特征

256位

TTP（兩次可編程）設(shè)置和忘記電阻設(shè)置允許二次機(jī)會(huì)永久編程

在OTP（一次性編程）激活前無(wú)限制調(diào)整

OTP覆蓋允許使用用戶定義的預(yù)設(shè)值進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)整

端到端電阻：2.5 kΩ、10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ

緊湊型MSOP-10（3 mm×4.9 mm）包裝

快速穩(wěn)定時(shí)間：通電時(shí)tS=5μs

雨刮器寄存器的完全讀/寫

通電預(yù)設(shè)到中刻度

額外包地址解碼引腳AD0和AD1

單電源2.7 V至5.5 V

低溫系數(shù)：35 ppm/°C

低功耗，最大IDD=6μA

寬工作溫度：-40°C至+125°C

提供評(píng)估板和軟件

軟件在工廠編程應(yīng)用程序中取代了μC

應(yīng)用

系統(tǒng)校準(zhǔn)

電子水平設(shè)置

新設(shè)計(jì)中的Mechanical Trimmers®替代品

永久性工廠PCB設(shè)置

壓力、溫度、位置的傳感器調(diào)整，

化學(xué)和光學(xué)傳感器

射頻放大器偏壓

汽車電子調(diào)整

增益控制和偏移調(diào)整

概述

AD5170是一個(gè)256位，兩次可編程（TTP）數(shù)字電位器1，采用熔絲連接技術(shù)，使兩個(gè)機(jī)會(huì)在永久編程電阻設(shè)置。對(duì)于不需要在內(nèi)存中多次編程數(shù)字電位器設(shè)置的用戶，OTP是EEMEM的一種經(jīng)濟(jì)高效的替代方案。該裝置具有與機(jī)械電位器或可變電阻器相同的電子調(diào)節(jié)功能，具有增強(qiáng)的分辨率、固態(tài)可靠性和優(yōu)異的低溫系數(shù)性能。

AD5170使用2線、I2C®兼容數(shù)字接口編程。在永久（實(shí)際上有兩個(gè)機(jī)會(huì)）設(shè)置電阻值之前，允許無(wú)限調(diào)整。在OTP激活期間，一個(gè)永久性的吹掃保險(xiǎn)絲命令會(huì)凍結(jié)雨刮器的位置（類似于在機(jī)械修剪器上放置環(huán)氧樹脂）。

與傳統(tǒng)的OTP數(shù)字電位器不同，AD5170有一個(gè)獨(dú)特的臨時(shí)OTP覆蓋功能，即使在保險(xiǎn)絲熔斷后也可以進(jìn)行新的調(diào)整。但是，在隨后的通電條件下，將恢復(fù)TP設(shè)置。此功能允許用戶將這些數(shù)字電位器視為具有可編程預(yù)設(shè)的易失性電位器。

對(duì)于在工廠編程AD5170的應(yīng)用程序，模擬設(shè)備提供運(yùn)行在Windows NT®、2000和XP®操作系統(tǒng)上的設(shè)備編程軟件。該軟件有效地取代了任何外部I2C控制器，從而提高了用戶系統(tǒng)的上市時(shí)間。

