特征

PFC部分

–帶過電流的過渡模式PFC

保護(hù)

–過電壓保護(hù)

–反饋斷開

–欠壓鎖定

–PFC扼流圈飽和檢測

–THD優(yōu)化器

半橋段

–預(yù)熱和點(diǎn)火階段

獨(dú)立可編程

–3%振蕩器精度

–1.2μs死區(qū)時(shí)間

–可編程和精確的壽命終止

保護(hù)符合所有鎮(zhèn)流器

配置

–智能硬交換檢測

–帶扼流圈的快速點(diǎn)火電壓控制

飽和檢測

–半橋過流控制

電氣特性

VCC=15 V，TA=25°C，CL=1 nF，COSC=470 pF，RRUN=47 kΩ，除非另有規(guī)定

1.跟蹤中的參數(shù)

2.統(tǒng)計(jì)特性在-125°C的溫度范圍內(nèi)相關(guān)性

3.脈沖串已發(fā)送至HBCS引腳，f=6 kHz；脈沖持續(xù)時(shí)間為注釋中所示的“TON”

設(shè)備說明

L6585DE嵌入了高性能PFC控制器、鎮(zhèn)流器控制器和所有制造電子鎮(zhèn)流器所需的相關(guān)驅(qū)動(dòng)程序。PFC部分實(shí)現(xiàn)在過渡模式下運(yùn)行的電流模式控制，提供高線性倍增器包括一個(gè)THD優(yōu)化器，允許極低的THD，甚至在大范圍的輸入電壓和負(fù)載條件下。PFC輸出電壓由電壓模式誤差放大器和精確的內(nèi)部電壓基準(zhǔn)。鎮(zhèn)流器控制器為設(shè)計(jì)者提供了一個(gè)非常精確的振蕩器，一個(gè)管理所有的邏輯

操作步驟和全套保護(hù)功能：

可編程壽命終止檢測，符合燈對(duì)地和電容器對(duì)地配置

具有限流或扼流飽和保護(hù)的過流保護(hù)

硬交換事件檢測

PFC（300毫安電源和600毫安接收器）和半橋（290毫安源和480毫安匯）也允許鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)非常高的輸出功率（高達(dá)160瓦）。

VCC部分

L6585DE通過在VCC引腳和GND引腳之間施加電壓供電。欠電壓鎖定（UVLO）可防止IC在電源電壓過低的情況下工作保證內(nèi)部結(jié)構(gòu)的正確行為。內(nèi)部電壓鉗位將電壓限制在17伏左右，可提供高達(dá)20毫安的電流。為這是因?yàn)樗荒苤苯佑米麟姾杀玫你Q位（電流峰值通常為達(dá)到幾百毫安），但可以很容易地在啟動(dòng)時(shí)使用，以便為VCC電容器或在保存模式下，以保持IC的活性，例如，連接通過VCA輸入電阻。除了體積電容器（>1μF），建議放置100 nF陶瓷電容器靠近VCC引腳。

PFC部分

TM PFC操作

PFC階段包含實(shí)現(xiàn)過渡模式PFC所需的所有特性控制器

由于高性能的誤差放大器和非常精確的內(nèi)部電壓基準(zhǔn)，將E/A的非逆變輸入固定到2.52 V±2%。控制回路作出反應(yīng)，使逆變輸入達(dá)到相同的電壓。連接高壓軌至INV引腳，通過分壓器，輸出電壓為容易設(shè)置。E/A的輸出可用于用RC補(bǔ)償控制回路網(wǎng)絡(luò)，或者更常見的是，在INV和COMP引腳之間連接一個(gè)簡單的電容器。E/A的輸出電壓也被饋送給乘法器。此塊將波形倍增通過E/A的輸出出現(xiàn)在多引腳上。產(chǎn)生的電壓將用作電流感應(yīng)輸入的閾值。內(nèi)部夾將閾值限制為最大值值等于1 V。圖5給出了倍增器的特性曲線。

