一般說(shuō)明

LM2612降壓型DC-DC變換器是為單鋰離子為超低壓電路供電手機(jī)。它提供高達(dá)400毫安（B級(jí)為300毫安），超過(guò)輸入電壓范圍為2.8V至5.5V。引腳可編程輸出電壓為1.05V、1.3V、1.5V或1.8V，允許調(diào)整對(duì)于MPU電壓選項(xiàng)，無(wú)需重新設(shè)計(jì)或外部反饋電阻。該設(shè)備有三個(gè)引腳可選擇的模式，以最大限度地移動(dòng)電話和類(lèi)似便攜式應(yīng)用的電池壽命。低噪聲PWM模式提供600kHz固定頻率減少射頻干擾和數(shù)據(jù)采集的操作滿功率運(yùn)行期間的應(yīng)用。在PWM模式下，內(nèi)部同步整流提供了高效率（91%典型值。1.8伏）。同步輸入允許同步開(kāi)關(guān)頻率在500kHz到1MHz的范圍內(nèi)避免與系統(tǒng)頻率互調(diào)產(chǎn)生噪聲。低電流滯回PFM模式降低靜態(tài)電流在系統(tǒng)待機(jī)期間為150μA（典型值）。關(guān)機(jī)模式關(guān)閉設(shè)備并將電池消耗降低到0.1μA（典型值）。附加功能包括軟啟動(dòng)和電流過(guò)載保護(hù)。LM2612提供10針微型貼片封裝。這個(gè)封裝采用國(guó)家級(jí)晶圓級(jí)芯片級(jí)微型貼片技術(shù)和提供盡可能小的尺寸。只有三個(gè)小型外表面貼裝元件、電感器和需要兩個(gè)陶瓷電容器。

主要規(guī)格

通過(guò)單個(gè)鋰離子電池（2.8V至5.5V）工作

引腳可編程輸出電壓（1.05V、1.3V、1.5V和1.8伏）

400毫安最大負(fù)載能力（B級(jí)為300毫安）

±2%PWM模式直流輸出電壓精度

2mV典型PWM模式輸出電壓紋波

150μA典型PFM模式靜態(tài)電流

0.1μA典型關(guān)機(jī)模式電流

高PWM模式的n內(nèi)部同步整流

效率（2.8VIN，1.8VOUT時(shí)91%）n 600kHz PWM模式開(kāi)關(guān)頻率用于PWM模式頻率同步的n同步輸入從500kHz到1MHz

特征

超微型10針微型貼片封裝

只有三個(gè)微小的表面貼裝外部組件必修的

使用小型陶瓷電容器。

內(nèi)部軟啟動(dòng)

電流過(guò)載保護(hù)

無(wú)需外部補(bǔ)償

應(yīng)用

移動(dòng)電話

手持收音機(jī)

電池供電設(shè)備

絕對(duì)最大額定值（注1）

PVIN，VDD，至SGND−0.2V至+6V

PGND至SGND−0.2V至+0.2V

EN，同步/模式，VID0，VID1到SGND−0.2V至+6V

FB、SW（GND−0.2V）至（VDD+0.2V）

儲(chǔ)存溫度范圍−45˚C至+150˚C

引線溫度（焊接，10秒）260˚C

結(jié)溫（注2）−25˚C至125˚C

最小ESD額定值

人體模型，C=100pF，R=1.5千歐±2.5千伏

熱阻（θJA）

LM2612ABP和LM2612BBP（注3）170˚C/W

電氣特性

標(biāo)準(zhǔn)字體規(guī)格適用于TA=TJ=25˚C，粗體字規(guī)范適用于整個(gè)工作溫度范圍（TA=TJ=−25˚C至+85˚C）。除非另有規(guī)定，否則PVIN=VDD=EN=SYNC=3.6V，VID0=VID1=0伏。

電氣特性（續(xù)）

標(biāo)準(zhǔn)字體規(guī)格適用于TA=TJ=25˚C，粗體字規(guī)范適用于整個(gè)運(yùn)行溫度

注1：絕對(duì)最大額定值表示設(shè)備可能發(fā)生損壞的極限值。操作額定值是設(shè)備預(yù)期的工作條件功能正常，但參數(shù)規(guī)格可能無(wú)法保證。有關(guān)保證規(guī)格和相關(guān)測(cè)試條件，請(qǐng)參閱最小和最大限值和電氣特性表中的條件。電氣特性表限值由生產(chǎn)測(cè)試、設(shè)計(jì)或使用標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)性保證統(tǒng)計(jì)質(zhì)量控制方法。典型（典型）規(guī)范是指在25℃時(shí)的平均值或平均值，不作保證。