功能框圖

典型性能特征

測(cè)試電路

圖24至圖29說(shuō)明了定義產(chǎn)品規(guī)格表中使用的測(cè)試條件的測(cè)試電路。

操作理論

AD5170是一種256位數(shù)字控制可變電阻器（VR），采用熔絲連接技術(shù)實(shí)現(xiàn)電阻設(shè)置的記憶保持。

內(nèi)部通電預(yù)設(shè)在通電期間將雨刮器置于中間刻度。如果OTP功能已激活，設(shè)備將以用戶定義的永久設(shè)置通電。

一次性編程（OTP）

在OTP激活之前，AD5170在初始通電期間預(yù)設(shè)為中刻度。雨刮器設(shè)置到所需位置后，可通過將T位編程設(shè)定為高，并采用適當(dāng)?shù)木幋a（見表7和表8）和一次VDD U OTP來(lái)永久設(shè)置電阻。請(qǐng)注意，AD517x系列數(shù)字電位器的熔絲連接技術(shù)要求5.25 V和5.5 V之間的VDD U OTP來(lái)熔斷保險(xiǎn)絲，以實(shí)現(xiàn)給定的非易失性設(shè)置。另一方面，VDD在運(yùn)行期間可以是2.7v到5.5v。因此，低于5.25 V的系統(tǒng)電源需要外部電源進(jìn)行一次性編程。請(qǐng)注意，用戶只允許一次嘗試熔斷器。如果用戶在第一次嘗試時(shí)未能引爆保險(xiǎn)絲，則保險(xiǎn)絲的結(jié)構(gòu)可能已發(fā)生變化，因此無(wú)論在隨后的事件中施加的能量如何，保險(xiǎn)絲都可能永遠(yuǎn)不會(huì)熔斷。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱電源設(shè)備注意事項(xiàng)部分。

設(shè)備控制電路有兩個(gè)驗(yàn)證位E1和E0，可以讀回以檢查編程狀態(tài)（見表7）。用戶應(yīng)始終讀回驗(yàn)證位，以確保保險(xiǎn)絲正確熔斷。保險(xiǎn)絲熔斷后，所有保險(xiǎn)絲閂鎖在隨后通電時(shí)啟用；因此，輸出與存儲(chǔ)的設(shè)置相對(duì)應(yīng)。圖30顯示了詳細(xì)的功能框圖。

編程可變電阻和電壓

變阻器操作

端子A和端子B之間的RDAC標(biāo)稱電阻為2.5 kΩ、10 kΩ、50 kΩ和100 kΩ。VR的標(biāo)稱電阻（RAB）有256個(gè)觸點(diǎn)可通過雨刮器端子連接，再加上B端子觸點(diǎn)。RDAC鎖存器中的8位數(shù)據(jù)被解碼以選擇256個(gè)可能的設(shè)置之一。

假設(shè)使用10 kΩ零件，雨刮器的第一次連接從數(shù)據(jù)0x00的B端子開始。由于雨刮器接觸電阻為50Ω，因此這種連接在端子W和端子B之間產(chǎn)生最小100Ω（2×50Ω）的電阻。第二個(gè)連接是第一個(gè)抽頭，對(duì)應(yīng)于139Ω（RWB=RAB/256+2×RW=39Ω+2×50Ω）對(duì)于數(shù)據(jù)0x01。第三個(gè)連接是下一個(gè)抽頭點(diǎn)，代表數(shù)據(jù)0x02的178Ω（2×39Ω+2×50Ω），依此類推。每增加一個(gè)LSB數(shù)據(jù)值，雨刮器就會(huì)沿著電阻器階梯向上移動(dòng)，直到最后一個(gè)分接點(diǎn)在10100Ω（RAB+2×RW）處斷開。

確定端子W和端子B之間數(shù)字編程輸出電阻的一般方程式為：

其中，D是加載到8位RDAC寄存器中的二進(jìn)制代碼的十進(jìn)制等效值，RAB是端到端電阻，RW是內(nèi)部開關(guān)通電電阻產(chǎn)生的刮水器電阻。

總之，如果RAB=10 kΩ且A端子開路，則RDAC鎖存代碼的輸出電阻RWB設(shè)置為表5所示。

注意，在零刻度條件下，存在100Ω的有限雨刮器電阻。應(yīng)注意將該狀態(tài)下端子W和端子B之間的電流限制在最大脈沖電流不超過20 mA。否則，內(nèi)部開關(guān)觸點(diǎn)可能會(huì)退化或損壞。

與機(jī)械電位計(jì)類似，雨刮器端子W和端子A之間的RDAC電阻也會(huì)產(chǎn)生數(shù)字控制的互補(bǔ)電阻RWA。

使用這些端子時(shí)，B端子可以打開。為RWA設(shè)置電阻值從電阻的最大值開始，并隨著鎖存器中加載的數(shù)據(jù)值的增加而減小。這個(gè)操作的一般方程是：

對(duì)于RAB=10 kΩ且B端子開路，為RDAC鎖存代碼設(shè)置以下輸出電阻RWA，如表6所示。

典型的器件對(duì)器件匹配取決于工藝批次，并且可能會(huì)有高達(dá)±30%的變化。由于電阻元件是用薄膜技術(shù)加工而成的，RAB隨溫度的變化具有非常低的35 ppm/°C溫度系數(shù)。

