特征

0.5A輸出電流

8V至35V電源電壓范圍

內(nèi)部限流

熱關(guān)機(jī)

開(kāi)放接地保護(hù)

內(nèi)部負(fù)電壓鉗位，快速消磁

大共模差分輸入范圍和閾值滯后

滯后欠壓閉鎖

空載檢測(cè)

兩個(gè)診斷輸出

輸出狀態(tài)LED驅(qū)動(dòng)器

無(wú)耗散短路保護(hù)

抗突發(fā)瞬態(tài)（IEC 61000-4-4）

ESD保護(hù)（人體模型±2kV）

說(shuō)明

L6375D是一款單片智能電源多電源開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)有控制輸出的感應(yīng)或電阻負(fù)載電壓轉(zhuǎn)換率和短路保護(hù)。內(nèi)部箝位二極管使快速感應(yīng)負(fù)載的消磁。診斷CPU反饋和電氣的廣泛使用保護(hù)使這個(gè)裝置非常堅(jiān)固特別適用于工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用。

電氣特性

（VS=24V；TJ=-25至+125°C，除非另有規(guī)定）

電氣特性

（VS=24V；TJ=-25至+125°C，除非另有規(guī)定）

輸入段

寬電壓范圍高噪聲單端輸入TTL/CMOS免疫性（由于內(nèi)置遲滯）是可用的。

過(guò)熱保護(hù)（OVT）

芯片上的過(guò)溫保護(hù)在極端條件。當(dāng)溫度-在芯片的中心部分測(cè)量超過(guò)Tmax=150oC（典型值），設(shè)備關(guān)閉，DIAG2輸出變?yōu)榈汀Ｐ酒瑴囟然謴?fù)正常工作（通常在幾秒鐘后）低于Tmax-Thys=130℃（典型值）。磁滯避免了間歇性的行為發(fā)生。

欠壓保護(hù)（UV）

電源電壓預(yù)計(jì)在8到35V之間。在這個(gè)范圍內(nèi)，設(shè)備工作正確地。為了避免任何故障，電源電壓被連續(xù)監(jiān)控提供欠壓保護(hù)。當(dāng)Vs低于Vsth Vshys時(shí)（通常為7.5 V，見(jiàn)圖1）輸出功率MOS關(guān)閉，DIAG1和DIAG2（見(jiàn)診斷真值表）。一旦Vs超過(guò)Vsth，則恢復(fù)正常操作。歇斯底里的行為防止低電源電壓下的間歇性操作。

過(guò)流運(yùn)行

為了實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)，輸出功率MOS被線(xiàn)性驅(qū)動(dòng)限制Isc輸出電流的模式（1.1A典型值）。此條件（電流限制至Isc值）持續(xù)一噸時(shí)間間隔，可通過(guò)電容器（Cdon）進(jìn)行設(shè)置按以下公式連接到ON延遲引腳：噸=1.28微秒/pF對(duì)于50pF<Cdon<2nF在時(shí)間間隔結(jié)束后，輸出功率MOS關(guān)閉Toff時(shí)間間隔時(shí)間：Toff=64噸。當(dāng)Toff間隔也已過(guò)時(shí)，輸出功率MOS被導(dǎo)通。此時(shí)此刻最終可能會(huì)出現(xiàn)兩種情況a） 過(guò)載仍然存在，然后輸出功率MOS再次被驅(qū)動(dòng)線(xiàn)性模式（限制ISC的輸出電流）為另一噸，開(kāi)始新的循環(huán)，或b） 過(guò)載消除過(guò)載條件，輸出功率MOS為no在線(xiàn)性模式下行駛更長(zhǎng)時(shí)間。所有這些情況都出現(xiàn)在DIAG2上銷(xiāo)（見(jiàn)圖2）。我們稱(chēng)這種獨(dú)特的特性為非耗散性短路保護(hù)，它確保了即使在永久過(guò)載條件下也能安全運(yùn)行。注意，選擇適當(dāng)?shù)臅r(shí)間間隔值（即Cdon電容器的值）延遲（Ton本身）將防止在DIAG2上顯示誤導(dǎo)性短路信息驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載時(shí)的輸出（在一開(kāi)始就表現(xiàn)為短路）或者白熾燈（冷燈絲的電阻值很低）。非耗散可以禁用短路保護(hù)（保持Ton=0，但輸出電流仍然保持不變僅限于Isc，且診斷功能已禁用）只需對(duì)ON DELAY引腳進(jìn)行接地短路。

診斷邏輯

設(shè)備的操作條件將被永久監(jiān)控，并且事件通過(guò)DIAG1/DIAG2漏極開(kāi)路輸出引腳發(fā)出信號(hào)請(qǐng)參閱診斷真相表。

對(duì)地短路。

短路VS。

欠壓（UV）

超溫（OVT）

開(kāi)路負(fù)載，如果輸出電流小于3mA（典型值）。

感應(yīng)負(fù)載的消磁

內(nèi)部齊納二極管，將功率MOS的電壓限制在50到60V之間（Vcl），無(wú)需外部夾緊，可安全快速地消磁設(shè)備。可從感性負(fù)載中吸收的最大能量規(guī)定為200mJ（TJ=85°C時(shí)）

1.冷燈絲或電容性負(fù)載可激活I(lǐng)PS的限流電路，當(dāng)IPS最初是打開(kāi)的。

　　安芯科創(chuàng)是一家國(guó)內(nèi)芯片代理和國(guó)外品牌分銷(xiāo)的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國(guó)產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開(kāi)發(fā),以及元器件一站式采購(gòu)服務(wù),類(lèi)型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類(lèi)模組等電子元器件銷(xiāo)售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢(xún)?cè)诰€(xiàn)客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷(xiāo)品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國(guó)民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國(guó)泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責(zé)聲明：部分圖文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。