注2：在PWM模式下，如果結(jié)溫超過(guò)裝置最高結(jié)溫150˚C，將發(fā)生熱關(guān)機(jī)。

注3：2層PCB（0.5/0.5 oz.cu）規(guī)定的熱阻。

注4：3層PCB（2/1/1 oz.cu）和12個(gè)直徑為0.33mm的通孔規(guī)定的熱阻（見(jiàn)應(yīng)用注釋AN-1187）。

注5:LM2612專(zhuān)為手機(jī)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，通電后開(kāi)機(jī)由系統(tǒng)處理器和內(nèi)部UVLO（欠電壓）控制鎖定）電路是不必要的。LM2612沒(méi)有UVLO電路，應(yīng)該通過(guò)保持EN引腳低，直到輸入電壓超過(guò)2.8V來(lái)保持關(guān)機(jī)狀態(tài)。盡管在低輸入電壓下，LM2612在預(yù)生產(chǎn)評(píng)估期間表現(xiàn)出安全行為，但這不能保證。

注6：反饋電壓在1.5V輸出設(shè)置處被調(diào)整。其他輸出電壓來(lái)自內(nèi)部DAC的分頻比的引腳選擇。這個(gè)反饋電壓的精度為±2%，但1.05V設(shè)置為5%。聯(lián)系國(guó)家半導(dǎo)體公司的便攜式電源應(yīng)用小組，如果需要其他電壓微調(diào)。

注7：磁滯電壓是FB上的最小電壓擺幅，它導(dǎo)致內(nèi)部反饋和控制電路打開(kāi)內(nèi)部PFET開(kāi)關(guān)，并且然后關(guān)閉，在PFM模式下。

注8：電流限制是內(nèi)置的，固定的，不可調(diào)。如果在輸出電壓低于約0.7V時(shí)達(dá)到電流限制，則內(nèi)部PFET開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)動(dòng)關(guān)斷2.5μs以允許電感器電流減小。

注9:EN是一個(gè)CMOS施密特觸發(fā)器數(shù)字輸入，邏輯閾值隨VDD引腳的電源電壓而變化。標(biāo)稱(chēng)邏輯閾值為高閾值和低閾值分別約為0.71VDD和0.55VDD。

注10：同步驅(qū)動(dòng)，外部時(shí)鐘在VIN和GND之間切換。當(dāng)外部時(shí)鐘處于同步狀態(tài)時(shí)，IC將在外部時(shí)鐘頻率。LM2612與外部時(shí)鐘的上升沿同步。

典型工作特性

LM2612ABP，圖1電路，VIN=3.6V，TA=25˚C，L1=10μH，除非另有說(shuō)明。

典型工作特性LM2612ABP，圖1電路，VIN=3.6V，TA=25˚C，L1=10μH，除非另有說(shuō)明。（續(xù)）

設(shè)備信息

LM2612是一種簡(jiǎn)單的降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器，用于為單元中的低壓CPU或DSP供電手機(jī)和其他小型電池供電設(shè)備。它提供1.05V、1.3V、1.5V或單個(gè)2.8V至5.5V鋰離子電池的1.8V電壓。它是最大負(fù)載能力為400毫安（300毫安B級(jí)）。該裝置有三個(gè)引腳可選擇操作手機(jī)和其他復(fù)雜便攜式設(shè)備所需的模式設(shè)備。這類(lèi)應(yīng)用程序通常只花費(fèi)他們的時(shí)間在全速運(yùn)轉(zhuǎn)。在滿功率運(yùn)行期間，同步或固定頻率的PWM模式提供完全的輸出電流能力，同時(shí)盡量減少對(duì)敏感中頻和數(shù)據(jù)采集電路的干擾。PWM模式使用同步整流以提高效率：通常91%用于100mA負(fù)載，1.8V輸出，2.8V輸入。這些應(yīng)用程序剩下的時(shí)間用在低電流待機(jī)狀態(tài)運(yùn)行或關(guān)機(jī)以節(jié)省電池電量。期間待機(jī)運(yùn)行，滯后PFM模式減少靜態(tài)電流為150μA（典型值），最大限度延長(zhǎng)電池壽命。關(guān)閉模式關(guān)閉設(shè)備并減少電池消耗至0.1μA（典型值）。LM2612具有良好的性能和全套特性。它是基于電流模式開(kāi)關(guān)buck循環(huán)限流結(jié)構(gòu)。直流脈寬調(diào)制對(duì)于大多數(shù)輸出電壓，模式輸出電壓精度為±2%，對(duì)于1.05V，精度為±3%。同步/模式輸入接受外部時(shí)鐘在500kHz和1MHz之間。輸出電壓選擇引腳消除了外部反饋電阻。附加功能包括軟啟動(dòng)、電流過(guò)載保護(hù)、過(guò)電壓保護(hù)和熱過(guò)載保護(hù)。LM2612采用芯片規(guī)模的10針微型芯片構(gòu)成SMD封裝。微型SMD封裝提供最小的空間關(guān)鍵型應(yīng)用的可能大小，如單元電話。所需的外部組件只有一小部分10uH電感器，10uF和22uF陶瓷電容器減少電路板面積。