編程電位計(jì)分壓器

電壓輸出操作

數(shù)字電位計(jì)很容易在雨刮器至B和雨刮器至a處產(chǎn)生一個(gè)與a至B處的輸入電壓成比例的分壓器。與VDD到GND的極性（必須為正）不同，a–B、W–a和W–B之間的電壓可以是任意極性。

如果忽略雨刮器電阻的影響以獲得近似值，則將A端子連接至5 V，將B端子連接至接地，在雨刮器至B處產(chǎn)生一個(gè)從0 V到1 LSB小于5 V的輸出電壓。每個(gè)電壓LSB等于施加在端子AB上的電壓除以電位計(jì)分壓器的256個(gè)位置。定義施加在端子A和端子B上的任何有效輸入電壓在VW時(shí)相對(duì)于地的輸出電壓的一般方程為：

為了進(jìn)行更精確的計(jì)算（包括刮水器阻力的影響），VW可以如下所示：

分壓器在數(shù)字模式下的操作更精確。與變阻器模式不同，輸出電壓主要取決于內(nèi)部電阻RWA和RWB的比值，而不是ab 溶質(zhì)值。因此，溫度漂移降低到15 ppm/°C。

ESD保護(hù)

所有數(shù)字輸入SDA、SCL、AD0和AD1均采用串聯(lián)輸入電阻和并聯(lián)齊納ESD結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)，如圖34和圖35所示。

終端電壓工作范圍

AD5170 VDD至GND電源定義了3端數(shù)字電位器正常工作的邊界條件。端子A、端子B和端子W上出現(xiàn)的超過VDD或GND的電源信號(hào)將被內(nèi)部正向偏置二極管鉗制（見圖36）。

通電順序

由于ESD保護(hù)二極管限制了端子A、端子B和端子W的電壓合規(guī)性（見圖36），所以在向端子A、端子B和端子W施加任何電壓之前，必須為VDD/GND供電。否則，二極管將是正向偏壓的，這樣VDD會(huì)無(wú)意中通電，并可能影響用戶電路的其余部分。理想的通電順序是GND、VDD、數(shù)字輸入，然后是VA/VB/VW。只要在VDD/GND之后供電，VA、VB、VW和數(shù)字輸入的相對(duì)順序并不重要。

電源考慮事項(xiàng)

為了減少封裝引腳數(shù)，一次性編程和正常工作電壓電源共用AD5170的同一個(gè)VDD端子。AD5170采用熔絲連接技術(shù)，需要5.25 V到5.5 V來(lái)熔斷內(nèi)部保險(xiǎn)絲，以實(shí)現(xiàn)給定的設(shè)置，但在保險(xiǎn)絲編程過程后，正常VDD可以在2.7 V到5.5 V之間的任何位置。因此，如果系統(tǒng)VDD低于所需的VDD U OTP，則需要雙電壓供電和隔離。保險(xiǎn)絲編程電源（車載調(diào)節(jié)器或機(jī)架式電源）的額定電壓必須為5.25 V至5.5 V，并且能夠提供100 mA電流，持續(xù)400 ms，以便成功地進(jìn)行一次編程。保險(xiǎn)絲編程完成后必須移除VDD U OTP電源，以允許在2.7 V至5.5 V的電壓下正常工作，并且設(shè)備將消耗以μA為單位的電流范圍。圖37顯示了使用跳線實(shí)現(xiàn)雙電源要求的最簡(jiǎn)單方法。這種方法節(jié)省了一個(gè)電壓供應(yīng)，但需要額外的電流，需要手動(dòng)配置。

