特征

從5V到12V的靈活電源

電源轉(zhuǎn)換輸入低至1.5V

1%輸出電壓精度

大電流集成驅(qū)動(dòng)器

輸出電壓可調(diào)

0.8V內(nèi)部基準(zhǔn)

無(wú)傳感器和可編程O(píng)CP

低側(cè)RdsON

振蕩器內(nèi)部固定在270kHz

軟啟動(dòng)可編程

無(wú)負(fù)載感應(yīng)啟動(dòng)

禁用功能

FB斷開(kāi)保護(hù)

SO-8包裝

應(yīng)用

子系統(tǒng)電源（MCH、IOCH、PCI…）

存儲(chǔ)器和終端電源

CPU和DSP電源

分布式電源

通用DC/DC轉(zhuǎn)換器

說(shuō)明

L6726A是單相降壓控制器集成大電流驅(qū)動(dòng)器完整的控制邏輯、保護(hù)和參考電壓實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單易行通用型DC-DC變換器SO-8包。設(shè)備靈活性允許管理轉(zhuǎn)換電源輸入VIN低至1.5V和設(shè)備電源電壓范圍為5V至12V。L6726A提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的控制回路，帶有反電導(dǎo)誤差放大器。集成0.8V基準(zhǔn)允許調(diào)節(jié)輸出電壓在線路和溫度范圍內(nèi)精度為±1%變化。振蕩器內(nèi)部固定為270kHz。L6726A提供可編程過(guò)電流保護(hù)。監(jiān)控當(dāng)前信息跨低側(cè)mosfet的RdsON節(jié)省使用具有昂貴和占用空間的感覺(jué)電阻器。FB斷開(kāi)保護(hù)防止過(guò)度以及浮動(dòng)時(shí)的危險(xiǎn)輸出電壓引腳FB。

表4。電氣特性（VCC=12V；TA=25°C，除非另有規(guī)定）。

表4。電氣特性（續(xù)）（VCC=12V；TA=25°C，除非另有規(guī)定）。

1.設(shè)計(jì)保證，不經(jīng)測(cè)試。

設(shè)備說(shuō)明

L6726A是一個(gè)單相PWM控制器，內(nèi)置大電流驅(qū)動(dòng)器，提供完整的控制邏輯和保護(hù)，以簡(jiǎn)單易行的方式實(shí)現(xiàn)一個(gè)通用的DC  DC降壓變換器。設(shè)計(jì)用于在同步buck中驅(qū)動(dòng)N溝道m(xù)osfet拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，由于其高度集成，這8針設(shè)備允許降低成本和尺寸電源解決方案。L6726A設(shè)計(jì)為在5V或12V電源總線上工作。多虧了高精度0.8V內(nèi)參比，輸出電壓可精確調(diào)節(jié)到0.8V以下在線路和溫度變化范圍內(nèi)，精度為±1%。開(kāi)關(guān)頻率由內(nèi)部設(shè)定至270kHz。該裝置提供了一個(gè)具有外部補(bǔ)償跨導(dǎo)的簡(jiǎn)單控制回路誤差放大器和可編程軟啟動(dòng)。低側(cè)無(wú)功能允許設(shè)備在預(yù)充電輸出上進(jìn)行軟啟動(dòng)，避免負(fù)載側(cè)出現(xiàn)負(fù)尖峰。為了避免負(fù)載損壞，L6726A提供可編程閾值過(guò)電流保護(hù)。輸出電流通過(guò)低側(cè)MOSFET RdsON監(jiān)控，節(jié)省了昂貴且占用空間的傳感電阻。L6726A還具有FB斷開(kāi)功能保護(hù)，防止在FB引腳浮動(dòng)時(shí)出現(xiàn)危險(xiǎn)的不受控輸出電壓。

集成的大電流驅(qū)動(dòng)器允許使用不同類(lèi)型的功率MOSFET（也多個(gè)mosfet以減少等效RdsON），保持快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。高壓側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器使用啟動(dòng)引腳供電，相位引腳用于返回。這個(gè)低側(cè)MOSFET的驅(qū)動(dòng)器使用VCC引腳供電，GND引腳用于回路。該控制器包含一個(gè)反射穿和自適應(yīng)死區(qū)控制，以最小化側(cè)體二極管導(dǎo)通時(shí)間低，在保持良好效率的同時(shí)節(jié)約使用肖特基二極管：