電路操作

參考圖1、圖2和圖3 LM2612操作如下：在每次切換的第一部分循環(huán)，LM2612中的控制塊打開(kāi)內(nèi)部PFET開(kāi)關(guān)。這允許電流從輸入端流出通過(guò)電感器輸出濾波電容和負(fù)載。電感器將電流限制在斜率為（VIN）的斜坡上-VOUT）/L，通過(guò)在磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量。在在每個(gè)循環(huán)的第二部分，控制器轉(zhuǎn)動(dòng)PFET切斷電源，阻斷輸入電流，然后打開(kāi)NFET同步整流器。作為回應(yīng)電感器的磁場(chǎng)崩潰，產(chǎn)生一個(gè)電壓強(qiáng)制電流從地面通過(guò)同步整流器輸出濾波電容和負(fù)載。因?yàn)閮?chǔ)存的能量傳回電路并耗盡電感器電流以VOUT/L的斜率下降。如果電感器電流在下一個(gè)周期前達(dá)到零，同步關(guān)閉整流器以防止電流倒流。輸出當(dāng)電感電流為高，低時(shí)釋放，使電壓平滑負(fù)荷。輸出電壓通過(guò)調(diào)節(jié)PFET來(lái)調(diào)節(jié)接通時(shí)間以控制發(fā)送到裝載。其效果與將開(kāi)關(guān)和同步整流器形成的占空比調(diào)制矩形波發(fā)送到由電感和輸出濾波電容器。輸出電壓等于SW引腳處的平均電壓。

PWM操作

LM2612可通過(guò)以下方式設(shè)置為電流模式PWM操作將同步/模式引腳連接到VDD。PWM時(shí)（脈沖寬度調(diào)制）模式，通過(guò)以恒定頻率切換來(lái)調(diào)節(jié)輸出電壓，然后調(diào)整每個(gè)周期的能量，以控制負(fù)載的功率。通過(guò)調(diào)節(jié)PFET開(kāi)關(guān)來(lái)設(shè)置每個(gè)循環(huán)的能量導(dǎo)通時(shí)間脈沖寬度控制電感電流峰值。這個(gè)通過(guò)使用觸發(fā)器驅(qū)動(dòng)的PFET開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)通過(guò)振蕩器和比較器來(lái)比較斜坡來(lái)自電流檢測(cè)放大器，錯(cuò)誤信號(hào)來(lái)自電壓反饋誤差放大器。在每個(gè)開(kāi)頭周期，振蕩器設(shè)置觸發(fā)器并打開(kāi)PFET開(kāi)關(guān)，導(dǎo)致電感器電流上升。當(dāng)電流感應(yīng)信號(hào)通過(guò)誤差放大器信號(hào)，PWM比較器重置觸發(fā)器并關(guān)閉PFET開(kāi)關(guān)，結(jié)束循環(huán)的第一部分。NFET同步整流器開(kāi)啟，直到下一個(gè)時(shí)鐘脈沖或電流上升到零。如果拉低輸出電壓，誤差放大器輸出增加，使感應(yīng)器電流上升在比較器關(guān)閉PFET開(kāi)關(guān)之前。這會(huì)增加發(fā)送到輸出端的平均電流并進(jìn)行調(diào)整因?yàn)樨?fù)荷的增加。在進(jìn)入PWM比較器之前，電流感應(yīng)信號(hào)用斜率補(bǔ)償斜坡求和電流反饋回路穩(wěn)定振蕩器。在循環(huán)的第二部分，過(guò)零檢測(cè)器關(guān)閉NFET同步整流器如果電感電流斜坡歸零。

