特征

用于同步整流的雙MOSFET驅(qū)動(dòng)器

轉(zhuǎn)換器

快速外部MOSFET的高驅(qū)動(dòng)電流

切換

集成自舉二極管

高頻操作

啟用引腳

自適應(yīng)死區(qū)管理

柔性門(mén)驅(qū)動(dòng)器：5 V至12 V兼容

輸出的高阻抗（HiZ）管理

階段停堆

初步OV保護(hù)

SO-8和DFN10 3x3包

應(yīng)用

臺(tái)式機(jī)/服務(wù)器用大電流VRM/VRD/工作站CPU

大電流、高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器

說(shuō)明

L6743、L6743Q是一款靈活的高頻雙驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)N通道同步整流mosfet巴克拓?fù)洹＝Y(jié)合ST PWM控制器，驅(qū)動(dòng)器允許實(shí)施完整的電壓調(diào)節(jié)器現(xiàn)代大電流CPU和DCDC轉(zhuǎn)換一般。L6743、L6743Q為兩個(gè)高壓側(cè)嵌入大電流驅(qū)動(dòng)器以及低邊MOSFET。設(shè)備接受靈活的電源（5 V至12 V）可優(yōu)化高壓側(cè)和低壓側(cè)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓最大化系統(tǒng)效率。內(nèi)置自舉二極管，節(jié)省使用外部二極管。反射穿管理避免了高的一面和低的一面MOSFET同時(shí)傳導(dǎo)，結(jié)合自適應(yīng)死區(qū)控制，最小化LS體二極管傳導(dǎo)時(shí)間。L6743、L6743Q嵌入初步OV保護(hù)：在Vcc克服UVLO和當(dāng)器件在HiZ中時(shí)，LS-MOSFET是打開(kāi)以保護(hù)負(fù)載以防輸出電壓克服警告閾值保護(hù)針對(duì)HS故障的輸出。可用的驅(qū)動(dòng)程序?yàn)镾O-8和DFN10 3x3包裝

電氣特性

表5。電氣特性

（VCC=12 V±15%，TJ=0°C至70°C，除非另有規(guī)定）

設(shè)備說(shuō)明和操作

L6743、L6743Q為高壓側(cè)和低壓側(cè)提供大電流驅(qū)動(dòng)控制N溝道m(xù)osfet作為外部驅(qū)動(dòng)的降壓DC-DC變換器連接PWM信號(hào)。集成的大電流驅(qū)動(dòng)器允許使用不同類(lèi)型的電源MOSFET（也是多個(gè)MOS以減少等效的RDS（on）），保持快速開(kāi)關(guān)過(guò)渡。高壓側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器使用啟動(dòng)引腳供電，相位引腳用于返回。低側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器使用VCC引腳供電，PGND引腳用于返回。該驅(qū)動(dòng)器采用了反擊穿和自適應(yīng)死區(qū)控制，以盡量減少低側(cè)體二極管的傳導(dǎo)時(shí)間，保持良好的效率，節(jié)省了肖特基的使用

二極管：當(dāng)高壓側(cè)MOSFET關(guān)閉時(shí)，其源電壓開(kāi)始下降；何時(shí)電壓達(dá)到2v左右時(shí)，突然施加低壓MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)?shù)蛡?cè)MOSFET關(guān)閉時(shí)，檢測(cè)LGATE引腳上的電壓。當(dāng)它掉下來(lái)的時(shí)候在大約1v以下，高壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓突然被施加。如果電感器中的電流為負(fù)，高側(cè)MOSFET的源永遠(yuǎn)不會(huì)下降。即使在這種情況下，為了允許低側(cè)MOSFET導(dǎo)通，

看門(mén)狗控制器啟用：如果高側(cè)MOSFET的源沒(méi)有下降，那么低側(cè)MOSFET是打開(kāi)，使感應(yīng)器的負(fù)電流再循環(huán)。這個(gè)機(jī)制即使電流為負(fù)，也允許系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)節(jié)。在VCC克服UVLO閾值之前，L6743、L6743Q始終牢牢關(guān)閉高側(cè)和低壓側(cè)MOSFET，然后，在UVLO被越過(guò)之后，EN和PWM輸入控制駕駛員的操作。EN pin啟用驅(qū)動(dòng)程序：如果低將保持所有MOSFET關(guān)閉（HiZ），與PWM狀態(tài)無(wú)關(guān)。當(dāng)EN為高電平時(shí)，PWM輸入

接受控制：如果保持浮動(dòng)，內(nèi)部電阻分壓器設(shè)置HiZ狀態(tài)：兩者M(jìn)OSFET在PWM轉(zhuǎn)換之前一直處于關(guān)閉狀態(tài)。在UVLO穿越后和在HiZ時(shí)，初步的OV保護(hù)被激活：如果電壓感應(yīng)通過(guò)相位引腳克服約1.8伏，低側(cè)MOSFET是鎖緊，以保護(hù)負(fù)載免受危險(xiǎn)的過(guò)電壓。驅(qū)動(dòng)程序狀態(tài)為從PWM轉(zhuǎn)換復(fù)位。

