在引腳Vcc（3）和地之間的旁路電容器充電，使其電壓線性上升。當(dāng)Vcc電壓達(dá)到啟動閾值（14.5V典型值）時，復(fù)位所有內(nèi)部邏輯后，芯片啟動運行時，內(nèi)部功率MOSFET可切換，內(nèi)部高壓發(fā)生器斷開連接。IC由儲存在Vcc電容器中的能量供電，直到自供電路（通常是變壓器的輔助繞組）產(chǎn)生足夠高的電壓來維持運行。當(dāng)集成電路運行時，通常由自供電繞組產(chǎn)生的電源電壓可以在16伏之間（過壓保護(hù)限值，見相關(guān)章節(jié)）和7 V，欠壓鎖定閾值。下面該值裝置關(guān)閉（內(nèi)部啟動發(fā)電機(jī)激活）。這兩個門檻跟蹤。Vcc引腳上的電壓被鉗位電路限制在安全值。它的17V閾值跟蹤過電壓保護(hù)閾值。

功率MOSFET與柵極驅(qū)動器

功率開關(guān)采用橫向N溝道MOSFET實現(xiàn)，其V（BR）DSS最小為700V，典型RDS（on）為13Ω。它有一個SenseFET結(jié)構(gòu)，允許幾乎無損的電流感應(yīng)（僅用于保護(hù)）。在低電源的不連續(xù)導(dǎo)電模式下運行時，漏極電壓很可能低于地面。開關(guān)周圍的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可防止注入IC基板的任何風(fēng)險。功率MOSFET的柵極驅(qū)動器設(shè)計用于在導(dǎo)通和關(guān)閉以最小化共模EMI。在UVLO條件下，內(nèi)部下拉電路將柵極保持在較低水平，以確保功率MOS  FET不會意外打開。

振蕩器和PWM控制

PWM調(diào)節(jié)是通過實現(xiàn)電壓模式控制來實現(xiàn)的。如圖33所示，該塊包括振蕩器、PWM比較器、PWM鎖存器和誤差放大器。振蕩器以內(nèi)部固定在65 kHz的頻率工作，精度為±10%。最大負(fù)荷循環(huán)限制在70%典型值。PWM鎖存器（復(fù)位為主）由振蕩器的時鐘脈沖設(shè)置，并由PWM通信分配器或過流比較器復(fù)位。誤差放大器（E/A）是一種具有MOS輸入級和AB類輸出級的運算放大器。放大器是補(bǔ)償了單位增益下的閉環(huán)穩(wěn)定性，具有70 dB（典型）的小信號直流增益和1 MHz以上的增益帶寬積。在過電流的情況下，誤差放大器輸出飽和高，功率MOSFET的導(dǎo)通由OCP比較器而不是PWM比較器停止。在零負(fù)載條件下，誤差放大器接近其低飽和，而柵極驅(qū)動器的輸出也很短盡可能的脈沖，受到內(nèi)部延遲的限制。但是它們太長，無法維持長期的能量平衡，因此，有時需要跳過一些周期，從而使操作變得異步。這是由控制回路自動完成的。

備用功能

備用功能針對反激拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化，可自動檢測轉(zhuǎn)換器的輕負(fù)載情況并降低振蕩器頻率。當(dāng)輸出負(fù)載累積并超過定義的閾值。此功能允許最小化與開關(guān)頻率相關(guān)的功率損耗，開關(guān)頻率是損耗的主要部分在輕負(fù)載的反激中，不放棄在重負(fù)載下較高開關(guān)頻率的優(yōu)點。備用功能通過監(jiān)測電源開關(guān)中的峰值電流來實現(xiàn)。如果負(fù)荷很低的話未達(dá)到閾值（80 mA典型值），振蕩器頻率將設(shè)置為22 kHz（典型值）。當(dāng)負(fù)載需要更大的功率，并且一次電流峰值超過第二個閾值（190毫安典型值）時振蕩器頻率重置為65 kHz。這種110毫安的遲滯可以防止意外的頻率變化功率使峰值電流接近任一閾值。來自檢測電路的信號經(jīng)過數(shù)字濾波，以避免由于負(fù)載變化大或噪音大。