為了檢查高壓側(cè)MOSFET是否關(guān)閉，檢測(cè)相位引腳。當(dāng)電壓在相位引腳下降，低側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)突然應(yīng)用

為了檢查低壓側(cè)MOSFET是否關(guān)閉，檢測(cè)LGATE引腳。當(dāng)電壓在LGATE下降，高側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)突然應(yīng)用。如果電感器中的電流為負(fù)，則相引腳上的電壓將永遠(yuǎn)不會(huì)下降。到允許低側(cè)MOSFET開(kāi)啟，即使在這種情況下，看門(mén)狗控制器被啟用：如果高邊MOSFET的源不下降，低邊MOSFET是這樣接通的允許感應(yīng)器的負(fù)電流再循環(huán)。此機(jī)制允許即使電流是負(fù)的，系統(tǒng)也要調(diào)節(jié)。電源轉(zhuǎn)換輸入靈活：5V、12V總線或任何允許轉(zhuǎn)換的總線（請(qǐng)參閱可選擇最大工作循環(huán)限制和建議的工作條件）自由。

功耗

L6726A為高側(cè)和低側(cè)MOSFET嵌入了高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器：it然后考慮設(shè)備在驅(qū)動(dòng)它們時(shí)所消耗的功率是很重要的為了避免克服最高結(jié)工作溫度。在器件功耗中有兩個(gè)主要因素：偏置功率和驅(qū)動(dòng)器功率。設(shè)備偏置功率（PDC）取決于通過(guò)提供引腳，可簡(jiǎn)單量化如下（假設(shè)提供HS和LS具有相同VCC的設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序）：

電源是駕駛員持續(xù)打開(kāi)和關(guān)閉外部MOSFET；它是開(kāi)關(guān)頻率的函數(shù)所選MOSFET的驅(qū)動(dòng)器和總柵電荷。它可以量化考慮開(kāi)關(guān)MOSFET所消耗的總功率PSW（易于計(jì)算）是由三個(gè)主要因素消散：外部柵電阻（當(dāng)存在時(shí)）、內(nèi)部MOSFET電阻和本征驅(qū)動(dòng)電阻。最后一個(gè)學(xué)期是最重要的學(xué)期待確定計(jì)算器件功耗。總功率消散了要切換MOSFET結(jié)果：

其中VBOOT-VPHASE是自舉電容器上的電壓。外部柵極電阻有助于器件耗散開(kāi)關(guān)功率，因?yàn)楣β蔖SW將在內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器阻抗和外部電阻器之間共享導(dǎo)致設(shè)備普遍冷卻。

軟啟動(dòng)和禁用

L6726A實(shí)現(xiàn)了軟啟動(dòng)，以平穩(wěn)地為輸出濾波器充電，避免了高峰值輸入電源所需的電流。該設(shè)備提供10μa軟啟動(dòng)補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)電容器的線性充電電流。斜坡將COMP電壓與振蕩器三角波相比較，產(chǎn)生增加對(duì)輸出電容器充電的寬度。當(dāng)FB電壓超過(guò)800mV時(shí)，輸出電壓處于調(diào)節(jié)狀態(tài)：軟啟動(dòng)階段將結(jié)束，跨導(dǎo)誤差放大器輸出將被啟用關(guān)閉控制循環(huán)。如果軟啟動(dòng)期間出現(xiàn)過(guò)電流，過(guò)電流邏輯將覆蓋軟啟動(dòng)啟動(dòng)序列，并將關(guān)閉PWM邏輯和高壓側(cè)和低壓側(cè)門(mén)。這種情況被鎖定，循環(huán)VCC恢復(fù)。該設(shè)備僅在VCC電源高于UVLO時(shí)才提供軟啟動(dòng)電流閾值和過(guò)流閾值設(shè)置階段已完成。

