應(yīng)用程序信息

其中是RDS（ON）和k的溫度依賴性是與柵極驅(qū)動電流成反比的常數(shù)。兩個MOSFET都有I2R損耗N通道方程包含了一個附加的傳輸損耗項，它在高輸入電壓下最高。為VIN<20V高電流效率普遍提高對于更大的mosfet，而對于VIN>20V的過渡損耗迅速增加到使用更高的點具有較低CRS的RDS（ON）設(shè)備實際提供更高效率。同步MOSFET損耗最大在高輸入電壓或短路時此開關(guān)的占空比接近100%。請參閱可折疊的限流部分，以便進一步應(yīng)用信息。術(shù)語（1+δ）通常用于標準化RDS（ON）與溫度曲線的形式，但是δ=0.005/°C可用作低電壓MOSFET。通常在MOSFET中指定crs特點。常數(shù)k=2.5可用于主要估計這兩個術(shù)語的貢獻開關(guān)耗散方程。圖1所示的肖特基二極管D1提供兩個目的。連續(xù)同步運行時，D1在兩個大功率mosfet。這會阻止身體底部MOSFET二極管的導(dǎo)通與存儲在死亡時間充電，這可能會花費效率為1%。在低電流運行期間，D1與小型頂部MOSFET一起工作，以提供一種高效的低電流輸出級。一輛1A肖特基是由于相對較小的平均電流，這兩個區(qū)域通常是一個很好的折衷方案。

CIN與COUT選擇

在連續(xù)模式下，頂部的源電流N溝道MOSFET是一種占空比為VOUT/VIN的方波。為了防止大電壓瞬變，低ESR輸入最大均方根電流的電容器尺寸必須為用過。最大均方根電容電流由下式得出：

此公式在VIN=2VOUT時有一個最大值，其中IRMS=IOUT/2。這種簡單的最壞情況通常用于設(shè)計，因為即使是顯著的偏差不要提供太多的救濟。注意電容器制造商的紋波電流額定值通常僅基于2000小時生命的意義。因此建議進一步降低電容器，或選擇額定值較高的電容器溫度高于要求。幾個電容器也可能平行的為了滿足尺寸或高度的要求設(shè)計。如有任何問題，請咨詢制造商問題。COUT的選擇取決于所需的有效性串聯(lián)電阻（ESR）。通常，一旦ESR要求得到滿足，電容就足以進行濾波。輸出紋波（∆VOUT）近似為：

式中f=工作頻率，COUT=輸出電容和∆IL=電感器中的紋波電流。輸出紋波在最大輸入電壓下的最大值，因為∆IL增加輸入電壓。在∆IL=0.4IOUT（MAX）的情況下在最大車輛識別碼（VIN）下，紋波小于100毫伏，假設(shè)：需要ESR<2RSENSE尼奇康、聯(lián)合化學(xué)和三洋應(yīng)考慮采用高性能通孔電容器。OS-CON半導(dǎo)體電介質(zhì)三洋提供的電容器具有最低的ESR（尺寸）鋁電解產(chǎn)品更高的價格。一旦ESR對COUT的要求均方根電流額定值通常遠遠超過IRIPLE（P-P）要求。在表面貼裝應(yīng)用中，多個電容器可能必須并聯(lián)以滿足ESR或RMS電流申請的處理要求。鋁電解鉭電容器和干鉭電容器都有表面安裝配置。在鉭的情況下，它是對電容器進行浪涌測試以用于開關(guān)電源。最好的選擇是AVXTPS系列表面貼裝鉭鉭合金高度從2毫米到4毫米。其他電容器類型包括三洋OS-CON、Nichicon PL系列和Sprague593D和595D系列。其他請咨詢制造商具體建議。