A： 電感器電流，500mA/div

B： 開(kāi)關(guān)引腳，2V/div

C： VOUT，10mV/div，交流耦合

A： 電感器電流，500mA/div

B： 開(kāi)關(guān)引腳，2V/div

C： VOUT，50mV/div，交流耦合

PFM操作

將同步/模式引腳連接到SGND設(shè)置LM2612滯后的PFM操作。而在PFM中（脈沖頻率調(diào)制）模式下，輸出電壓通過(guò)開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)，每個(gè)周期的離散能量，然后調(diào)節(jié)控制負(fù)載功率的循環(huán)率或頻率。這是通過(guò)使用誤差比較器來(lái)檢測(cè)輸出電壓和控制PFET開(kāi)關(guān)。設(shè)備將作為負(fù)載放電輸出濾波器電容，直到輸出電壓降到PFM誤差比較器的下限以下。然后通過(guò)一個(gè)循環(huán)來(lái)比較打開(kāi)PFET開(kāi)關(guān)。這使得電流從輸入端，通過(guò)電感器到輸出端，充電輸出濾波電容器。當(dāng)輸出電壓高于PFM誤差比較器。PFET開(kāi)關(guān)關(guān)閉后輸出電壓隨著電感器的轉(zhuǎn)移而升高將電流輸入輸出電容器輸出控制器。因此，PFM的輸出電壓紋波模式與誤差比較器和感應(yīng)器電流的滯后成正比。在PFM模式下，設(shè)備只根據(jù)需要進(jìn)行切換負(fù)荷。這通過(guò)降低功率來(lái)降低電流消耗在電路中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作期間消耗內(nèi)部MOSFET中的過(guò)渡損耗、柵極驅(qū)動(dòng)電流、電感中的渦流損耗等，也證明了輕負(fù)載電壓調(diào)節(jié)。在第二部分在循環(huán)中，NFET同步整流器的本征體二極管導(dǎo)通，直到電感電流上升到零。LM2612不開(kāi)啟同步整流器在PFM模式下。

工作模式選擇

（同步/模式引腳）同步/模式數(shù)字輸入引腳用于選擇PWM或PFM工作模式。設(shè)置同步/模式高（高于1.3V）用于600kHz PWM操作，當(dāng)系統(tǒng)有功，負(fù)載大于50mA。設(shè)置同步/模式低（0.4V以下）當(dāng)負(fù)載小于50mA，用于精確調(diào)節(jié)和降低系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)的電流消耗待命LM2612有一個(gè)

過(guò)電壓保護(hù)功能，在低負(fù)載條件下（<50mA）下，如果設(shè)備保持在PWM模式，則可能激活該功能以防止輸出電壓過(guò)高。有關(guān)更多信息，請(qǐng)參閱電壓保護(hù)。使用同步/模式引腳選擇模式轉(zhuǎn)換速率大于5V/100μs。使用比較器Schmitt驅(qū)動(dòng)同步/模式引腳的觸發(fā)器或邏輯門(mén)。不要保持引腳浮動(dòng)，允許其在邏輯電平之間徘徊。這些措施將防止輸出電壓錯(cuò)誤否則，響應(yīng)于不確定的邏輯狀態(tài)而發(fā)生。當(dāng)頻繁切換模式時(shí)，確保最小負(fù)載以保持輸出電壓的調(diào)節(jié)。最小負(fù)荷要求根據(jù)模式變化頻率而變化。當(dāng)模式為每100毫秒更換一次，85微安10毫秒，800微安1毫秒。

頻率同步

（同步/模式引腳）同步/模式輸入也可用于頻率同步。將LM2612與外部時(shí)鐘，使用同步電壓上升至12.2V時(shí)，啟動(dòng)電壓超過(guò)1V時(shí)鐘。當(dāng)與外部時(shí)鐘同步時(shí)，它在PWM模式。設(shè)備可以同步到50%頻率從500kHz到1MHz的占空比時(shí)鐘。當(dāng)將外部時(shí)鐘應(yīng)用到同步/模式引腳。每個(gè)時(shí)鐘周期的高低周期應(yīng)在1.3μs之間和200ns，占空比在30%和70%之間。這個(gè)總時(shí)鐘周期應(yīng)小于等于2μs。打卡/過(guò)沖應(yīng)小于100毫伏低于地面或以上賣(mài)方盡職調(diào)查。當(dāng)應(yīng)用嘈雜的時(shí)鐘信號(hào)時(shí)，尤其是尖銳的評(píng)估期間，長(zhǎng)電纜發(fā)出的邊緣信號(hào)，終止在其特性阻抗下的電纜；在同步引腳，如有必要，軟化轉(zhuǎn)換率和過(guò)沖/欠沖。注意脈沖發(fā)出的尖銳的信號(hào)或者函數(shù)發(fā)生器可以產(chǎn)生高的欠/過(guò)沖在端接不當(dāng)?shù)碾娎|末端為10V。使用具有轉(zhuǎn)換速率的信號(hào)驅(qū)動(dòng)同步/模式引腳速度超過(guò)5V/100μs。使用比較器施密特觸發(fā)器或驅(qū)動(dòng)同步/模式引腳的邏輯門(mén)。別動(dòng)別針浮動(dòng)的允許它在邏輯電平之間徘徊。這些這些措施將防止輸出電壓誤差，這些誤差可能在不確定的邏輯狀態(tài)下發(fā)生。

過(guò)電壓保護(hù)

