特色

從5V到12V的靈活電源

電源轉(zhuǎn)換輸入低至1.5V

1%輸出電壓精度

大電流集成驅(qū)動(dòng)器

輸出電壓可調(diào)

0.8V內(nèi)部基準(zhǔn)

簡(jiǎn)單電壓模式控制回路

無(wú)傳感器和可編程O(píng)CP

低側(cè)RdsON

振蕩器內(nèi)部固定在300kHz

內(nèi)部軟啟動(dòng)

LS-LESS管理預(yù)偏壓?jiǎn)?dòng)

禁用功能

OV/UV防護(hù)

FB斷開(kāi)保護(hù)

SO-8包裝

應(yīng)用

子系統(tǒng)電源（MCH、IOCH、PCI…）

存儲(chǔ)器和終端電源

CPU和DSP電源

分布式電源

通用DC/DC轉(zhuǎn)換器

說(shuō)明

L6727是單相降壓控制器集成大電流驅(qū)動(dòng)器，提供完整的控制邏輯、保護(hù)和參考電壓實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單易行通用型DC-DC變換器SO-8包。設(shè)備靈活性允許管理轉(zhuǎn)換電源輸入VIN低至1.5V和設(shè)備電源電壓在5V到12V之間。L6727提供了簡(jiǎn)單的控制回路電壓模式誤差放大器。集成0.8V基準(zhǔn)允許調(diào)節(jié)輸出電壓在線(xiàn)路和溫度范圍內(nèi)精度為±1%變化。振蕩器內(nèi)部固定為300kHz。L6727提供可編程過(guò)電流保護(hù)以及過(guò)電壓和欠電壓保護(hù)。監(jiān)控當(dāng)前信息跨低側(cè)mosfet的RdsON節(jié)省使用具有昂貴和占用空間的感覺(jué)監(jiān)控輸出電壓時(shí)的電阻通過(guò)FB引腳。FB斷開(kāi)保護(hù)防止過(guò)度以及浮動(dòng)時(shí)的危險(xiǎn)輸出電壓FB引腳。

電氣特性

（VCC=12V；TA=-20°C至+85°C，除非另有規(guī)定）。

電氣特性（續(xù)）

（VCC=12V；TA=-20°C至+85°C，除非另有規(guī)定）。

1.設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)測(cè)試。

設(shè)備說(shuō)明

L6727是一個(gè)單相PWM控制器，內(nèi)置大電流驅(qū)動(dòng)器，提供完整的控制邏輯和保護(hù)，以簡(jiǎn)單易行的方式實(shí)現(xiàn)一個(gè)通用的DC  DC降壓變換器。設(shè)計(jì)用于在同步buck中驅(qū)動(dòng)N溝道m(xù)osfet拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，由于其高度集成，這8針設(shè)備允許降低成本和尺寸電源解決方案。L6727設(shè)計(jì)為通過(guò)5V或12V電源總線(xiàn)工作。多虧了高精度0.8V內(nèi)參比，輸出電壓可精確調(diào)節(jié)到0.8V以下在線(xiàn)路和溫度變化范圍內(nèi)（0°C和+70°C之間），精度為±1%。開(kāi)關(guān)頻率在內(nèi)部設(shè)置為300kHz。該裝置提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的控制回路和一個(gè)電壓模式誤差放大器。誤差放大器具有15MHz增益帶寬乘積和8V/μs轉(zhuǎn)換率，允許高快速瞬態(tài)響應(yīng)的調(diào)節(jié)器帶寬。提供L27過(guò)載保護(hù)，避免過(guò)電壓損壞，欠壓和反饋斷開(kāi)保護(hù)。當(dāng)設(shè)備由5V供電時(shí)，過(guò)電流跳閘閾值可通過(guò)一個(gè)簡(jiǎn)單的電阻器進(jìn)行編程。輸出電流被監(jiān)控跨過(guò)低側(cè)MOSFET的RdsON，節(jié)省了使用昂貴和占用空間的感覺(jué)電阻器。輸出電壓和反饋斷開(kāi)通過(guò)FB引腳進(jìn)行監(jiān)控。L6727實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)，在5.1ms內(nèi)將內(nèi)部參考電壓從0V增加到0.8V（典型值）閉環(huán)調(diào)節(jié)。低側(cè)無(wú)功能允許設(shè)備執(zhí)行軟啟動(dòng)預(yù)偏壓輸出避免通過(guò)輸出電感器的高電流回流和危險(xiǎn)負(fù)載側(cè)出現(xiàn)負(fù)尖峰。