在3.5V至5.25V系統(tǒng)中，另一種方法是在系統(tǒng)電源和OTP電源之間添加一個(gè)信號(hào)二極管，用于隔離，如圖38所示。

對(duì)于在2.7V電壓下操作系統(tǒng)的用戶，建議使用雙向低閾值P-Ch mosfet來(lái)隔離電源。如圖39所示，這假設(shè)首先施加2.7 V系統(tǒng)電壓，P1和P2柵極被拉到地上，從而打開P1，隨后打開P2。因此，AD5170的VDD接近2.7 V。當(dāng)發(fā)現(xiàn)AD5170設(shè)置時(shí)，工廠測(cè)試儀將VDD_OTP應(yīng)用于VDD和MOSFETs柵極，關(guān)閉P1和P2。在這個(gè)時(shí)間，程序在ad7.5被保護(hù)，而在ad7.5程序被保護(hù)。一旦保險(xiǎn)絲編程完成，測(cè)試儀將退出VDD U OTP，AD5170的設(shè)置將永久固定。

AD5170通過熔斷內(nèi)部保險(xiǎn)絲來(lái)實(shí)現(xiàn)OTP功能。用戶應(yīng)始終在第一次嘗試保險(xiǎn)絲編程時(shí)應(yīng)用5.25 V至5.5 V一次性編程電壓要求。不遵守此要求可能導(dǎo)致保險(xiǎn)絲結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，導(dǎo)致編程無(wú)法操作。

不良的PCB布局引入寄生，可能影響保險(xiǎn)絲編程。因此，建議在盡可能靠近VDD形管腳的地方并聯(lián)10μF鉭電容器和1 nF陶瓷電容器。為兩個(gè)電容器選擇的類型和值很重要。這種電容值的組合提供了快速響應(yīng)和更大的電源電流處理，同時(shí)在瞬變過程中使電源電壓降最小。因此，這些電容器通過不抑制引爆內(nèi)部保險(xiǎn)絲所需的適當(dāng)能量來(lái)提高OTP編程成功率。此外，c1使瞬態(tài)干擾和低頻紋波最小化，而C2在正常運(yùn)行期間降低了高頻噪聲。

布局注意事項(xiàng)

最好采用緊湊、最小引線長(zhǎng)度的布局設(shè)計(jì)。輸入端的導(dǎo)線應(yīng)盡可能直接，導(dǎo)線長(zhǎng)度應(yīng)最小。接地路徑應(yīng)具有低電阻和低電感。

請(qǐng)注意，數(shù)字接地還應(yīng)在一個(gè)點(diǎn)遠(yuǎn)程連接到模擬接地，以盡量減少接地反彈。

評(píng)估軟件/硬件

有兩種控制AD5170的方法。用戶可以使用計(jì)算機(jī)軟件或外部I2C控制器對(duì)設(shè)備進(jìn)行編程。

軟件編程

由于一次性可編程特性的優(yōu)點(diǎn)，用戶可以考慮在將最終產(chǎn)品交付給最終用戶之前在工廠對(duì)設(shè)備進(jìn)行編程。ADI提供設(shè)備編程軟件，可在出廠時(shí)在運(yùn)行Windows®95或更高版本的PC上實(shí)現(xiàn)。因此，不需要外部控制器，這大大縮短了開發(fā)時(shí)間。程序是一個(gè)不需要任何編程語(yǔ)言知識(shí)或編程技能的可執(zhí)行文件。它易于設(shè)置和使用。圖41顯示了軟件界面。

在OTP編程之前，AD5170在通電后的中刻度啟動(dòng)。要增加或減少阻力，用戶只需移動(dòng)左側(cè)的滾動(dòng)條。要寫入任何特定的值，用戶應(yīng)該使用上面屏幕中的位模式并按Run按鈕。向設(shè)備寫入數(shù)據(jù)的格式如表7所示。一旦用戶找到永久鏈接程序，按下所需的保險(xiǎn)絲按鈕。

要從設(shè)備中讀取驗(yàn)證位和數(shù)據(jù)，用戶只需按下“讀取”按鈕。讀取位的格式如表8所示。

要在工廠應(yīng)用設(shè)備編程軟件，用戶必須修改并行端口電纜，并為控制信號(hào)分別配置插腳2、插腳3、插腳15和插腳25，以分別用于SDA_write、SCL、SDA_read和DGND（圖42）。用戶還應(yīng)使用SCL和SDA焊盤布置AD5170的PCB，如圖43所示，這樣可以插入pogo引腳進(jìn)行工廠編程。