LM2612有一個(gè)過(guò)電壓比較器，可以防止當(dāng)設(shè)備離開(kāi)時(shí)，輸出電壓過(guò)高低負(fù)載條件下的PWM模式。否則輸出電壓可能會(huì)從最小值上升到超出調(diào)節(jié)范圍由于最小200ns，每個(gè)循環(huán)的能量轉(zhuǎn)移在PWM模式下PFET開(kāi)關(guān)的接通時(shí)間。當(dāng)輸出電壓超過(guò)其調(diào)節(jié)閾值30毫伏，OVP比較器抑制PWM操作以跳過(guò)脈沖直到輸出電壓回到調(diào)節(jié)閾值。在過(guò)電壓保護(hù)，輸出電壓和紋波增加輕微地。

關(guān)機(jī)模式

將EN數(shù)字輸入引腳設(shè)置為低至SGND將LM2612處于0.1uA（典型）停機(jī)模式。停機(jī)期間，PFET開(kāi)關(guān)，NFET同步整流器，基準(zhǔn)，關(guān)閉LM2612的控制和偏置。設(shè)置EN高至VDD允許正常操作。打開(kāi)時(shí)，軟啟動(dòng)被激活。EN是CMOS施密特觸發(fā)器數(shù)字輸入閾值隨VDD輸入電壓的變化而變化。這個(gè)標(biāo)稱(chēng)邏輯閾值約為71d高閾值和低閾值分別為0.55VDD。驅(qū)動(dòng)器EN使用CMOS邏輯參考LM2612的VDD引腳。必須將EN設(shè)置為低，以便在通電期間關(guān)閉LM2612當(dāng)電源小于2.8V最小工作電壓。設(shè)計(jì)了LM2612適用于移動(dòng)電話和類(lèi)似應(yīng)用順序由系統(tǒng)控制器決定，不需要內(nèi)部UVLO（欠壓鎖定）電路。LM2612沒(méi)有UVLO電路。雖然LM2612在生產(chǎn)前表現(xiàn)出安全行為評(píng)估在低輸入電壓下啟用時(shí)。

內(nèi)部同步整流

在PWM模式下，LM2612使用內(nèi)部NFET作為一種同步整流器，通過(guò)降低整流器正向電壓降和相關(guān)功率損失。在一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)輸出電壓相對(duì)較低時(shí)，同步整流可顯著提高效率整流二極管。在中、重負(fù)載下，內(nèi)部NFET同步整流器在電感電流期間開(kāi)啟在每個(gè)周期的第二部分下坡。同步整流器在下一個(gè)循環(huán)之前關(guān)閉，或者輕載時(shí)電感器電流接近零。NFET是設(shè)計(jì)用于在開(kāi)啟前的短暫間隔，無(wú)需外部二極管。同步整流被禁用，并且在每一次整流的第二部分中，NFET con通過(guò)它的體二極管在PFM模式下循環(huán)，以減少與同步整流器控制電路相關(guān)的靜態(tài)電流。這個(gè)同步整流器也可以在PWM模式下保持關(guān)閉當(dāng)高輸入輸出電壓導(dǎo)致占空比較短時(shí)當(dāng)沒(méi)有足夠的時(shí)間同步整流器啟動(dòng)。的主體二極管NFET也可在這些條件下使用。要提高PFM或短占空比PWM條件下的效率，請(qǐng)將從PGND到SW的外部肖特基二極管。聯(lián)系國(guó)家半導(dǎo)體公司的便攜式電力應(yīng)用小組，如果對(duì)同步整流裝置感興趣PFM模式。

限流

電流限制功能允許LM2612保護(hù)自己和過(guò)載條件下的外部部件。當(dāng)前使用一個(gè)獨(dú)立的內(nèi)部通訊器來(lái)實(shí)現(xiàn)限制，最大跳閘電流為850mA（B級(jí)設(shè)備為980mA）。在PWM模式下，循環(huán)電流限制不常用。如果過(guò)大的負(fù)載拉大了輸出電壓降到大約0.7V，然后設(shè)備切換到定時(shí)限流模式。在定時(shí)限流模式下電流比較器跳閘后，內(nèi)部P-FET開(kāi)關(guān)關(guān)閉，下一個(gè)循環(huán)的開(kāi)始被禁止2.5μs以強(qiáng)制瞬時(shí)電感器電流斜坡降低到安全值。PFM模式也使用定時(shí)電流限制操作。同步整流器在定時(shí)電流限制模式下關(guān)閉。定時(shí)電流限制防止在嚴(yán)重過(guò)載的情況下，當(dāng)輸出電壓被拉低時(shí)，在一些產(chǎn)品中可以看到電流控制。

限流和PWM模式

瞬態(tài)響應(yīng)

考慮事項(xiàng)