不同類(lèi)型的集成FET驅(qū)動(dòng)器也允許使用高功率的MOSFET多個(gè)mosfet以減少等效RdsON），保持快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。高壓側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器使用啟動(dòng)引腳供電，相位引腳用于返回。低側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器使用VCC管腳供電，GND管腳用于回路。該控制器包含一個(gè)反射穿和自適應(yīng)死區(qū)控制，以最小化側(cè)體二極管導(dǎo)通時(shí)間低，在保持良好效率的同時(shí)節(jié)約使用肖特基二極管：

為了檢查高壓側(cè)MOSFET關(guān)斷，檢測(cè)相位引腳。當(dāng)電壓在相位引腳下降，低側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)突然應(yīng)用；

為了檢查低壓側(cè)MOSFET關(guān)閉，檢測(cè)LGATE引腳。當(dāng)LGATE處的電壓下降了，高壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)突然應(yīng)用。如果電感器中的電流為負(fù)，則相引腳上的電壓將永遠(yuǎn)不會(huì)下降。到允許低側(cè)MOSFET開(kāi)啟，即使在這種情況下，看門(mén)狗控制器被啟用：如果高邊MOSFET的源不下降，低邊MOSFET是這樣接通的允許感應(yīng)器的負(fù)電流再循環(huán)。此機(jī)制允許即使電流是負(fù)的，系統(tǒng)也要調(diào)節(jié)。電源轉(zhuǎn)換輸入靈活：5V、12V總線(xiàn)或任何允許轉(zhuǎn)換的總線(xiàn)（請(qǐng)參閱表5）中的最大工作循環(huán)限制和建議的工作條件可以是自由選擇。

功耗

對(duì)于高側(cè)MOS FET和高側(cè)埋置FET:27都是低電流驅(qū)動(dòng)然后重要的是要考慮設(shè)備在驅(qū)動(dòng)它們的過(guò)程中所消耗的能量以避免克服最高結(jié)工作溫度。影響器件功耗的主要因素有兩個(gè)：偏置功率和驅(qū)動(dòng)器功率。設(shè)備偏置功率（PDC）取決于通過(guò)提供引腳，可簡(jiǎn)單量化如下（假設(shè)提供HS和LS具有相同VCC的設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序）：

駕駛員電源是駕駛員持續(xù)打開(kāi)和關(guān)閉外部mosfet；它是開(kāi)關(guān)頻率和總柵電荷的函數(shù)選定的MOSFET。考慮到總功率PSW可以量化耗散開(kāi)關(guān)MOSFET（易于計(jì)算）由三個(gè)主要的耗散因素：外部柵電阻（如果存在）、本征MOSFET電阻和固有驅(qū)動(dòng)器電阻。最后一個(gè)學(xué)期是我們下定決心要做的重要的一個(gè)學(xué)期計(jì)算設(shè)備功耗。總功率消耗MOSFETs結(jié)果：

其中VBOOT-VPHASE是自舉電容器上的電壓。

外部柵極電阻有助于器件耗散開(kāi)關(guān)功率，因?yàn)楣β蔖SW將在內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器阻抗和外部電阻器之間共享導(dǎo)致設(shè)備普遍冷卻。