INTVCC調(diào)節(jié)器

內(nèi)部P通道低壓差調(diào)節(jié)器產(chǎn)生為驅(qū)動器和內(nèi)部電路供電的5V電源在LTC1436A/LTC1437A中。INTVCC引腳可以電源高達15毫安，且必須通過旁路接地至少2.2μF鉭或低ESR電解液。良好的旁路對提供高瞬態(tài)是必要的MOSFET柵極驅(qū)動器所需的電流。高輸入電壓應(yīng)用，其中大型MOSFET以高頻驅(qū)動，可能會導(dǎo)致LTC1436A的最高結(jié)溫額定值/超過LTC1437A。IC電源電流為主要由柵極充電時的供電電流決定使用輸出派生的EXTVCC源。門電荷取決于工作頻率，如效率考慮部分。結(jié)溫可用注中給出的公式估算1電氣特性。例如LTC1437A的30V電源限制在19mA以下

以防止最高結(jié)溫超過時，必須檢查輸入電源電流在最大車輛識別碼（VIN）下以連續(xù)模式運行。

EXTVCC連接

LTC1436A/LTC1437A包含一個內(nèi)部P通道MOSFET開關(guān)連接在EXTVCC和INTVCC引腳。開關(guān)閉合并為INTVCC供電當(dāng)EXTVCC引腳高于4.8V時供電，以及在EXTVCC降至4.5V以下之前保持關(guān)閉狀態(tài)允許MOSFET驅(qū)動器和控制電源導(dǎo)出正常運行時的輸出（4.8V<VOUT<9V）輸出輸出時從內(nèi)部調(diào)節(jié)器輸出調(diào)節(jié)（啟動、短路）。不要應(yīng)用更大至EXTVCC引腳的電壓大于10V，并確保EXTVCC<VIN。通過通電可以實現(xiàn)顯著的效率提高由于VIN電流產(chǎn)生來自驅(qū)動器和控制電流將通過占空比/效率系數(shù)。對于5V調(diào)節(jié)器電源是指將EXTVCC引腳直接連接到VOUT。但是，對于3.3V和其他低壓調(diào)節(jié)器，需要額外的電路來獲得INTVCC功率從輸出。下表總結(jié)了EXTVCC的四種可能連接：

1.EXTVCC左開（或接地）。這將導(dǎo)致INTVCC由內(nèi)部5V調(diào)節(jié)器供電在高投入時效率損失高達10%電壓。

2.EXTVCC直接連接到VOUT。這是正常現(xiàn)象連接5V調(diào)節(jié)器并提供最高效率。

3.EXTVCC連接到輸出派生的boost網(wǎng)絡(luò)。對于3.3V和其他低壓調(diào)節(jié)器，效率通過將EXTVCC連接到輸出電壓已被提升到大于4.8V。這可以通過感應(yīng)升壓繞組如圖4a所示或電容式電荷泵如圖4b所示泵具有簡單磁性的優(yōu)點。

4.EXTVCC連接到外部電源。如果外部電源在5V至10V范圍內(nèi)可用（EXTVCC<VIN），可用于為EXTVCC供電，前提是與MOSFET柵極驅(qū)動要求兼容。當(dāng)驅(qū)動標準閾值MOSFET時，外部電源必須在運行期間始終存在防止由于柵極驅(qū)動不足而導(dǎo)致的MOSFET失效。

上部模塊MOSFET驅(qū)動器電源（CB，DB）連接到升壓電路的外部自舉電容器CB引腳為上部模塊提供柵極驅(qū)動電壓MOSFET。功能圖中的電容器CB是當(dāng)SW引腳很低。當(dāng)上部組塊中的一個MOSFET要轉(zhuǎn)動時打開時，驅(qū)動器將CB電壓置于柵極源上所需的MOSFET。這增強了MOSFET和打開上部開關(guān)。開關(guān)節(jié)點電壓開關(guān)升到VIN，增壓管腳升到VIN+INTVCC。這個升壓電容器CB的值需要是100倍大于上部模塊的總輸入電容MOSFET。在大多數(shù)應(yīng)用中，0.1μF就足夠了。這個DB上的反向故障必須大于VIN（最大值）。

輸出電壓編程

輸出電壓是引腳可選的所有成員LTC1436A/LTC1437A系列。輸出電壓為由VPROG引腳選擇如下：

VPROG=0V電壓=3.3V

VPROG=INTVCC VOUT=5伏

VPROG=打開（DC）VOUT=可調(diào)