ZCD輸入可以直接連接到PFC扼流圈的輔助繞組當(dāng)扼流圈電流為零時(shí)，開啟MOSFET。此銷有內(nèi)部卡箍高電流能力，使它能適應(yīng)非常寬的輸入電壓范圍。啟動(dòng)時(shí)，當(dāng)PFC扼流圈未通電時(shí)，內(nèi)部起動(dòng)器向重復(fù)頻率約為15千赫的PFC門驅(qū)動(dòng)器。當(dāng)電流達(dá)到閾值時(shí)關(guān)閉MOSFET并打開當(dāng)扼流圈電流達(dá)到零時(shí)，一種三角形輸入電流，其峰值為得到了由多電壓調(diào)制的結(jié)果。用電源給MULT pin供電實(shí)現(xiàn)了功率因數(shù)校正和THD降低。

前緣下料

通常電流感應(yīng)電壓是通過RC網(wǎng)絡(luò)過濾的，以避免錯(cuò)誤由于與寄生漏極有關(guān)的放電電流而關(guān)閉MOSFETMOSFET導(dǎo)通時(shí)間開始時(shí)的電容。此篩選生成在實(shí)際的閾值交叉和輸入觸發(fā)之間的延遲。在此期間PFC電感器電流增加，扼流圈可能飽和。前沿空白結(jié)構(gòu)使PFCC輸入僅在PFG開啟后200 ns（典型值）后激活。這個(gè)允許使用飽和電流較低的電感器。但是，如果發(fā)生飽和，則扼流圈飽和保護(hù)一旦引腳PFCC處的電壓達(dá)到1.7V以上。

THD優(yōu)化器功能

當(dāng)輸入電壓通過零時(shí)，PFC扼流圈不能儲(chǔ)存能量，因?yàn)樗碾妷汉艿汀＿@可能導(dǎo)致嚴(yán)重的交叉失真和隨后的THD降解。一個(gè)小的偏移電壓疊加在MULT電壓上可以降低這個(gè)問題。內(nèi)部THD優(yōu)化器提高了電源電壓達(dá)到時(shí)的性能零；這減少了交叉失真并避免了偏移的引入。

過電壓保護(hù)

可以檢測到兩種不同的過電壓保護(hù)：動(dòng)態(tài)過電壓，通常是由于由于輸入電壓過大，負(fù)載快速過渡和靜態(tài)過電壓。

動(dòng)態(tài)OVP

CTR引腳通過分壓器連接到高壓軌。如果電壓在此引腳高于3.4 V，PFC柵極驅(qū)動(dòng)器將停止，直到電壓返回到低于門檻。這限制了扼流飽和和MOSFET損壞的風(fēng)險(xiǎn)。

靜態(tài)OVP

穩(wěn)定的過電壓可能會(huì)導(dǎo)致兩個(gè)PFC的異常行為（例如，因?yàn)檩斎腚妷焊哂赑FC輸出電壓）和鎮(zhèn)流器（例如過熱、燈過電流，電容模式工作點(diǎn)）。穩(wěn)定的過電壓會(huì)導(dǎo)致補(bǔ)償銷向低飽和（約2.25 V）過渡。事實(shí)是L6585DE認(rèn)為是靜態(tài)過電壓事件，啟動(dòng)Tch循環(huán)。在這個(gè)循環(huán)之后，如果COMP引腳飽和低，則IC被鎖定在低消耗狀態(tài)

模式。

禁用L6585DE

CTR引腳可用于在不斷開電源的情況下關(guān)閉IC。當(dāng)CTR為拉到0.75 V以下，IC停止，內(nèi)部邏輯復(fù)位。當(dāng)CTR解除時(shí)，IC從新的預(yù)熱順序開始。此功能僅在IC不可用時(shí)可用由于故障保護(hù)干預(yù)而鎖定。

保護(hù)反饋斷開

非常快的輸出電壓浪涌可能會(huì)損壞分壓器的上部電阻器輸入INV引腳，導(dǎo)致反饋斷開。在這種情況下，E/A飽和很高PFC柵極驅(qū)動(dòng)可以長時(shí)間開啟MOSFET（電流感應(yīng)閾值假設(shè)其最大值等于1 V），扼流圈可能飽和，從而破壞MOSFET。輸出電壓增長很快，即使過電壓過電壓也可能達(dá)到很高的值觸發(fā)。如果VINV<1.2 V且觸發(fā)動(dòng)態(tài)過電壓保護(hù)，則激活反饋斷開保護(hù)。