I2C接口

S=啟動(dòng)條件。

P=停止條件。

A=確認(rèn)。

AD0，AD1=封裝引腳可編程地址位。

X=不在乎。

W=寫入。

R=讀取。

2T=用于兩次編程的第二個(gè)熔絲連接陣列。邏輯0對(duì)應(yīng)于第一個(gè)微調(diào)。邏輯1對(duì)應(yīng)于第二微調(diào)。

請(qǐng)注意，在微調(diào)1之前吹氣微調(diào)2會(huì)有效地禁用微調(diào)1，而反過來(lái)只允許一次性編程。

SD=關(guān)閉將雨刮器連接到B端子并斷開A端子。它不會(huì)改變雨刮器寄存器的內(nèi)容。

T=OTP編程位。邏輯1永久編程雨刮器。

OW=覆蓋保險(xiǎn)絲設(shè)置并將數(shù)字電位計(jì)編程為不同的設(shè)置。請(qǐng)注意，通電后，數(shù)字電位計(jì)根據(jù)保險(xiǎn)絲連接是否熔斷而預(yù)設(shè)為中刻度或保險(xiǎn)絲設(shè)置。

D7、D6、D5、D4、D3、D2、D1、D0=數(shù)據(jù)位。

E1，E0=OTP驗(yàn)證位。

0，0=準(zhǔn)備編程。

1，0=致命錯(cuò)誤。有些保險(xiǎn)絲沒有熔斷。不要重試。丟棄此單元。

1，1=編程成功。無(wú)法進(jìn)一步調(diào)整。

I2C兼容2線串行總線

2線I2C串行總線協(xié)議的工作原理如下：

1.主機(jī)通過建立一個(gè)啟動(dòng)條件來(lái)啟動(dòng)數(shù)據(jù)傳輸，即當(dāng)SCL為高時(shí)，SDA線路上發(fā)生從高到低的轉(zhuǎn)換（見圖45）。下面的字節(jié)是從地址字節(jié)，它包括后接R/W位的從機(jī)地址（該位決定數(shù)據(jù)是從設(shè)備讀寫的）。AD0和AD1是可配置的地址位，允許一條總線上最多有四個(gè)設(shè)備（見表7）。

在第九個(gè)時(shí)鐘脈沖期間，與發(fā)送的地址位相對(duì)應(yīng)的從機(jī)地址將SDA線拉低（這稱為確認(rèn)位）。在這個(gè)階段，總線上的所有其他設(shè)備保持空閑，而所選設(shè)備等待數(shù)據(jù)寫入或從其串行寄存器讀取。如果R/W位高，主設(shè)備將從設(shè)備讀取數(shù)據(jù)。如果R/W位低，主設(shè)備將寫入從設(shè)備。

2.在寫入模式下，第二個(gè)字節(jié)是指令字節(jié)。指令字節(jié)的第一位（MSB）2T是第二個(gè)微調(diào)啟用位。第二個(gè)邏輯陣列選擇一個(gè)高邏輯陣列，第二個(gè)邏輯陣列選擇低邏輯。這意味著在用trim#1熔斷后，用戶還有機(jī)會(huì)再次用trim#2熔斷。請(qǐng)注意，在trim 1之前使用trim#2會(huì)有效地禁用trim#1，而反過來(lái)，只允許一次性編程。

第二個(gè)MSB SD是一個(gè)關(guān)閉位。邏輯高導(dǎo)致雨刮器與端子B短路時(shí)端子A開路。此操作在變阻器模式下產(chǎn)生幾乎0Ω，在電位計(jì)模式下產(chǎn)生0 V。需要注意的是，關(guān)閉操作不會(huì)干擾寄存器的內(nèi)容。當(dāng)脫離停機(jī)時(shí)，先前的設(shè)置應(yīng)用于RDAC。此外，在停機(jī)期間，可以編程新的設(shè)置。當(dāng)部件從關(guān)機(jī)狀態(tài)返回時(shí)，相應(yīng)的VR設(shè)置將應(yīng)用于RDAC。

第三個(gè)MSB，T，是OTP（一次性可編程）編程位。一個(gè)邏輯高壓熔斷器熔斷，并對(duì)電阻器設(shè)置進(jìn)行永久性編程。例如，如果用戶想炸掉第一組保險(xiǎn)絲，指令字節(jié)將是00100XXX。要引爆第二個(gè)熔絲陣列，指令字節(jié)將是10100XXX。T位的邏輯低僅允許設(shè)備充當(dāng)?shù)湫偷囊资詳?shù)字電位器。