LTC1436A/LTC1437A系列也有遠程輸出電壓感應(yīng)能力。內(nèi)部電阻的頂部分頻器連接到VOSENSE。固定3.3V和5V輸出電壓應(yīng)用VOSENSE引腳連接輸出電壓如圖5a所示外部電阻分壓器，VPROG引腳保持開路（DC）VOSENSE引腳連接到反饋電阻如圖5b所示。

上電復(fù)位功能（POR）

上電復(fù)位功能監(jiān)測輸出電壓打開排水明渠法規(guī)。需要外部上拉電阻器POR引腳。當(dāng)?shù)谝淮问褂秒娫椿驈年P(guān)閉，POR輸出被拉到地上。當(dāng)輸出電壓上升到低于最終調(diào)節(jié)輸出值，內(nèi)部計數(shù)器啟動。在計算216（65536）個時鐘周期后，POR下拉裝置關(guān)閉。當(dāng)輸出電壓達到時，POR輸出將變低低于規(guī)定值7.5%的時間超過約30μs，表示出現(xiàn)不規(guī)則狀態(tài)。在停機時，POR輸出被拉低，即使調(diào)節(jié)器的輸出由外部電源控制。

運行/軟啟動功能

RUN/SS引腳是一種雙用途引腳，它提供軟啟動功能和關(guān)閉LTC1436A/LTC1437A。軟啟動可降低浪涌電流通過逐漸增加內(nèi)部電流限制從VIN開始。電源排序也可以完成用這個別針。

內(nèi)部3μA電流源為外部電流源充電電容器CSS。當(dāng)RUN/SS上的電壓達到1.3V時LTC1436A/LTC1437A開始工作。作為電壓on RUN/SS繼續(xù)從1.3V上升到2.4V，則內(nèi)部電流限制也以比例線性變化速率。電流限制從大約50mV開始/RSENSE（在VRUN/SS=1.3V時）并在150mV/RSENSE結(jié)束（VRUN/SS>2.7伏）。因此，輸出電流上升慢慢地，給輸出電容充電。如果RUN/SS已經(jīng)一直拖到地面在啟動前有一個延遲大約為500ms/μF，然后500ms/μF以達到全電流。tDELAY=5（105）CSS秒將RUN/SS引腳拉至1.3V以下時，LTC1436A/

LTC1437A進入低靜態(tài)電流關(guān)機（IQ<25微安）。這個引腳可以直接從邏輯驅(qū)動，如圖所示在圖6中。圖6中的二極管D1減少了啟動延遲，但是允許CSS緩慢上升軟啟動功能；如果不需要軟啟動，可以刪除此二極管和CSS。RUN/SS引腳有一個內(nèi)部6V齊納鉗（參見功能圖）。

折疊限流

如功率MOSFET和D1選擇中所述MOSFET的最壞情況下的耗散發(fā)生在短路輸出時，同步MOSFET幾乎連續(xù)進行電流限值。在大多數(shù)應(yīng)用不會導(dǎo)致過熱，延長故障間隔。但是，當(dāng)熱下沉是在溢價或更高的RDS（ON）mosfet是在使用時，應(yīng)在根據(jù)故障的嚴重程度降低電流。通過添加一個輸出端和第i個引腳之間的二極管DFB，如中所示功能圖。在硬短路（VOUT=0V）中，電流將減少到最大值的大約25%輸出電流。該技術(shù)可用于調(diào)節(jié)輸出電壓為1.8V或更高的所有應(yīng)用。

鎖相環(huán)與頻率同步

LTC1436A-PLL/LTC1437A各有一個內(nèi)部電壓控制振蕩器和相位檢測器，包括鎖相環(huán)。這使得頂部的MOSFET能夠鎖定在外部源的上升邊緣。這個壓控振蕩器的頻率范圍是中心頻率fO周圍±30%。COSC的值是根據(jù)期望的操作計算出來的頻率fO。假設(shè)鎖相環(huán)被鎖定（VplLpf=1.19伏）：

所使用的相位檢測器是邊緣敏感型數(shù)字型它在外部和內(nèi)部振蕩器。這種類型的相位檢測器不會鎖定接近VCO中心頻率的諧波。PLL保持范圍∆fH等于捕獲范圍：∆fH=∆fC=±0.3fO。