驅(qū)動(dòng)電源以及電源轉(zhuǎn)換輸入靈活：5V和12V均可選擇高邊和低邊MOSFET電壓驅(qū)動(dòng)。

高阻抗（HiZ）管理

驅(qū)動(dòng)器能夠通過(guò)保持所有mosfet處于關(guān)閉狀態(tài)來(lái)管理高阻抗?fàn)顟B(tài)兩種不同的方式。

如果EN信號(hào)被拉低，裝置將保持所有MOSFET關(guān)閉，忽略PWM狀態(tài)。

當(dāng)EN被斷言時(shí)，如果PWM信號(hào)在HiZ窗口中保持較長(zhǎng)時(shí)間

在等待時(shí)間之外，設(shè)備檢測(cè)到HiZ狀態(tài)，因此關(guān)閉所有莫斯費(fèi)茨。HiZ窗口定義為包含在VPWM_IL和VPWM_IH。只有在PWM轉(zhuǎn)換到邏輯零（VPWM）后，設(shè)備才從HiZ狀態(tài)退出<VPWM_-IL）。有關(guān)HiZ計(jì)時(shí)的詳細(xì)信息，請(qǐng)參見(jiàn)圖4。高阻抗?fàn)顟B(tài)的實(shí)現(xiàn)允許將要連接的控制器給驅(qū)動(dòng)器管理其輸出的高阻抗?fàn)顟B(tài)，避免產(chǎn)生負(fù)極在關(guān)閉階段調(diào)節(jié)電壓不足。而且，不同可以管理電源管理狀態(tài)，例如預(yù)偏壓?jiǎn)?dòng)。

初步OV保護(hù)

在VCC克服其UVLO閾值后，在HiZ中，L6743、L6743Q激活初步OV保護(hù)。這種保護(hù)的目的是保護(hù)負(fù)載，尤其是高側(cè)MOSFET故障在系統(tǒng)啟動(dòng)期間。事實(shí)上，VRM，以及更一般的PWM控制器，有一個(gè)12伏總線(xiàn)兼容開(kāi)啟閾值，如果VCC低于該開(kāi)啟閾值（結(jié)果在約10 V范圍內(nèi)），則不工作。如果是高側(cè)MOSFET如果出現(xiàn)故障，控制器在VCC=~10 V之前不會(huì)識(shí)別過(guò)電壓（除非其他特殊功能實(shí)現(xiàn)）：但在這種情況下，輸出電壓已經(jīng)是相同的電壓（~10V）和負(fù)載（大多數(shù)情況下是CPU）已經(jīng)燒毀。L6743、L6743Q通過(guò)鎖定低壓側(cè)MOSFET旁路PWM控制器在HiZ狀態(tài)下，相pin電壓超過(guò)2v。當(dāng)PWM輸入退出窗體時(shí)HiZ窗口，保護(hù)復(fù)位，輸出電壓控制轉(zhuǎn)移至控制器連接到PWM輸入。因?yàn)轵?qū)動(dòng)程序有自己的UVLO閾值，一種簡(jiǎn)單的方法來(lái)為當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，所有條件下的輸出包括通過(guò)5 VSB總線(xiàn)：5 VSB始終出現(xiàn)在任何其他電壓之前，并且，如果是高壓側(cè)總之，低側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)5v，確保負(fù)載的可靠保護(hù)。初步OV在UVLO之后激活，當(dāng)駕駛員處于HiZ狀態(tài)且被禁用時(shí)在第一次PWM轉(zhuǎn)換后。控制器必須管理它的輸出電壓時(shí)間到了。

內(nèi)部啟動(dòng)二極管

L6743，L6743Q嵌入一個(gè)啟動(dòng)二極管，為高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器供電，節(jié)省了使用外部組件。只需在啟動(dòng)和相位之間連接一個(gè)外部電容器完成高壓側(cè)電源連接。為了防止自舉電容器因大的負(fù)尖峰而產(chǎn)生額外的電荷，串聯(lián)至?xí)r可能需要外部串聯(lián)電阻RBOOT（在幾歐姆范圍內(nèi)）后備箱銷(xiāo)。需要設(shè)計(jì)自舉電容器，以顯示由于高側(cè)MOSFET開(kāi)啟。事實(shí)上，它必須給高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器提供穩(wěn)定的電壓供應(yīng)在MOSFET的開(kāi)啟過(guò)程中，還可以最大限度地減少嵌入式啟動(dòng)所消耗的功率二極管。圖5給出了一些關(guān)于如何為根據(jù)所需放電和選擇的MOSFET引導(dǎo)。

功率損耗

L6743，L6743Q為高側(cè)和低側(cè)MOSFET嵌入了高電流驅(qū)動(dòng)器：是的然后重要的是要考慮設(shè)備在驅(qū)動(dòng)它們的過(guò)程中所消耗的能量以避免克服最高結(jié)工作溫度。影響器件功耗的主要因素有兩個(gè)：偏置功率和驅(qū)動(dòng)器功率。