低側(cè)無(wú)啟動(dòng)（LSLess）

L6726A在軟啟動(dòng)期間執(zhí)行一個(gè)特殊的序列，使LS驅(qū)動(dòng)器能夠切換階段，LS驅(qū)動(dòng)器結(jié)果禁用（LS=關(guān)閉），直到HS開(kāi)始切換。這樣可以避免輸出電壓上的危險(xiǎn)負(fù)尖峰，如果在預(yù)充電輸出上啟動(dòng)，并限制輸出放電（輸出放電量取決于編程SS時(shí)間長(zhǎng)度：編程SS越短，輸出越受限放電）。如果輸出電壓預(yù)先充電到高于最終電壓的電壓，HS將不要開(kāi)始切換。在這種情況下，LS被啟用并將輸出釋放到final調(diào)節(jié)值。

啟用/禁用

在0.4V（最小）電壓下按COMP/DIS引腳可禁用該設(shè)備。在這種情況下關(guān)閉HS和LS MOSFET，10μA SS電流來(lái)自COMP/DIS別針。釋放引腳后，設(shè)備可以再次執(zhí)行新的SS。

過(guò)流保護(hù)

過(guò)流特性通過(guò)以下方式保護(hù)轉(zhuǎn)換器免受短路輸出或過(guò)載感測(cè)通過(guò)低側(cè)MOSFET漏源導(dǎo)通電阻的輸出電流信息，RdsON。這種方法通過(guò)避免使用昂貴和占用空間的傳感電阻。低壓側(cè)RdsON電流檢測(cè)是通過(guò)比較相電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)的當(dāng)LS MOSFET以編程的OCP閾值電壓打開(kāi)時(shí)，內(nèi)部持有。如果監(jiān)測(cè)到的電壓降（GND至相位）超過(guò)此閾值，則檢測(cè)到過(guò)電流事件。如果連續(xù)兩次檢測(cè)到兩次過(guò)電流事件切換周期后，保護(hù)將觸發(fā)，設(shè)備將同時(shí)關(guān)閉LS和HSMOSFET處于鎖定狀態(tài)。要從觸發(fā)的過(guò)電流保護(hù)中恢復(fù)，必須循環(huán)VCC電源。

過(guò)電流閾值設(shè)置

L6726A允許輕松編程50mV至550mV的過(guò)電流閾值，只需在LGATE和GND之間添加一個(gè)電阻（ROCSET）。在VCC上升超過(guò)UVLO閾值后的短時(shí)間內(nèi)（5.5毫秒-6.5毫秒），一個(gè)內(nèi)部10μA電流（IOCSET）來(lái)自LGATE引腳，用于確定電壓降穿過(guò)洛塞特。電壓降將被采樣，并由設(shè)備內(nèi)部保持電流閾值。OC設(shè)置程序的總時(shí)間長(zhǎng)度為5.5ms到6.5ms，與設(shè)定的閾值成比例。在LGATE和GND之間連接一個(gè)ROCSET電阻器，編程閾值將為：

ROCSET值的范圍從5kΩ到55kΩ。如果ROCSET上的電壓降太低，系統(tǒng)將對(duì)啟動(dòng)非常敏感勵(lì)磁涌流和噪聲。這可能導(dǎo)致意外的OCP觸發(fā)。在這種情況下，考慮增加ROCSET值。如果沒(méi)有連接ROCSET，設(shè)備會(huì)將OCP閾值切換到375mV的默認(rèn)值值：一旦LGATE電壓達(dá)到，就會(huì)觸發(fā)LGATE上的內(nèi)部安全鉗700mV（典型），啟用375mV默認(rèn)閾值，并突然結(jié)束OC設(shè)置階段。OC閾值設(shè)置程序計(jì)時(shí)圖片和示波器示例見(jiàn)圖6波形。

反饋斷線保護(hù)

為了在FB引腳未連接的情況下提供負(fù)載保護(hù)，100nA偏置電流總是從這個(gè)別針。如果FB引腳未連接，偏置電流將永久性地拉動(dòng)避免FB壓力上升到低電平。

欠壓閉鎖

為了避免電源電壓過(guò)低時(shí)器件的異常行為支持其內(nèi)部軌道，提供UVLO：當(dāng)VCC達(dá)到時(shí)，設(shè)備將啟動(dòng)UVLO上限，當(dāng)VCC低于UVLO下限閾值時(shí)將關(guān)閉。4.1V最大UVLO上限允許L6726A從5V和12V供電二極管配置中的總線。