軟啟動(dòng)和禁用

L6727實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)，以平穩(wěn)地為輸出濾波器充電，避免了高沖激輸入電源所需的電流。裝置逐漸增加內(nèi)部參考電壓從0V到0.8V，大約5.1ms，閉環(huán)調(diào)節(jié)，逐漸將輸出電容器充電至最終調(diào)節(jié)電壓。如果在軟啟動(dòng)期間觸發(fā)過(guò)電流，過(guò)電流邏輯將超控軟啟動(dòng)順序，并將關(guān)閉內(nèi)部軟啟動(dòng)剩余時(shí)間（最多2048個(gè)時(shí)鐘周期）加上2048個(gè)時(shí)鐘周期，則開(kāi)始一個(gè)新的軟開(kāi)始。只有當(dāng)VCC電源高于UVLO閾值時(shí)，設(shè)備才開(kāi)始軟啟動(dòng)階段過(guò)電流閾值設(shè)置階段已經(jīng)完成。

低側(cè)無(wú)啟動(dòng)（LSLess）

為了管理預(yù)偏置輸出的啟動(dòng)，L6727在啟用LS驅(qū)動(dòng)器切換：在軟啟動(dòng)階段，LS驅(qū)動(dòng)器結(jié)果禁用（LS=OFF）直到HS開(kāi)始切換。這避免了輸出上的危險(xiǎn)負(fù)尖峰在預(yù)偏壓輸出上啟動(dòng)時(shí)可能發(fā)生的電壓。如果輸出電壓預(yù)先偏置到低于編程電壓的電壓，則除非軟啟動(dòng)斜坡超過(guò)輸出預(yù)偏壓，否則LS將開(kāi)啟；然后VOUT將從那里上升，沒(méi)有任何下降或電流回流。如果輸出電壓預(yù)先偏置到高于編程電壓的電壓，HS將不要開(kāi)始切換。在這種情況下，在軟啟動(dòng)時(shí)間結(jié)束時(shí)，LS啟用并放電輸出到最終調(diào)節(jié)值。該設(shè)備的這一特殊功能僅從控制回路點(diǎn)屏蔽LS開(kāi)啟觀點(diǎn)：保護(hù)旁路無(wú)LSFET，在需要時(shí)打開(kāi)LS mosfet。

啟用/禁用

在0.5V（典型值）以下，可通過(guò)外部推動(dòng)COMP/DIS引腳來(lái)禁用該設(shè)備。在禁用條件HS和LS MOSFET關(guān)閉，20μa電流來(lái)自補(bǔ)償/顯示引腳。釋放引腳，電流會(huì)將其拉過(guò)閾值，從而使設(shè)備允許再次執(zhí)行新的SS。要禁用設(shè)備，外部下拉需要克服10mA的COMP輸出電流約為15μs。一旦禁用，COMP輸出電流將降至20μA。

過(guò)電流保護(hù)

過(guò)流特性通過(guò)以下方式保護(hù)轉(zhuǎn)換器免受短路輸出或過(guò)載感測(cè)通過(guò)低側(cè)MOSFET漏源導(dǎo)通電阻的輸出電流信息，RdsON。這種方法通過(guò)避免使用昂貴和占用空間的傳感電阻。低壓側(cè)RdsON電流檢測(cè)是通過(guò)比較相電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的當(dāng)LS MOSFET以編程的OCP閾值電壓打開(kāi)時(shí)，內(nèi)部持有。如果監(jiān)測(cè)到的電壓降（GND至相位）超過(guò)此閾值，則檢測(cè)到過(guò)電流事件。如果連續(xù)兩次檢測(cè)到兩次過(guò)電流事件切換周期后，保護(hù)將觸發(fā)，設(shè)備將同時(shí)關(guān)閉LS和HS2048個(gè)時(shí)鐘周期的MOSFET（加上內(nèi)部SS剩余時(shí)間，如果在SS期間觸發(fā)然后它將開(kāi)始一個(gè)新的軟啟動(dòng)。如果不消除過(guò)電流狀況，持續(xù)故障將導(dǎo)致L6727進(jìn)入典型周期為13.6ms的中斷模式（圖5），保證安全負(fù)載保護(hù)以及非常低的功耗。