LM2612是專(zhuān)為對(duì)中度的快速反應(yīng)而設(shè)計(jì)的加載步驟。上述負(fù)載期間的惡劣瞬態(tài)條件300mA會(huì)導(dǎo)致電感器電流上升到850mA電流限制，導(dǎo)致PWM模式抖動(dòng)或電流限制比較器激活時(shí)不穩(wěn)定。避免這種抖動(dòng)或不穩(wěn)定，請(qǐng)不要上電或啟動(dòng)LM2612滿載（負(fù)載接近或高于400毫安）。不要改變滿負(fù)荷運(yùn)行時(shí)的工作模式或輸出電壓裝載。避免極為尖銳和寬范圍的裝載步驟滿載，例如從<30mA到>350mA。

引腳可選輸出電壓

LM2612具有引腳可選擇的輸出電壓，以消除外部反饋電阻的需要。輸出通過(guò)配置，可以設(shè)置為1.05V、1.3V、1.5V或1.8VVID0和VID1引腳。請(qǐng)參閱中的設(shè)置輸出電壓申請(qǐng)信息部分了解更多詳細(xì)信息。

軟啟動(dòng)

LM2612具有軟啟動(dòng)功能，可在通電并啟動(dòng)。這減少了LM2612的壓力以及外部組件。它還可以減少啟動(dòng)瞬態(tài)在電源上。

軟啟動(dòng)（續(xù)）

軟啟動(dòng)是通過(guò)增加LM2612中的內(nèi)部參考來(lái)逐步增加輸出電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的。通電時(shí)，參考值在約400μs內(nèi)上升在PWM模式下，軟啟動(dòng)可能需要額外的200us為誤差放大器補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)留出時(shí)間充電。

熱過(guò)載保護(hù)

LM2612具有熱過(guò)載保護(hù)功能保護(hù)自身免受短期誤用和過(guò)載情況的影響。當(dāng)結(jié)溫超過(guò)大約155℃時(shí)，設(shè)備啟動(dòng)軟啟動(dòng)循環(huán)，即在溫度降到130℃以下后完成。在熱過(guò)載條件下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行可能會(huì)損壞設(shè)備，被認(rèn)為是不好的做法。

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設(shè)置輸出電壓

LM2612具有引腳可選擇的輸出電壓，以消除外部反饋電阻的需要。選擇通過(guò)配置，輸出電壓為1.05V、1.3V、1.5V或1.8VVID0和VID1引腳，如表1所示。

VID0和VID1是數(shù)字輸入。他們可能會(huì)因?yàn)橥ㄟ^(guò)連接到SGND連接到VDD或low。可選的是，VID0和VID1可以由數(shù)字門(mén)驅(qū)動(dòng)高電壓狀態(tài)下提供超過(guò)1.2V的電壓，低于0.4V的電壓低狀態(tài)以確保有效的邏輯電平。VID0和VID1每個(gè)輸入都有一個(gè)內(nèi)部的1.8μA下拉菜單，用于拉動(dòng)它們斷開(kāi)時(shí)，默認(rèn)1.5V輸出為低。將這些銷(xiāo)打開(kāi)是可以接受的，但將銷(xiāo)設(shè)置為高或建議低。

感應(yīng)器選擇

飽和電流額定值超過(guò)850mA的10μH電感器（B級(jí)為980mA）建議用于大多數(shù)應(yīng)用。電感器的電阻應(yīng)始終小于0.3Ω效率。表2列出了建議的電感器和供應(yīng)商。

建議。對(duì)于噪聲臨界應(yīng)用，環(huán)形或應(yīng)使用屏蔽線軸感應(yīng)器。一個(gè)好的做法是用兩種類(lèi)型的重疊腳印來(lái)布置電路板設(shè)計(jì)靈活性。這樣就可以替代低噪音環(huán)形電感器，萬(wàn)一噪音來(lái)自低成本線軸模型是不可接受的。飽和電流額定值是電流水平超過(guò)電感器釋放的是電感。超過(guò)這個(gè)等級(jí)，電感器失去了限制電流通過(guò)PFET切換到斜坡并允許開(kāi)關(guān)電流迅速增加。這會(huì)導(dǎo)致效率低下，監(jiān)管不力錯(cuò)誤或應(yīng)力到DC-DC轉(zhuǎn)換器，如LM2612。當(dāng)電流產(chǎn)生的磁通量密度通過(guò)電感器的繞組，超過(guò)了在一個(gè)相應(yīng)的磁場(chǎng)。