PFC過流保護(hù)

在PFC扼流圈飽和或來自輸入端的浪涌，由于MOSFET體二極管的擊穿。后一種情況是觀察到PFC輸出的過電壓。在這兩種情況下，PFC階段停止，而HB階段繼續(xù)切換。這個(gè)保護(hù)未鎖定：一旦PFCC降至1.7 V以下，PFC驅(qū)動(dòng)器重新啟動(dòng)。

道碴斷面

半橋驅(qū)動(dòng)器和集成自舉二極管

半橋驅(qū)動(dòng)器能夠提供290毫安源電流和480毫安匯電流。這使得他們能夠有效地驅(qū)動(dòng)大的MOSFETs Cg高達(dá)2.2nf。高邊MOSFET是采用自舉結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)，減少了外部組件的數(shù)量。

正常啟動(dòng)說明

參考圖7，正常啟動(dòng)過程如下：

1.啟動(dòng)：一旦Vcc達(dá)到啟動(dòng)閾值，電壓參考值就建立起來，RF和EOLP引腳偏置，EOI引腳被拉下，TCH引腳啟動(dòng)源電流為31μA。半橋的頻率由內(nèi)部CCO產(chǎn)生，接COSC，用射頻電流作為控制信號(hào)。使用EOI引腳拉低，啟動(dòng)頻率將由于電流與RPRE和RRUN（見典型應(yīng)用圖）。

2.預(yù)熱：TCH引腳繼續(xù)供電31μA，直到電壓達(dá)到4.63 V，因此它處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。因?yàn)檫@個(gè)銷裝了一個(gè)RC平行線網(wǎng)絡(luò)，這個(gè)引腳上的電壓呈指數(shù)下降。當(dāng)電壓達(dá)到1.5 V時(shí)TCH引腳被拉下，預(yù)熱時(shí)間結(jié)束。在此過程中，EOI引腳下拉，半橋頻率為啟動(dòng)頻率。邊緣消隱在這段時(shí)間內(nèi)處于活動(dòng)狀態(tài)，以避免檢測到硬開關(guān)事件，在這個(gè)階段非常常見。

3.點(diǎn)火：在TCH循環(huán)結(jié)束時(shí)，EOI引腳在高阻抗模式下保持空閑。因此，連接在EOI和地面之間的電容器通過射頻進(jìn)行充電RPRE。射頻管腳產(chǎn)生的電流呈指數(shù)下降，頻率和它一起。開關(guān)頻率的指數(shù)下降導(dǎo)致線性增加指示燈電壓。當(dāng)燈電壓達(dá)到?jīng)_擊值時(shí)，燈點(diǎn)火。點(diǎn)火時(shí)間由RPRE和CIGN的值設(shè)置。點(diǎn)火電流控制保護(hù)、抗鎮(zhèn)流器扼流飽和保護(hù)和前緣消隱全部激活。

4.運(yùn)行模式：當(dāng)EOI電壓達(dá)到1.9V時(shí)，IC進(jìn)入運(yùn)行模式，并且開關(guān)頻率僅由RRUN設(shè)置。電流控制保護(hù)和抗鎮(zhèn)流器扼流圈飽和現(xiàn)在激活，閾值較低，前緣消隱無效激活并激活快速硬開關(guān)檢測器。

振蕩器特性曲線表示半橋頻率與

射頻引腳和接地之間的電阻R。在預(yù)熱過程中，R等于RRUN in與RPRE并行，而在運(yùn)行模式R等于RRUN。每條曲線都與COSC電容器和的值如圖10所示。COSC值在引腳1（OSC）和15（GND）之間測量；對(duì)于其他電容器數(shù)值請(qǐng)參考AN2870。在預(yù)熱和運(yùn)行模式下，R的正確值可以通過圖形方式找到與所選電容器和分別為FPRE和FRUN的曲線

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