過(guò)電流閾值設(shè)置

當(dāng)提供VCC=5V時(shí)，L6727允許輕松編程過(guò)電流閾值范圍從50mV到500mV，只需在COMP和VCC。在第一次啟用后的短時(shí)間內(nèi)（5.5ms-6.5ms）（給定VCC結(jié)束UVLO閾值），內(nèi)部60μA電流（IOCSET）從COMP引腳沉下，確定通過(guò)ROCSET的電壓降。在VCC和COMP除以因子3，將被采樣并由設(shè)備內(nèi)部保存下一次VCC循環(huán)前的電流閾值。差分傳感與VCC允許OCSET程序完全獨(dú)立于車(chē)輛識(shí)別號(hào)軌道。OC設(shè)置程序總時(shí)間長(zhǎng)度范圍從5.5ms到6.5ms，與設(shè)置的閾值成比例。在COMP和VCC之間連接ROCSET電阻，編程設(shè)定的閾值將比利時(shí)：

ROCSET值的范圍為2.5kΩ至25kΩ。

如果ROCSET上的電壓降太低，系統(tǒng)將對(duì)啟動(dòng)非常敏感勵(lì)磁涌流和噪聲。這可能導(dǎo)致連續(xù)的OCP觸發(fā)和打嗝模式。在這種情況下，考慮增加ROCSET值。如果ROCSET未連接（且VCC=5V），設(shè)備將設(shè)置最大值門(mén)檻。如果設(shè)備的VCC高于7V，則不得連接ROCSET。在這個(gè)在這種情況下，一旦VCC上升到VCC_OC（8V典型值），L6727將OC閾值切換到400 mV（內(nèi)部固定值）。OC閾值設(shè)置和軟啟動(dòng)示波器采樣波形見(jiàn)圖5

輸出電壓監(jiān)視器和保護(hù)

L6727監(jiān)控FB引腳處的電壓，并按順序?qū)⑵渑c內(nèi)部參考電壓進(jìn)行比較提供欠壓和過(guò)壓保護(hù)。

欠壓保護(hù)

如果FB引腳處的電壓降至紫外閾值（0.6V典型值）以下，則裝置將關(guān)閉兩個(gè)HS而LS-MOSFETs則等待2048個(gè)時(shí)鐘周期，然后執(zhí)行新的軟啟動(dòng)。如果低于電壓條件未消除，設(shè)備進(jìn)入中斷模式，典型周期為13.6毫秒。從軟啟動(dòng)結(jié)束時(shí)，UVP處于活動(dòng)狀態(tài)。

過(guò)電壓保護(hù)

如果FB引腳處的電壓升高超過(guò)OV閾值（1V典型值），過(guò)電壓保護(hù)關(guān)閉HS只要過(guò)電壓為檢測(cè)。一旦過(guò)電流閾值設(shè)置階段出現(xiàn)，OVP始終以最高優(yōu)先級(jí)激活已完成。

反饋斷線(xiàn)保護(hù)

為了在FB引腳未連接的情況下提供負(fù)載保護(hù)，100nA偏置電流總是從這個(gè)別針。如果FB引腳未連接，該電流將永久性上升FB超過(guò)OVP閾值：因此LS將被鎖定，以防止輸出電壓升高控制權(quán)。

欠壓閉鎖

為了避免電源電壓過(guò)低時(shí)器件的異常行為支持其內(nèi)部軌道，提供UVLO：當(dāng)VCC達(dá)到時(shí)，設(shè)備將啟動(dòng)UVLO上限，當(dāng)VCC低于UVLO下限閾值時(shí)將關(guān)閉。4.1V最大UVLO上限允許L6727從5V和12V供電二極管配置中的總線(xiàn)。

應(yīng)用程序詳細(xì)信息

輸出電壓選擇

L6727能夠精確調(diào)節(jié)低至0.8V的輸出電壓帶有一個(gè)固定的0.8V內(nèi)部基準(zhǔn)，保證輸出調(diào)節(jié)電壓在±1%公差范圍內(nèi)，溫度變化在0°C和+70°C之間分壓器，不包括輸出電阻）。輸出電壓高于0.8V可以很容易地通過(guò)增加一個(gè)電阻ROS之間FB引腳和接地。參考圖1，穩(wěn)態(tài)直流輸出電壓為：

其中VREF為0.8V。

補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)