相位檢測器的輸出是一對互補的電流源在外部充電或放電PLL LPF引腳上的濾波器網(wǎng)絡(luò)。關(guān)系PLL LPF引腳和工作頻率之間如圖7所示。簡化的框圖如所示圖8。如果外部頻率（fplin）大于振蕩頻率（f），則持續(xù)提供電流，向上拉動PLL LPF引腳。當(dāng)外部頻率較低時比fOSC，電流不斷下沉，拉低PLL LPF引腳。如果外部和內(nèi)部頻率是相同但有相位差，電流源打開一段與相位相對應(yīng)的時間

區(qū)別。因此，可調(diào)整PLL LPF引腳上的電壓直到外部和內(nèi)部的相位和頻率振蕩器是相同的。在這個穩(wěn)定的工作點相位比較器輸出開路，濾波電容器CLP保持電壓。環(huán)路濾波器組件CLP和RLP使來自相位檢測器的電流脈沖電壓控制振蕩器的穩(wěn)定輸入。過濾器組件CLP和RLP決定了環(huán)路的速度獲得鎖。通常，RLP=10k，CLP為0.01μF至0.1μF。確保將過濾器的低端連接到SGND。可通過外部邏輯驅(qū)動PLL LPF引腳以獲得1:1.9頻移。圖9所示的電路將提供從fO到1.9fO的頻率偏移作為電壓VplLpf從0V增加到2.4V，不要超過2.4V在VPLLLPF上。

低電池比較器

LTC1436A/LTC1437A的片內(nèi)電池電量不足可以用來檢測電池電量不足的比較器條件，如圖10所示。這個電阻分壓器R3、R4將比較器跳閘點設(shè)置為跟隨：

負極（–）輸入端的分壓

比較器與內(nèi)部1.19V參考電壓進行比較。A內(nèi)置20mV磁滯，確保快速切換。這個輸出是一個開漏MOSFET，需要上拉電阻器。該比較器在停機時不工作。這個電阻分壓器的低壓側(cè)應(yīng)連接到SGND。

SFB引腳操作

當(dāng)SFB引腳下降到其參考地面以下時1.19V閾值，強制連續(xù)模式運行。在連續(xù)模式下，無論主開關(guān)上的負載如何，都使用大型N通道主開關(guān)和同步開關(guān)輸出。除了提供邏輯輸入以強制連續(xù)同步操作時，SFB引腳提供了一種方法調(diào)節(jié)反激式繞組輸出。連續(xù)同步運行允許從輔助繞組中提取功率，而不考慮一次輸出負載。SFB引腳可根據(jù)反激繞組的需要實現(xiàn)連續(xù)同步操作。次級輸出電壓由變壓器與一對外部電阻返回到SFB引腳，如圖4a所示。圖4a中的二次調(diào)節(jié)電壓VSEC為：