電容器選擇

使用10μF、6.3V、X7R或X5R陶瓷輸入濾波器電容器以及22uF、X7R或X5R陶瓷輸出濾波電容器。在小尺寸、成本和，可靠性和性能。不要使用Y5V陶瓷電容器。表3推薦的電容器和供應(yīng)商清單。輸出濾波器可使用10μF陶瓷電容器電容器適用于最壞情況下瞬態(tài)負(fù)載階躍小于200mA。使用10μF輸出電容器以更小的尺寸換取增加在輸出電壓紋波，和下沖在線路和負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。輸入濾波電容器向PFET開(kāi)關(guān)提供電流在每個(gè)循環(huán)的第一部分中施加在輸入電源上的電壓紋波。輸出濾波電容器平滑了從電感到負(fù)載的電流，有助于保持穩(wěn)定的輸出電壓瞬態(tài)負(fù)載變化并降低輸出電壓紋波。這些電容器必須具有足夠的容量和足夠低的ESR來(lái)執(zhí)行這些功能。濾波器電容器的ESR或等效串聯(lián)電阻是電壓紋波的主要因素。來(lái)自對(duì)于大多數(shù)電解液，ESR對(duì)電壓紋波的影響在75-95%左右電容器，陶瓷電容器則更少。這個(gè)紋波的剩余部分來(lái)自電荷儲(chǔ)存，這是由于電容。

二極管選擇

可選的肖特基二極管（圖1中的D1）可以添加到提高PFM模式和輕載PWM模式下的效率。在提高電池使用壽命的效率比增加與肖特基二極管。通常，使用外部肖特基二極管將PFM模式效率從72.7%提高到85.0%（20毫安負(fù)載，VOUT=1.8V，VIN=3.6V）。見(jiàn)效率曲線在典型的操作特性中。使用額定電流高于850mA，如MBRM140T3。使用額定值為30V或更高電壓可減少高溫應(yīng)用中的二極管反向泄漏。

熱設(shè)計(jì)

LM2612具有熱過(guò)載保護(hù)功能當(dāng)結(jié)溫超過(guò)在155°C左右，直到設(shè)備冷卻到130°C。但是，持續(xù)這么熱地運(yùn)行設(shè)備可能會(huì)損壞它糟糕的練習(xí)。應(yīng)進(jìn)行充分的熱設(shè)計(jì)將設(shè)備保持在規(guī)定的125°C最高工作溫度以下。微貼片封裝組裝與使用使用微貼片封裝需要專(zhuān)用板布局、精確安裝和小心回流焊技術(shù)，如詳見(jiàn)《國(guó)家半導(dǎo)體應(yīng)用說(shuō)明》安-1112。請(qǐng)參閱“表面安裝技術(shù)”一節(jié)（SMT）裝配注意事項(xiàng)。為了獲得最佳裝配效果，應(yīng)使用PC板上的對(duì)齊序號(hào)方便放置設(shè)備。由于微貼片封裝是一項(xiàng)新技術(shù)，所有的布局和組裝手段必須在生產(chǎn)前進(jìn)行徹底測(cè)試。特別地，正確放置，焊料回流和耐熱性必須驗(yàn)證循環(huán)。用于LM2612的10凸塊封裝有170微米需要6.7mil（6.7/1000 in.）焊盤(pán)安裝在電路板上。每個(gè)墊子的痕跡應(yīng)該以90˚的進(jìn)入角度進(jìn)入襯墊，以防止碎屑陷入深淵。最初，跟蹤到每個(gè)焊盤(pán)寬度應(yīng)為6 mil，對(duì)于長(zhǎng)度為6 mil或更長(zhǎng)的部分，如熱釋壓。那么每個(gè)軌跡都應(yīng)該達(dá)到最佳狀態(tài)寬度超過(guò)11密耳或更大，使錐度超出包的邊緣。重要的標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)稱(chēng)性。這樣可以確保LM2612回流均勻，設(shè)備焊料水平尤其要特別注意緩沖墊6-9。因?yàn)镻VIN和PGND通常連接到大型銅板上，散熱不足可能導(dǎo)致這些凸點(diǎn)的回流延遲或不足。與micro SMD封裝一起使用的焊盤(pán)樣式必須是NSMD（非焊接掩模定義）類(lèi)型。這意味著焊錫掩模開(kāi)口大于焊盤(pán)尺寸或9.7mils對(duì)于LM2612。這可以防止唇部形成，如果焊接掩模和焊盤(pán)重疊。這個(gè)嘴唇可以容納設(shè)備脫離電路板表面并干擾安裝。具體說(shuō)明見(jiàn)應(yīng)用注釋AN-1112。微貼片封裝是針對(duì)最小的可能尺寸而優(yōu)化的，適用于具有紅色或紅外線不透明外殼的應(yīng)用。由于微貼片封裝缺乏大型器件的塑料封裝特性，因此容易受到光照。背面金屬化和/或環(huán)氧涂層，以及正面陰影由印刷電路板，減少這一點(diǎn)敏感。但是，包裝有暴露的模具邊緣。在特別是，微型貼片器件對(duì)紅色光敏感紅外線射程照射在包裹的暴露的模具上邊緣。