裝置（PDC）的功耗取決于裝置的靜態(tài)功耗提供引腳，可簡(jiǎn)單量化如下：

司機(jī)電源是指司機(jī)連續(xù)開(kāi)關(guān)所需的電能外部mosfet，它是開(kāi)關(guān)頻率和總柵電荷的函數(shù)所選的MOSFET。考慮到總功率PSW可以量化開(kāi)關(guān)損耗的mosfet主要有三個(gè)因素：外柵極電阻（如果存在）、本征MOSFET電阻和本征驅(qū)動(dòng)器電阻。最后一項(xiàng)是計(jì)算器件功率需要確定的重要項(xiàng)消散。

開(kāi)關(guān)MOSFET所消耗的總功率結(jié)果：PDC VCC ICC VPVCC IPVCC=⋅PSW F=SW⋅QGHS⋅PVCC+QGLS

在設(shè)計(jì)基于L6743、L6743Q的應(yīng)用程序時(shí)，建議考慮考慮外部柵極電阻對(duì)驅(qū)動(dòng)器消耗功率的影響。外部柵極電阻有助于器件耗散開(kāi)關(guān)功率，因?yàn)楣β蔖SW將在內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器阻抗和外部電阻器之間共享導(dǎo)致設(shè)備普遍冷卻。參考圖6，典型的MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以用推挽輸出來(lái)表示采用兩種不同的MOSFET級(jí)：P-MOSFET驅(qū)動(dòng)外柵極高，N  MOSFET驅(qū)動(dòng)外柵極低（使用自己的RD（on）：Rhi峎HS、Rlo峎HS、Rhi峎LS，跑道）。在這種情況下，外部功率MOSFET可以用電容來(lái)表示（CG_-HS，CG-LS）存儲(chǔ)外部電源所需的柵極電荷（QG-HS，QG-uls）MOSFET達(dá)到驅(qū)動(dòng)電壓（HS為PVCC，LS為VCC）。這個(gè)電容是以驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)頻率FSW充放電。總功率Psw在沿行駛路徑。根據(jù)外柵電阻和功率MOSFET的本征特性柵極電阻，驅(qū)動(dòng)器僅耗散Psw的一部分，如下所示：

布局指南

L6743、L6743Q提供驅(qū)動(dòng)能力，以實(shí)現(xiàn)大電流降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。為這些應(yīng)用程序放置組件時(shí)的第一個(gè)優(yōu)先級(jí)必須保留給電源部分，盡可能減少每個(gè)連接和回路的長(zhǎng)度。到盡量減少噪音和電壓尖峰（也包括EMI和損耗）電源連接必須是一部分一個(gè)電源平面和無(wú)論如何實(shí)現(xiàn)了寬厚的銅痕跡：環(huán)路必須無(wú)論如何最小化。關(guān)鍵部件，如功率mosfet，必須靠近其他。然而，功率MOSFET之間仍然需要一些空間來(lái)保證良好的性能熱冷卻和氣流。驅(qū)動(dòng)器和MOSFET之間的軌跡應(yīng)短而寬，以盡量減少使驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的振鈴最小化的軌跡電感。此外，通孔也很重要需要最小化以減少相關(guān)寄生效應(yīng)。建議使用多層印刷電路板。小信號(hào)組件和連接到應(yīng)用程序的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)以及設(shè)備電源的旁路電容器也很重要。找到旁路電容器（VCC、PVCC和BOOT電容器）靠近設(shè)備，回路盡可能短使用寬銅線(xiàn)來(lái)最小化寄生電感。不使用肖特基二極管與低邊MOSFET并聯(lián)的系統(tǒng)可能會(huì)顯示出相位針上有大的負(fù)尖峰。這個(gè)尖峰和正尖峰一樣是有限的但是還有一個(gè)額外的后果：它會(huì)導(dǎo)致自舉電容器過(guò)度充電。在最大輸入電壓和在特定的瞬態(tài)過(guò)程中，啟動(dòng)到相電壓克服了絕對(duì)最大額定值也導(dǎo)致設(shè)備故障。在這種情況下，建議通過(guò)增加一個(gè)小電阻串聯(lián)到啟動(dòng)電容器。使用RBOOT也有助于啟動(dòng)引腳上的峰值限制。為了散熱，將銅片放在IC下面。該銅區(qū)可以連接內(nèi)部銅層通過(guò)幾個(gè)通孔來(lái)提高導(dǎo)熱性。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器下的銅墊、銅平面和過(guò)孔的組合允許設(shè)備達(dá)到最佳熱性能。

　　安芯科創(chuàng)是一家國(guó)內(nèi)芯片代理和國(guó)外品牌分銷(xiāo)的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國(guó)產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開(kāi)發(fā),以及元器件一站式采購(gòu)服務(wù),類(lèi)型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類(lèi)模組等電子元器件銷(xiāo)售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€(xiàn)客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷(xiāo)品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國(guó)民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國(guó)泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責(zé)聲明：部分圖文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。