式中，N是變壓器的匝數(shù)比，VOUT是由VOSENSE感應(yīng)的主輸出電壓。

輔助調(diào)節(jié)器/比較器

輔助調(diào)節(jié)器/比較器可用作比較器或低壓差調(diào)節(jié)器（通過添加外部PNP通電裝置）。當(dāng)AUXON引腳上的電壓大于1.19V調(diào)節(jié)器/比較器開啟。特殊電路當(dāng)作為低壓差調(diào)節(jié)器運行時，消耗較小的（20μa）偏置電流，同時仍保持穩(wěn)定。不當(dāng)輸入級過驅(qū)動時會產(chǎn)生過大電流當(dāng)用作比較器時。AUXDR引腳內(nèi)部連接至開路漏極MOSFET，可以下沉到10毫安。電壓開了AUXDR確定內(nèi)部12V電阻分壓器是否連接到AUXFB，如下所述。AAUXDR和電壓需要上拉電阻器不得超過28V。添加了一個外部PNP通過裝置，一個線性可提供高達0.5A的調(diào)節(jié)器。作為如圖12a所示，外部PNP連接器的底座與一個上拉電阻器連接至AUXDR引腳。外部集電極的輸出電壓VOAUXPNP由AUXFB引腳感測。可以獲取輔助調(diào)節(jié)器的輸入電壓從初級電感器上的二次繞組如圖11a所示。在此應(yīng)用程序中，SFB引腳調(diào)節(jié)PNP調(diào)節(jié)器的輸入電壓（參見SFB引腳操作），并應(yīng)設(shè)置為約1V至高于輔助設(shè)備所需輸出電壓2伏調(diào)節(jié)器。齊納二極管鉗可能需要保持VSEC在28V AUXDR引腳規(guī)格下主服務(wù)器負載過重，而輔助服務(wù)器負載不足。AUXFB引腳是調(diào)節(jié)器的反饋點。安內(nèi)部電阻分壓器可提供12V電壓只需將AUXFB直接連接到外部PNP的collector即可輸出。內(nèi)部電阻分壓器是當(dāng)AUXFB處的電壓高于9.5V時，選擇1V內(nèi)置磁滯。對于其他輸出電壓，外部電阻分壓器反饋至AUXFB，如中所示圖11b.輸出電壓VOAUX設(shè)置如下：電壓=1.19V（1+R8/R7）<8V AUXDR<8.5V電壓=12V AUXDR>12V該電路也可用作不可逆電壓比較器如圖11c所示。當(dāng)AUXFB下降時低于1.19V時，AUXDR引腳將拉低。將AUXDR引腳拉至5V用作比較器輸出時，用于連接1.5μa內(nèi)部電流源

最低準時注意事項

最小接通時間，噸（MIN）是LTC1436A/LTC1437A能夠轉(zhuǎn)動的時間頂部MOSFET開關(guān)。它由以下因素決定內(nèi)部定時延遲和轉(zhuǎn)動所需的柵極電荷在頂部的MOSFET上。低占空比應(yīng)用可能接近這一最小接通時間限制。如果占空比低于最低限度所能容納的限度準時，LTC1436A/LTC1437A將開始跳過循環(huán)。輸出電壓將繼續(xù)調(diào)節(jié)，但是紋波電流和紋波電壓會增加。因此應(yīng)該避免這種限制。

LTC1436A/LTC1437A在正確配置的應(yīng)用程序小于300ns，但是在低紋波電流振幅下增加（見圖12）。如果應(yīng)用程序預(yù)期在最小接通時間限制，必須選擇一個電感器值足夠低，足以提供足夠的紋波振幅滿足最低準時要求。確定正確的值，使用以下步驟：

1.計算最大供應(yīng)時的接通時間，噸（MIN）=（1/f）（VOUT/VIN（最大））。

2.使用圖12獲得峰間電感紋波電流占實現(xiàn)所需IMAX的百分比計算的噸（MIN）。

3.紋波振幅∆IL（MIN）=（圖12中的%）（IMAX）其中IMAX=0.1/RSENSE。

因為LTC1436A/LTC1437A的靈敏度接近最小值時的電流比較器在時限內(nèi)，防止雜散磁通是很重要的由感應(yīng)器在電流感應(yīng)電阻器使用核心。通過在電感器的徑向軸（見圖13），這種噪聲將最小化。

效率考慮因素

開關(guān)調(diào)節(jié)器的效率等于輸出功率除以輸入功率乘以100%。它是通常有助于分析個人損失以確定是在限制效率和會產(chǎn)生什么樣的變化最大的進步。效率可以表示為：效率=100%–（L1+L2+L3+…）式中，L1、L2等是單個損失的百分比輸入功率。雖然電路中的所有耗散元件都會產(chǎn)生損失，四個主要來源通常占LTC1436A/LTC1437A電路中的損耗：LTC1436A/LTC1437A VIN電流、INTVCC電流、I2R損耗和上部模塊MOSFET過渡損耗。1VIN電流是中給出的直流電源電流不包括MOSFET的電氣特性表驅(qū)動器和控制電流。VIN電流導(dǎo)致a較小（<1%）損失，隨車輛識別號（VIN）而增加。2INTVCC電流是MOSFET驅(qū)動器和控制電流。MOSFET驅(qū)動電流結(jié)果從開關(guān)電源的柵極電容莫斯費茨。每次MOSFET柵極從從低到高再到低，一包電荷dQ移動從INTVCC到地面。得到的dQ/dt是一個電流通常比控制電路電流。在連續(xù)模式下，IGATECHG=f（QT+QB），其中QT和QB是上部和底部MOSFET。因為這個原因自適應(yīng)功率輸出級切換到低低電流運行時的QT MOSFET。通過從輸出源驅(qū)動EXTVCC，駕駛員和控制電流將按占空比因數(shù)進行縮放/效率。例如，在20V到5V的應(yīng)用中，10毫安的INTVCC電流約為3毫安VIN電流。這減少了10%或更多（如果駕駛員直接從車輛識別號）只有百分之幾