圖6所示的控制回路是電壓模式控制回路。誤差放大器是電壓模式類(lèi)型。輸出電壓調(diào)節(jié)為內(nèi)部基準(zhǔn)（如果存在，在控制回路計(jì)算中，可以忽略FB節(jié)點(diǎn)和GND之間的偏移電阻）。誤差放大器輸出與振蕩器鋸齒波相比較，以提供PWM信號(hào)到駕駛室去。然后PWM信號(hào)通過(guò)VIN傳輸?shù)介_(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振幅。該波形由輸出濾波器濾波。轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)是輸出之間的小信號(hào)傳遞函數(shù)EA和VOUT。此功能在頻率FLC處有一個(gè)雙極，取決于L-COUT在FESR處共振和零點(diǎn)取決于輸出電容ESR。直流增益調(diào)制器就是輸入電壓VIN除以峰值到峰值振蕩器電壓∆VOSC。補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)通過(guò)傳輸關(guān)閉連接VOUT和EA輸出的環(huán)路函數(shù)理想地等于-ZF/ZFB。

補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)是閉合控制回路，保證直流調(diào)節(jié)精度高，性能好動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)定性。要實(shí)現(xiàn)高增益環(huán)路，高帶寬和良好的相位裕度。實(shí)現(xiàn)高直流增益，使補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)傳輸具有積分器形狀功能。環(huán)路帶寬（F0dB）可以通過(guò)選擇合適的RF/RFB比率來(lái)固定，但是穩(wěn)定性，不應(yīng)超過(guò)FSW/2π。為了獲得良好的相位裕度，控制回路增益必須以-20dB/decade斜率穿過(guò)0dB軸。作為一個(gè)例子，圖7顯示了III型補(bǔ)償?shù)臐u近bode圖。

為了確定補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的極點(diǎn)和零點(diǎn)，以下建議可以遵循：

a） 設(shè)置增益RF/RFB以獲得所需的閉環(huán)調(diào)節(jié)器帶寬根據(jù)近似公式（RFB的建議值范圍為2kΩ至5kΩ）：

e） 檢查補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)增益是否低于開(kāi)環(huán)EA增益；

f） 估計(jì)得到的相位裕度（應(yīng)大于45°）并重復(fù)，如有必要，修改參數(shù)。

布局指南

L6727提供控制功能和大電流集成驅(qū)動(dòng)器，以實(shí)現(xiàn)大電流降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這種應(yīng)用中，一個(gè)好的布局是非常重要的很重要。為這些應(yīng)用程序放置組件時(shí)的第一個(gè)優(yōu)先級(jí)必須保留給電源部分，盡可能減少每個(gè)連接和回路的長(zhǎng)度。到將噪聲和電壓尖峰（EMI和損耗）電源連接（在中突出顯示圖8）必須是電源平面的一部分，并且無(wú)論如何都要用寬而厚的銅來(lái)實(shí)現(xiàn)跟蹤：循環(huán)必須最小化。關(guān)鍵部件，即功率mosfet，必須彼此靠近。建議使用多層印刷電路板。輸入電容（CIN），或至少所需總電容的一部分，必須放置在靠近功率段的地方，以消除由銅的痕跡。低ESR和ESL電容器是首選，建議MLCC在HS排水管附近連接。當(dāng)電源跡線(xiàn)必須在為了降低PCB的寄生電阻和電感。再者，復(fù)制多個(gè)PCB層上相同的高電流軌跡將降低寄生電阻與那個(gè)連接有關(guān)。將輸出大容量電容器（COUT）連接到盡可能靠近負(fù)載的位置，最大限度地減少寄生與銅跡線(xiàn)相關(guān)的電感和電阻，也增加了額外的去耦電容器沿途到達(dá)負(fù)載時(shí)，這會(huì)導(dǎo)致電容器遠(yuǎn)離散裝電容器銀行。