應(yīng)用程序詳細(xì)信息

輸出電壓選擇

L6726A能夠精確調(diào)節(jié)低至0.8V的輸出電壓帶有一個(gè)固定的0.8V內(nèi)部基準(zhǔn)，保證輸出調(diào)節(jié)電壓不包括電阻在±1%范圍內(nèi)的溫度變化分壓器公差（如有）。通過(guò)在FB引腳之間增加一個(gè)電阻ROS，可以獲得高于0.8V的輸出電壓和地面。參考圖1，穩(wěn)態(tài)直流輸出電壓為：

補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)

圖8所示的控制回路是電壓模式控制回路。誤差放大器是跨導(dǎo)型，具有固定增益（3.3mS典型值）。FB電壓調(diào)節(jié)至內(nèi)部基準(zhǔn)，因此輸出電壓根據(jù)輸出電阻分壓器固定（如有）。跨導(dǎo)誤差放大器輸出電流在ZF上產(chǎn)生一個(gè)電壓，即與振蕩器鋸齒波相比，為驅(qū)動(dòng)部分提供PWM信號(hào)。然后，PWM信號(hào)以VIN振幅傳輸?shù)介_(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。這個(gè)波形是由輸出過(guò)濾器過(guò)濾。

轉(zhuǎn)換器傳遞函數(shù)是EA（COMP）和VOUT的輸出節(jié)點(diǎn)。這個(gè)函數(shù)有一個(gè)雙極（復(fù)數(shù)共軛），頻率FLC取決于L-COUT共振，F(xiàn)ESR為零取決于輸出電容ESR。調(diào)制器的直流增益只是輸入電壓VIN除以峰間振蕩器電壓∆VOSC。VOUT通過(guò)輸出電阻分壓器被縮放并傳輸?shù)紽B節(jié)點(diǎn)。補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)通過(guò)傳輸關(guān)閉連接FB和COMP節(jié)點(diǎn)的環(huán)路函數(shù)理想地等于-gm·ZF。補(bǔ)償?shù)哪繕?biāo)是閉合控制回路，保證直流調(diào)節(jié)精度高，性能好動(dòng)態(tài)性能和穩(wěn)定性。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，整個(gè)環(huán)路需要高直流增益，良好的相位和高帶寬。實(shí)現(xiàn)高直流增益，使補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)傳輸具有積分器形狀功能。環(huán)路帶寬（F0dB）可以通過(guò)選擇合適的射頻來(lái)固定；但是，為了穩(wěn)定性，它不應(yīng)超過(guò)FSW/2π。為了獲得良好的相位裕度，控制回路增益必須交叉0dB軸，斜率為-20dB/decade。例如，圖9顯示了II型補(bǔ)償?shù)臐u近波德圖。

布局指南

L6726A提供控制功能和大電流集成驅(qū)動(dòng)器，以實(shí)現(xiàn)大電流降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這種應(yīng)用中，一個(gè)好的布局是非常重要的很重要。為這些應(yīng)用程序放置組件時(shí)的第一個(gè)優(yōu)先級(jí)必須保留給電源部分，盡可能減少每個(gè)連接和回路的長(zhǎng)度。到將噪聲和電壓尖峰（EMI和損耗）電源連接（在中突出顯示圖10）必須是電源平面的一部分，并且無(wú)論如何都要用寬而厚的銅來(lái)實(shí)現(xiàn)跟蹤：循環(huán)必須最小化。關(guān)鍵部件，即功率mosfet，必須彼此靠近。建議使用多層印刷電路板。