第四個(gè)MSB必須始終位于邏輯0處。

第五個(gè)MSB，OW，是一個(gè)覆蓋位。當(dāng)上升到邏輯高電平時(shí)，OW允許在內(nèi)部保險(xiǎn)絲熔斷后更改RDAC設(shè)置。但是，一旦OW返回到邏輯零，RDAC的位置將返回到覆蓋之前的設(shè)置。因?yàn)镺W不是靜態(tài)的，如果設(shè)備斷電或打開，RDAC會(huì)根據(jù)保險(xiǎn)絲是否已永久設(shè)置，將其預(yù)設(shè)為中間刻度或保險(xiǎn)絲熔斷時(shí)的設(shè)置。

指令字節(jié)中剩余的位是無(wú)所謂位（參見圖45）。

在確認(rèn)指令字節(jié)后，寫入模式下的最后一個(gè)字節(jié)是數(shù)據(jù)字節(jié)。數(shù)據(jù)在串行總線上以9個(gè)時(shí)鐘脈沖的順序傳輸（8個(gè)數(shù)據(jù)位后接一個(gè)確認(rèn)位）。SDA線路上的轉(zhuǎn)換必須發(fā)生在SCL的低周期，并在SCL的高周期保持穩(wěn)定（見圖44）。

3.在讀取模式下，數(shù)據(jù)字節(jié)緊跟在從屬地址字節(jié)的確認(rèn)之后。數(shù)據(jù)以9個(gè)時(shí)鐘脈沖的順序通過串行總線傳輸（與寫入模式稍有不同，8個(gè)數(shù)據(jù)位后跟一個(gè)確認(rèn)位）。同樣，SDA線上的轉(zhuǎn)換必須發(fā)生在SCL的低周期，并且在SCL的高周期保持穩(wěn)定（見圖46）。

在數(shù)據(jù)字節(jié)之后，驗(yàn)證字節(jié)包含兩個(gè)驗(yàn)證位：E0和E1。這些位表示一次性編程的狀態(tài)（參見圖46）。

4.在所有的數(shù)據(jù)位都被讀或?qū)懼螅鳈C(jī)將建立一個(gè)停止條件。停止條件被定義為當(dāng)SCL為高時(shí)SDA線路上從低到高的轉(zhuǎn)換。在寫入模式下，主機(jī)在第10個(gè)時(shí)鐘脈沖期間將SDA線拉高，以建立停止條件（見圖45）。在讀取模式下，主機(jī)對(duì)第9個(gè)時(shí)鐘脈沖發(fā)出“無(wú)應(yīng)答”（即SDA線保持高電平）。然后，主機(jī)在第10個(gè)時(shí)鐘脈沖之前將SDA線調(diào)低，該脈沖變高，以建立停止條件（見圖46）。

重復(fù)寫入功能使用戶可以在尋址和指令部件一次之后，靈活地多次更新RDAC輸出。例如，RDAC在寫入模式下確認(rèn)了它的從屬地址和指令字節(jié)之后，RDAC輸出會(huì)在每個(gè)連續(xù)的字節(jié)上更新。如果需要不同的指令，寫/讀模式必須用新的從機(jī)地址、指令和數(shù)據(jù)字節(jié)重新啟動(dòng)。同樣，也允許RDAC的重復(fù)讀取功能。

一條總線上有多個(gè)設(shè)備

圖47顯示了同一串行總線上的四個(gè)AD5170。每個(gè)都有不同的從機(jī)地址，因?yàn)樗鼈兊腁D0和AD1引腳的狀態(tài)不同。這允許總線上的每個(gè)設(shè)備獨(dú)立地被寫入或讀取。主設(shè)備輸出總線驅(qū)動(dòng)程序是一個(gè)完全兼容I2C接口的開漏式下拉驅(qū)動(dòng)器。

外形尺寸

1、評(píng)估板附帶10 kΩRAB電阻器選件；但是，該板兼容所有可用的電阻值選項(xiàng)。

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