斷電保護(hù)（僅限L6590D）

斷電保護(hù)基本上是一種非鎖定設(shè)備關(guān)閉功能。它通常用于檢測電源欠壓（斷電）。這種情況可能導(dǎo)致主電源部分過熱，原因是超過均方根電流。

另一個問題是在變頻器斷電期間，如果輸入電壓緩慢衰減（例如，使用大容量輸入電容器），這會導(dǎo)致輸出電壓不會衰減到零單聲道的。變頻器的關(guān)閉可以用L6590D通過一個內(nèi)部比較器來完成用于感應(yīng)輸入電容器上的電壓。該比較器內(nèi)部參考2.5V和如果在其外部可用的非逆變輸入端施加的電壓低于參考值，則禁用PWM。當(dāng)針腳處的電壓高于2.5伏時，PWM操作重新啟用。brownout比較器配備有電流滯環(huán)，而不是更常見的電壓滯后：只要施加在非反相輸入端的電壓超過2.5V，內(nèi)部50μa電流發(fā)生器就會開啟如果電壓低于2.5V，則關(guān)閉。此方法提供了額外的自由度：可以設(shè)置通過適當(dāng)選擇外部分壓器的電阻，分別設(shè)置開閾值和關(guān)閾值，這是不可能的電壓滯后。

過電壓保護(hù)

集成電路集成了一個過電壓保護(hù)（OVP），它對保護(hù)轉(zhuǎn)換器和針對電壓反饋回路故障的負(fù)載。這種故障會導(dǎo)致輸出電壓在沒有如果處理不當(dāng)，很容易導(dǎo)致負(fù)載和轉(zhuǎn)換器本身的損壞。如果發(fā)生這樣的事件，由為集成電路供電的輔助繞組產(chǎn)生的電壓將向上飛去輸出電壓。內(nèi)部比較器持續(xù)監(jiān)控Vcc電壓并停止IC，如果電壓超過16.5 V，則該狀態(tài)被鎖定并保持，直到Vcc電壓降至UVLO閾值。然后轉(zhuǎn)換器將間歇性工作。

過電流保護(hù)

該裝置采用逐脈沖限流進(jìn)行過流保護(hù)（OCP），以防止過應(yīng)力內(nèi)部MOSFET的：它的電流在導(dǎo)通時間被監(jiān)測，如果它超過了一個確定的值，則傳導(dǎo)立即終止。MOSFET將在隨后的開關(guān)周期中再次打開。如前所述，內(nèi)部功率mosfet有一個SenseFET結(jié)構(gòu)：一些單元的源是連接在一起并與其他電源連接分開，以實現(xiàn)1:100分流器。所述“感測”部分連接到具有低熱系數(shù)的地基準(zhǔn)感測電阻器。這個OCP比較器感測通過感測電阻的電壓降，如果電壓降超過閾值，則重置PWM鎖存器，從而關(guān)閉MOSFET。這樣，過電流閾值被設(shè)置為約0.65 A

（典型值）。

在開啟時，由于寄生電容的放電，以及在持續(xù)導(dǎo)通模式運行的情況下，次級二極管反向恢復(fù)會產(chǎn)生較大的電流尖峰，這可能會錯誤地觸發(fā)OCP比較器。為了提高抗擾度，OCP比較器的輸出被短時間屏蔽（約120納秒）在MOSFET接通后，此時隙內(nèi)的任何干擾都會被抑制（導(dǎo)邊消隱）。

熱關(guān)機(jī)

可避免因功率過大或散熱不足而導(dǎo)致的設(shè)備過熱熱關(guān)機(jī)功能。熱傳感器監(jiān)測功率MOSFET附近的結(jié)溫并且，當(dāng)溫度超過150°C（最小值）時，設(shè)置一個警報信號，停止設(shè)備的運行。這是一個非鎖存功能，當(dāng)溫度下降約40°C時，功率MOSFET重新啟用。

　　安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價格請咨詢在線客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責(zé)聲明：部分圖文來源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。