3.I2R損耗由MOSFET，電感和電流分流。連續(xù)模式平均輸出電流流過L和但在主艙上部被“砍”了MOSFET和同步MOSFET。如果兩者大多數(shù)場效應(yīng)晶體管的RDS大致相同（ON），那么一個MOSFET的電阻可以簡單地求和利用L和RSENSE的電阻來獲得I2R損失。例如，如果每個RDS（ON）=0.05Ω，RL=0.15Ω，RSENSE=0.05Ω，則總電阻為0.25Ω。這會導(dǎo)致3%的損失當(dāng)輸出電流從0.5A增加到2A時為10%。在高輸出時，I2R損耗會導(dǎo)致效率下降電流。

4.過渡損耗僅適用于上部模塊MOSFET，在高輸入電壓下（通常為20伏或更高）。過渡損失可根據(jù)以下公式估算：過渡損耗=2.5（VIN）1.85（最大值）（CRSS）（f）其他損耗包括CIN和COUT ESR耗散損耗，死區(qū)內(nèi)的肖特基傳導(dǎo)損耗和電感器鐵心損耗，一般占2%以下額外損失總額。

檢查瞬態(tài)響應(yīng)

調(diào)節(jié)器回路的響應(yīng)可以通過查看負載瞬態(tài)響應(yīng)。開關(guān)調(diào)節(jié)器對直流（電阻）負載中的一個階躍響應(yīng)的幾個周期電流。當(dāng)加載步驟發(fā)生時，VOUT立即移動等于（∆ILOAD）（ESR）的量，其中ESR是有效串聯(lián)電阻。∆ILOAD也開始充電或放電產(chǎn)生反饋錯誤信號。調(diào)節(jié)器回路隨后動作，將VOUT返回至它的穩(wěn)態(tài)值。在這段恢復(fù)時間內(nèi)，你可以被監(jiān)控過沖或響鈴表示穩(wěn)定性問題。第i個外部組件如圖1所示，電路將為大多數(shù)應(yīng)用提供足夠的補償。

第二個更嚴重的瞬態(tài)是由接通引起的帶有大（>1μF）的負載提供旁路電容器。這個放電旁路電容器有效并聯(lián)用COUT，導(dǎo)致VOUT快速下降。沒有調(diào)節(jié)器可以如果負載開關(guān)電阻低，驅(qū)動速度快。唯一的解決方案是限制開關(guān)驅(qū)動器的上升時間，以便負荷上升時間限制在大約25（CLOAD）。因此，10μF電容器需要250μs的上升時間，將充電電流限制在200mA左右。汽車注意事項：插入點煙器隨著電池驅(qū)動設(shè)備的移動，自然有興趣插入點煙器以便在操作過程中保存電池組，甚至為其充電。但在連接之前，請注意：您正在插入地獄的補給。汽車的主電池線是許多惡劣的潛在瞬變的源頭，包括甩負荷、反接電池和雙電池。卸載是由于蓄電池電纜松動造成的。當(dāng)電纜斷開連接，交流發(fā)電機磁場崩潰會引起高達60V的正尖峰幾百毫秒的衰減時間。反向電池是就像上面說的，雙電池是拖車操作人員發(fā)現(xiàn)24V跨接起動曲柄冷發(fā)動機比12V快。圖14所示的網(wǎng)絡(luò)是保護DC/DC轉(zhuǎn)換器免受汽車電池線的破壞。串聯(lián)二極管防止電流在電池倒換時流動，而瞬態(tài)抑制器鉗制輸入電壓卸載期間。注意瞬態(tài)抑制器不應(yīng)在雙電池運行期間進行，但是必須仍然鉗制輸入電壓低于擊穿轉(zhuǎn)換器。盡管LTC1436A/LTC1437A的最大輸入電壓為36V，但大多數(shù)應(yīng)用將是MOSFET BVDSS限制為30V。

