舊燈或損壞燈的啟動(dòng)順序

當(dāng)一個(gè)舊燈連接到鎮(zhèn)流器上時(shí)，沖擊電壓高于標(biāo)稱(chēng)值電壓也可能高于安全閾值。在這種情況下，燈可能會(huì)在比點(diǎn)火時(shí)間長(zhǎng)或不點(diǎn)火的時(shí)間。在這兩種情況下，在點(diǎn)火期間，由于頻率降低，鎮(zhèn)流器輸出端的電壓很容易達(dá)到危險(xiǎn)值。如果燈管破裂，也會(huì)發(fā)生同樣的情況：燈不能點(diǎn)火，燈電壓必須加以限制。在點(diǎn)火期間，L6585DE通過(guò)感測(cè)器感應(yīng)流入燈內(nèi)的電流電阻器連接到HBCS引腳。如果HBCS引腳電壓達(dá)到1.6 V，則少量電流從EOI引腳下沉，導(dǎo)致頻率小幅增加。這個(gè)頻率從宏觀上講，修改的結(jié)果是頻率調(diào)節(jié)，因此產(chǎn)生電流調(diào)節(jié)和燈電壓限制。一旦HBCS引腳電壓達(dá)到1.6 V，TCH引腳就開(kāi)始充電Cd:當(dāng)TCH電壓達(dá)到4.63V，TCH引腳不再自由（如在預(yù)熱期間），但是下沉26ua，導(dǎo)致Cd更快的釋放。當(dāng)TCH電壓達(dá)到1.5 V時(shí)，引腳下拉并檢查HBCS電壓。如果電壓高于1.05 V，則IC停止工作。如果燈在這個(gè)縮短的TCH周期內(nèi)點(diǎn)火，EOI引腳停止下沉電流，如果達(dá)到1.9 V時(shí)，IC進(jìn)入運(yùn)行模式，TCH引腳立即被拉下。

值得注意的是，縮短的TCH周期時(shí)間僅取決于Cd值。它是建議從選擇Cd開(kāi)始，以獲得保護(hù)時(shí)間，然后可以繼續(xù)選擇Rd以獲得所需的TPRE

運(yùn)行模式下的舊燈管理

在運(yùn)行模式下，舊燈可能會(huì)出現(xiàn)三種不同的異常行為：

整流效果

過(guò)流

硬交換事件

整流效果

整流效果與二者歐姆電阻的差異增大有關(guān)陰極。因此，當(dāng)燈電流流入時(shí)，燈的等效電阻更高一個(gè)方向比另一個(gè)方向。電流波形失真燈電流不再為零。下線引腳是內(nèi)部窗口比較器的輸入它可以由整流效應(yīng)引起的電壓變化觸發(fā)。這個(gè)比較器的基準(zhǔn)和窗口的振幅可以通過(guò)連接來(lái)設(shè)置下表所示的EOLP引腳的合適電阻器：

該比較器的參考電壓可以設(shè)置為固定電壓或與中心銷(xiāo)。當(dāng)連接燈時(shí)，可使用固定參考配置（見(jiàn)圖12）接地，需要兩個(gè)齊納二極管來(lái)移動(dòng)燈的平均值電壓為2.5V。兩個(gè)齊納值影響干涉的對(duì)稱(chēng)性保護(hù)：選擇兩個(gè)差值等于兩倍參考電壓：

VUP=VREF+VZ2+VF1+W/2

VDOWN=VREF–（VZ1+VF2）–W/2

VUP=-V下

2 VREF=VZ1−VZ2

其中VUP和VDOWN是VK的最大允許值當(dāng)燈連接在扼流圈和閉鎖電容器采用塊狀電容器對(duì)地配置。在這個(gè)配置阻斷電容器上的電壓受到電壓紋波的影響疊加在PFC輸出上。使用受同一波紋影響的引用有助于拒絕它，避免比較器過(guò)早觸發(fā)。一旦觸發(fā)比較器，Tch循環(huán)開(kāi)始，以改善噪聲免疫。

過(guò)電流保護(hù)

過(guò)流和硬開(kāi)關(guān)事件的出現(xiàn)與對(duì)稱(chēng)增加兩個(gè)陰極的歐姆電阻。整體效果會(huì)導(dǎo)致增加了燈的等效電阻，并對(duì)共振網(wǎng)絡(luò)的共振曲線（見(jiàn)圖14）。

共振峰值的增加會(huì)導(dǎo)致由L6585DE管理的過(guò)電流與點(diǎn)火模式相同，但限制閾值和檢查閾值分別為1.05伏和0.82伏。

硬開(kāi)關(guān)保護(hù)

當(dāng)FRUN等于共振曲線的峰值時(shí)，半橋所看到的荷載為純粹的電阻。在這種情況下，零電壓開(kāi)關(guān)不再存在，而MOSFET打開(kāi)時(shí)會(huì)出現(xiàn)高電流尖峰。HBCS引腳處的電壓顯示這些峰值其電壓值可以大于3V，持續(xù)時(shí)間取決于諧振頻率和工作頻率為。典型值為40納秒左右200納秒。這些尖峰可能會(huì)使MOSFET過(guò)熱，但如果正確檢測(cè)到，可以防止在共振頻率以下工作的風(fēng)險(xiǎn)（電容模式）。L6585DE可以通過(guò)HBCS引腳上的2.75 V閾值來(lái)檢測(cè)這些尖峰如果檢測(cè)到350（典型）后續(xù)峰值，則關(guān)閉IC的計(jì)數(shù)器。這種保護(hù)在預(yù)熱和點(diǎn)火過(guò)程中都是空白的。

扼流圈飽和保護(hù)

鎮(zhèn)流器扼流圈飽和意味著非常高的電流流入諧振網(wǎng)絡(luò)和共振曲線的幾乎瞬間修改發(fā)生在工作點(diǎn)立即處于電容模式。電容模式下的穩(wěn)定運(yùn)行嚴(yán)重?fù)p壞壓艙物。

因此，在點(diǎn)火和運(yùn)行模式下，連接到HBCS引腳的比較器激活閾值分別等于2.75 V和1.6 V。它感應(yīng)到在鎮(zhèn)流器感應(yīng)電阻，并立即鎖定在低消耗模式的IC。寬度觸發(fā)峰值在200ns以上。這保證了在運(yùn)行模式下切換事件（典型持續(xù)時(shí)間在40 ns到100 ns之間）不能觸發(fā)比較器。然而，硬開(kāi)關(guān)保護(hù)和抗飽和保護(hù)還不夠完善獨(dú)立的。關(guān)于脈沖寬度，我們可以指出四個(gè)不同的區(qū)域：

（a） 持續(xù)時(shí)間小于40ns的尖峰：（噪聲區(qū)）無(wú)保護(hù)觸發(fā)。

（b） 持續(xù)時(shí)間在40納秒和100納秒之間的尖峰：（HSw區(qū)域）僅硬開(kāi)關(guān)保護(hù)將在大約420個(gè)事件后激活。

（c） 持續(xù)時(shí)間在100ns和200ns之間的尖峰：（不確定區(qū)域）硬開(kāi)關(guān)保護(hù)動(dòng)作，也可抗飽和保護(hù)激活，這可能導(dǎo)致硬開(kāi)關(guān)保護(hù)的早期激活或延遲啟動(dòng)抗飽和保護(hù)（在這種情況下阻塞不會(huì)太深）。

（d） 持續(xù)時(shí)間超過(guò)200ns的尖峰：（ASP區(qū)）抗飽和保護(hù)一定會(huì)在第一次活動(dòng)時(shí)激活。

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