申請(qǐng)信息（續(xù)）

在使用LM2612時(shí)，不要使用或通電高強(qiáng)度紅光或紅外光，否則會(huì)導(dǎo)致性能下降、無(wú)法預(yù)測(cè)或不穩(wěn)定的操作。光的例子具有高紅色或紅外線含量的光源包括太陽(yáng)和鹵素?zé)簟㈦娐贩庋b在不透明的紅色外殼中或者紅外線。

電路板布局注意事項(xiàng)

PC板布局是DC-DC變換器的重要組成部分設(shè)計(jì)。糟糕的電路板布局會(huì)破壞DC-DC轉(zhuǎn)換器及其周?chē)娐稥MI、接地彈跳和軌跡中的電阻電壓損失。這些會(huì)向DC-DC轉(zhuǎn)換器發(fā)送錯(cuò)誤信號(hào)IC，導(dǎo)致調(diào)節(jié)不良或不穩(wěn)定。布局不良也會(huì)導(dǎo)致回流焊問(wèn)題，導(dǎo)致焊點(diǎn)不良在微型SMD封裝和板墊之間。可憐的焊點(diǎn)可能導(dǎo)致性能不穩(wěn)定或性能下降。LM2612的良好布局可以通過(guò)遵循一些簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)實(shí)現(xiàn)：

1將LM2612放在6.7毫升的微型貼片包裝上。作為熱釋放，用6mil連接到每個(gè)焊盤(pán)上寬跡線（micro SMD），6mils長(zhǎng)或更長(zhǎng)，然后逐步增加每條跡線至其最佳寬度使錐度延伸到包裹。重要的標(biāo)準(zhǔn)是要保證對(duì)稱(chēng)性回流均勻發(fā)生（見(jiàn)微型SMD封裝組裝和使用）。

2.將LM2612、電感器和濾波電容器放近把痕跡縮短。之間的痕跡這些元件攜帶相對(duì)較高的開(kāi)關(guān)電流，充當(dāng)天線。遵循此規(guī)則可減少輻射噪聲。將電容器和電感器放在LM2612的0.2英寸（5毫米）。

3.排列部件，使開(kāi)關(guān)電流環(huán)向同一方向卷曲。在每個(gè)周期，電流從輸入濾波器電容器流出，通過(guò)LM2612和電感器到輸出濾波器電容器通過(guò)接地，形成電流循環(huán)。在每個(gè)循環(huán)的第二部分，電流被拉入從地上，通過(guò)電感器的LM2612輸出濾波電容器，然后通過(guò)接地，形成第二個(gè)電流回路。路由這些環(huán)路電流在同一方向卷曲，防止兩個(gè)部分循環(huán)之間的磁場(chǎng)反轉(zhuǎn)和減少輻射噪聲。

4.將LM2612的接地引腳和濾波器電容器連接在一起，使用大量的組件側(cè)cop  per fill作為一個(gè)偽接地平面。然后，把這個(gè)連接到帶有多個(gè)通孔的地平面（如果使用一個(gè)）。這個(gè)通過(guò)防止開(kāi)關(guān)降低接地層噪音通過(guò)接地層的電流。它也減少了地面反彈在LM2612通過(guò)給予它低阻抗接地連接。

5.在電源部件和之間使用寬跡線DC-DC轉(zhuǎn)換器電路的電源連接。這個(gè)減少由電阻損耗引起的電壓誤差痕跡。

6.將噪聲敏感的跡線（如電壓反饋路徑）布置在遠(yuǎn)離電源之間的噪聲跡線的地方組件。電壓反饋軌跡必須保持不變靠近LM2612電路，應(yīng)該是直接的，但是應(yīng)遠(yuǎn)離噪聲部件。這個(gè)減少輻射到DC-DC轉(zhuǎn)換器自身的電磁干擾電壓反饋軌跡。

7.放置噪聲敏感電路，如收音機(jī)中頻模塊，遠(yuǎn)離DC-DC轉(zhuǎn)換器，CMOS數(shù)字塊以及其他嘈雜的電路。干擾可以減少系統(tǒng)中的噪聲敏感電路通過(guò)距離。例如，在移動(dòng)電話中，一個(gè)常見(jiàn)的做法是將DC-DC轉(zhuǎn)換器放在板的一角，在其周?chē)贾肅MOS數(shù)字電路（因?yàn)檫@也是

產(chǎn)生噪聲），然后放置敏感前置放大器和如果站在對(duì)角的角落。通常敏感電路用金屬盤(pán)和電源屏蔽后調(diào)節(jié)以降低傳導(dǎo)噪聲。

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