設(shè)計實例

作為設(shè)計示例，假設(shè)VIN=12V（標稱），VIN=22V（最大），VOUT=1.6V，IMAX=3A，f=250kHz，RSENSE可以立即計算COSC：

參考圖3，4.7μH電感器位于推薦范圍。檢查紋波電流使用以下公式：

最低占空比也出現(xiàn)在最大輸入時電壓。在這種情況下，運行時間應(yīng)為檢查以確保它不違反LTC1436A/LTC1437A的最小接通時間和原因跳過周期發(fā)生。在車輛識別號（VIN）時所需的接通時間為：

ΔIL先前計算為1.3A，即IMAX的43%。從圖12可以看出，LTC1436A/LTC1437A43%紋波時的最小接通時間約為235ns。因此，最短接通時間足夠且無循環(huán)將發(fā)生跳轉(zhuǎn)。頂部MOSFET的功耗可以是容易估計。選擇Siliconix Si4412DY結(jié)果輸入：RDS（開）=0.042Ω，CRSS=100pF。最大輸入時電壓T（估計值）=50°C：

最嚴格的同步要求當(dāng)VOUT=0（即短路）時，出現(xiàn)N溝道MOSFET電路）。在這種情況下，最壞情況下的耗散上升到：

當(dāng)0.033Ω感應(yīng)電阻器ISC（AVG）=4A時，將Si4412DY的功耗提高到950mW溫度105°C。CIN的額定電流均方根值至少為1.5A溫度。選擇COUT時，ESR為0.03Ω輸出紋波。連續(xù)模式下的輸出紋波為最高輸入電壓。輸出電壓ESR引起的波紋大約為：

PC板布局檢查表

當(dāng)布置印刷電路板時，以下內(nèi)容應(yīng)使用檢查表確保LTC1436A/LTC1437A。這些項目也有圖解說明如圖15的布局圖所示。檢查布局如下：1信號和電源接地是否隔離？這個LTC1436A/LTC1437A信號接地引腳必須返回至（–）盤子。電源接地連接到底部N溝道MOSFET的源，陽極肖特基二極管，和（–）板的CIN，應(yīng)該有盡可能短的引線長度。

2.LTC1436A/LTC1437A VOSENSE引腳是否連接到（+）盤的COUT？在可調(diào)應(yīng)用中電阻分壓器R1/R2必須連接在（+）蓋板和信號接地。100pF電容器應(yīng)盡可能接近LTC1436A/LTC1437A。

3.SENSE和SENSE+導(dǎo)線是否與最小PC記錄道間距？濾波電容器應(yīng)在SENSE+和SENSE–之間接近可用于LTC1436A/LTC1437A。

4.CIN的（+）板是否連接到盡可能靠近上部的MOSFET？該電容器為MOSFET提供交流電流。

5.INTVCC去耦電容器連接是否緊密在INTVCC和電源接地引腳之間？這種電容器攜帶MOSFET驅(qū)動器的峰值電流。

6.使交換節(jié)點SW遠離敏感的小信號節(jié)點。理想情況下，應(yīng)該放置交換機節(jié)點在LTC1436A/LTC1437A的最遠點。

7.將PLLIN線路從Boost和SW引腳布線至避免不必要的拾取（Boost和SW引腳具有高dV/dTs）。

8.SGND應(yīng)專門用于PLL LPF、COSC、ITH、LBI、SFB上的外部組件接地，VOSENSE和AUXFB引腳。

9.如果操作接近最小接通時間限制，則為感應(yīng)電阻位于感應(yīng)電機的徑向軸上？見圖13。

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