輸入電容（CIN），或至少所需總電容的一部分，必須放置在靠近功率段的地方，以消除由銅的痕跡。低ESR和ESL電容器是首選，建議MLCC在HS排水管附近連接。當(dāng)電源跡線必須在為了降低PCB的寄生電阻和電感。再者，復(fù)制多個(gè)PCB層上相同的高電流軌跡將降低寄生電阻與那個(gè)連接有關(guān)。將輸出大容量電容器（COUT）連接到盡可能靠近負(fù)載的位置，最大限度地減少寄生與銅跡線相關(guān)的電感和電阻，也增加了額外的去耦電容器沿途到達(dá)負(fù)載時(shí)，這會(huì)導(dǎo)致電容器遠(yuǎn)離散裝電容器銀行。門(mén)軌跡和相位軌跡的大小必須根據(jù)所傳送到的驅(qū)動(dòng)器均方根電流確定功率MOSFET。設(shè)備的健壯性允許管理具有強(qiáng)大功能的應(yīng)用程序遠(yuǎn)離控制器而不損失性能。不管怎樣，如果可能的話建議盡量減少控制器和電源部分之間的距離。看到了嗎圖11驅(qū)動(dòng)程序當(dāng)前路徑。小信號(hào)組件和應(yīng)用程序關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)的連接，以及旁路電容器對(duì)于器件的供電，也很重要。定位旁路電容器（VCC和自舉電容器）和回路補(bǔ)償元件盡可能靠近裝置實(shí)用。為了實(shí)現(xiàn)過(guò)流可編程性，將ROCSET靠近設(shè)備并避免由于內(nèi)部電流源僅為10μA，因此LGATE/OC引腳上的泄漏電流路徑不使用肖特基二極管與低邊MOSFET并聯(lián)的系統(tǒng)可能會(huì)顯示出很大的缺陷相位針上有負(fù)尖峰。該峰值必須限制在絕對(duì)最大值范圍內(nèi)額定值（例如，在HS MOSFET柵極上串聯(lián)一個(gè)柵極電阻，或一個(gè)相位電阻串聯(lián)到相引腳），以及正尖峰，但有一個(gè)額外的結(jié)果：導(dǎo)致自舉電容器過(guò)充。這個(gè)額外的費(fèi)用可以原因，在最大輸入電壓的最壞情況下瞬態(tài)，啟動(dòng)到相電壓克服絕對(duì)最大額定值導(dǎo)致設(shè)備故障。在這種情況下，建議通過(guò)添加串聯(lián)到自舉二極管的小電阻（圖1中的RD）。

嵌入基于L6726A的VRs

將虛擬現(xiàn)實(shí)嵌入應(yīng)用程序時(shí)，必須格外小心，因?yàn)閂R是一種開(kāi)關(guān)式DC/DC調(diào)節(jié)器，它必須在其中工作的最常見(jiàn)的系統(tǒng)是數(shù)字系統(tǒng)，如MB或類(lèi)似系統(tǒng)。事實(shí)上，最新的MBs變得越來(lái)越快功能強(qiáng)大：高速數(shù)據(jù)總線越來(lái)越普遍和開(kāi)關(guān)感應(yīng)噪聲如果不遵循其他布局指南，VR生成的數(shù)據(jù)可能會(huì)影響數(shù)據(jù)完整性。在選擇開(kāi)關(guān)量較大的路徑時(shí)，必須主要考慮幾個(gè)簡(jiǎn)單點(diǎn)電流流動(dòng)（開(kāi)關(guān)高電流會(huì)導(dǎo)致雜散電感上的電壓尖峰引起噪聲的跡線會(huì)影響附近的跡線）：當(dāng)在內(nèi)部層上復(fù)制高電流路徑時(shí)，保持所有層的大小順序相同以避免“周?chē)毙?yīng)增加噪聲耦合。在大電流開(kāi)關(guān)VR軌跡和數(shù)據(jù)總線之間保持安全防護(hù)距離，尤其是高速數(shù)據(jù)總線，以減少噪聲耦合。為I/O子系統(tǒng)路由偏差跟蹤時(shí)，保持安全防護(hù)距離或適當(dāng)過(guò)濾必須在VR附近行走。噪聲的可能原因可能位于相位連接、MOSFETs柵極驅(qū)動(dòng)以及輸入電壓路徑（來(lái)自輸入大容量電容器和HS漏極）。也接地連接如果不堅(jiān)持使用電源接地平面，則必須考慮。這些連接必須小心遠(yuǎn)離噪音敏感的數(shù)據(jù)總線。由于產(chǎn)生的噪聲主要是由于VR的開(kāi)關(guān)活動(dòng)，所以噪聲發(fā)射取決于電流轉(zhuǎn)換的速度。為了降低噪聲排放水平，也有可能，除了之前的指導(dǎo)方針外，為了降低當(dāng)前的坡度，從而增加切換時(shí)間：由于切換時(shí)間較長(zhǎng)，這將導(dǎo)致增加在系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)中必須考慮的開(kāi)關(guān)損耗。

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