門(mén)軌跡和相位軌跡的大小必須根據(jù)所傳送到的驅(qū)動(dòng)器均方根電流確定功率MOSFET。設(shè)備的健壯性允許管理具有強(qiáng)大功能的應(yīng)用程序遠(yuǎn)離控制器而不損失性能。不管怎樣，如果可能的話(huà)建議盡量減少控制器和電源部分之間的距離。見(jiàn)圖9對(duì)于驅(qū)動(dòng)程序當(dāng)前路徑。小信號(hào)組件和應(yīng)用程序關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的連接，以及旁路電容器對(duì)于器件的供電，也很重要。定位旁路電容器（VCC和自舉電容器）和回路補(bǔ)償元件盡可能靠近裝置實(shí)用。為了實(shí)現(xiàn)過(guò)流可編程性，將ROCSET靠近設(shè)備并避免由于內(nèi)部電流源只有60μA，所以COMP/OC引腳上的泄漏電流路徑。不使用肖特基二極管與低邊MOSFET并聯(lián)的系統(tǒng)可能會(huì)顯示出很大的缺陷相位針上有負(fù)尖峰。該峰值必須限制在絕對(duì)最大值范圍內(nèi)額定值（例如，在HS MOSFET柵極上串聯(lián)一個(gè)柵極電阻，或一個(gè)相位電阻串聯(lián)到相引腳），以及正尖峰，但有一個(gè)額外的結(jié)果：導(dǎo)致自舉電容器過(guò)充。這個(gè)額外的費(fèi)用可以原因，在最大輸入電壓的最壞情況下瞬態(tài)，啟動(dòng)到相電壓克服絕對(duì)最大額定值導(dǎo)致設(shè)備故障。在這種情況下，建議通過(guò)增加一個(gè)串聯(lián)到自舉二極管的小電阻（圖1中的RD）

嵌入基于L6727的VRs

將虛擬現(xiàn)實(shí)嵌入應(yīng)用程序時(shí)，必須格外小心，因?yàn)閂R是一種開(kāi)關(guān)式DC/DC調(diào)節(jié)器，它必須在其中工作的最常見(jiàn)的系統(tǒng)是數(shù)字系統(tǒng)，如MB或類(lèi)似系統(tǒng)。事實(shí)上，最新的MBs變得越來(lái)越快功能強(qiáng)大：高速數(shù)據(jù)總線(xiàn)越來(lái)越普遍和開(kāi)關(guān)感應(yīng)噪聲如果不遵循其他布局指南，VR生成的數(shù)據(jù)可能會(huì)影響數(shù)據(jù)完整性。在選擇開(kāi)關(guān)量較大的路徑時(shí)，必須主要考慮幾個(gè)簡(jiǎn)單點(diǎn)電流流動(dòng)（開(kāi)關(guān)高電流會(huì)導(dǎo)致雜散電感上的電壓尖峰引起噪聲的跡線(xiàn)會(huì)影響附近的跡線(xiàn)）：當(dāng)在內(nèi)部層上復(fù)制高電流路徑時(shí)，保持所有層的大小順序相同以避免“周?chē)毙?yīng)增加噪聲耦合。在大電流開(kāi)關(guān)VR軌跡和數(shù)據(jù)總線(xiàn)之間保持安全防護(hù)距離，尤其是高速數(shù)據(jù)總線(xiàn)，以減少噪聲耦合。為I/O子系統(tǒng)路由偏差跟蹤時(shí)，保持安全防護(hù)距離或適當(dāng)過(guò)濾必須在VR附近行走。噪聲的可能原因可能位于相位連接、MOSFETs柵極驅(qū)動(dòng)以及輸入電壓路徑（來(lái)自輸入大容量電容器和HS漏極）。也接地連接如果不堅(jiān)持使用電源接地平面，則必須考慮。這些連接必須小心遠(yuǎn)離噪音敏感的數(shù)據(jù)總線(xiàn)。由于產(chǎn)生的噪聲主要是由于VR的開(kāi)關(guān)活動(dòng)，所以噪聲發(fā)射取決于電流轉(zhuǎn)換的速度。為了降低噪聲排放水平，也有可能，除了之前的指導(dǎo)方針外，為了降低當(dāng)前的坡度，從而增加切換時(shí)間：由于切換時(shí)間較長(zhǎng)，這將導(dǎo)致增加在系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)中必須考慮的開(kāi)關(guān)損耗。

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