過(guò)電壓充電泵關(guān)閉

對(duì)于VVS>25V

蓄電池反向保護(hù)（參考應(yīng)用電路圖）

通道1和2的可編程過(guò)載保護(hù)功能

開路接地保護(hù)功能

通道1和通道2

恒定柵極充放電

當(dāng)前

說(shuō)明

L9380設(shè)備是三個(gè)外部的控制器“高端”中的N溝道功率MOS晶體管開關(guān)“配置。它用于汽車電氣控制單元中繼電器的更換。

注：除定時(shí)器引腳外，所有引腳的ESD均符合MIL 883C，在2KV下測(cè)試，對(duì)應(yīng)于0.2mJ的最大能量消耗。定時(shí)器引腳用800V測(cè)試

電氣特性（7V≤VS≤18.5V；-40°C≤TJ≤150°C，除非另有規(guī)定。）

注：設(shè)計(jì)不保證測(cè)量功能是指電源電壓降至5.5V。功能意味著：通道由輸入，其他一些參數(shù)可能會(huì)超出限制。在這種情況下，編程電壓和定時(shí)器門檻會(huì)更低。這會(huì)降低保護(hù)閾值和保護(hù)時(shí)間。

三重高壓側(cè)功率MOS驅(qū)動(dòng)器的特點(diǎn)

所有必要的控制和保護(hù)功能打開三個(gè)功率MOS晶體管作為汽車電子的高壓側(cè)開關(guān)控制單元。關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域是繼電器在高電流負(fù)載系統(tǒng)中的重新安置，通常電機(jī)的額定電流約為40A接地，必須切換。EN引腳處的高信號(hào)可使這三種功能同時(shí)啟用頻道。在啟用時(shí)，低門被鉗制到接地。在這種情況下，柵極漏電流為高于規(guī)定的3mA。啟用低信號(hào)也會(huì)使計(jì)時(shí)器復(fù)位。門上的輸入開關(guān)處的低信號(hào)外部MOS。輸入端短路導(dǎo)致相關(guān)的永久激活頻道。在這種情況下，可以禁用設(shè)備使用啟用引腳。充油泵負(fù)載為不受啟用輸入的影響。一種外部N溝道MOS驅(qū)動(dòng)器配置需要更高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓它是通過(guò)電荷產(chǎn)生的集成電荷轉(zhuǎn)移電容泵以及一個(gè)外部電荷存儲(chǔ)電容器CCP。電荷泵的尺寸應(yīng)能加載ca

在小于20ms至8V的情況下，電容器CCP為33nF以上VS.CCP的值取決于輸入外MOS的電容與衰變電荷泵電壓降到那個(gè)值對(duì)申請(qǐng)無(wú)重大影響的發(fā)生。CCP的必要充電時(shí)間必須為按輸入控制信號(hào)的順序排列。因此，較低的門到源電壓會(huì)導(dǎo)致啟動(dòng)MOS，進(jìn)入過(guò)載狀態(tài)。在在這種情況下，過(guò)載保護(hù)定時(shí)器將啟動(dòng)。保護(hù)時(shí)間過(guò)后，相關(guān)通道將被關(guān)閉。未配備通道3帶過(guò)載保護(hù)。同樣的情況可能是由于柵極對(duì)地短路導(dǎo)致存儲(chǔ)電容器放電。這個(gè)由插腳CP提供的門驅(qū)動(dòng)器是電荷泵的輸出，有接收器和源電流容量3mA。對(duì)于短路加載（源到地）L9380沒(méi)有門來(lái)源限制。門源保護(hù)必須對(duì)外進(jìn)行。

通道1和通道2提供漏源電壓可編程關(guān)閉的感應(yīng)可能性超過(guò)激活閾值時(shí)的延遲。該閾值VDSmin由外部電阻器RD設(shè)定。流過(guò)的偏置電流該電阻由編程電阻RPR決定。外部電阻器RPR也定義定時(shí)器電容器CCT的充放電電流。漏源閾值VDSmin定時(shí)器關(guān)閉延遲時(shí)間Toff可計(jì)算：

在不使用過(guò)載保護(hù)的應(yīng)用中，或者如果沒(méi)有使用一個(gè)通道，定時(shí)器引腳必須將該通道的帶電阻的漏極引腳到Vbat。定時(shí)特性說(shuō)明了該功能以及VDSmin和Toff的含義（參見(jiàn)圖4）。過(guò)載檢測(cè)比較器的輸入電流指定為ISmax。IPR+IDmax發(fā)電機(jī)的總和在外部電阻RD上產(chǎn)生壓降，如果漏極引腳電壓高于源引腳電壓（見(jiàn)圖5）。在開關(guān)點(diǎn)，比較器輸入源引腳電流等于指定的電流ISmax。對(duì)于偏移補(bǔ)償，在漏極處相等的外部電阻（RD=RS）源pin是必須的。漏感檢測(cè)過(guò)載的比較器有一個(gè)20mV對(duì)稱磁滯（見(jiàn)圖6）。在漏極電壓下，將源引腳電壓提高10mV，迫使定時(shí)器電容器放電。減小源引腳電壓比漏極引腳電壓低10mV檢測(cè)到外部MOS過(guò)載，并且定時(shí)電容器將被加載。在達(dá)到針腳CT處的電壓高于計(jì)時(shí)器閾值VThi受影響的頻道被關(guān)閉。在這個(gè)如果過(guò)載存儲(chǔ)在定時(shí)器電容器中。

定時(shí)器電容器將使用輸入端的“高”信號(hào)（見(jiàn)圖4）。達(dá)到較低的定時(shí)器閾值后，過(guò)載保護(hù)復(fù)位，通道能夠再次接通。應(yīng)用示意圖如圖7所示。是電力線出現(xiàn)瞬變的原因運(yùn)行期間以及系統(tǒng)需要外部電阻器。漏極處的正ISO脈沖，柵源采用主動(dòng)夾緊結(jié)構(gòu)夾緊。這個(gè)箝位電壓小于60V。負(fù)極脈沖僅用靜電放電結(jié)構(gòu)夾緊低于-15V。該瞬態(tài)低于-15V會(huì)影響其他渠道。為了防止晶體管過(guò)載和柵極擊穿保護(hù)二極管之間澆口和源頭以及澆口和排水口必須有聯(lián)系的。過(guò)電壓進(jìn)入VS（VS>20V）電荷泵振蕩停止。然后電荷泵電容器將由一個(gè)二極管和一個(gè)電阻串聯(lián)到VS（參見(jiàn)方塊圖）。在這種情況下，通道不是影響。在蓄電池處于反向狀態(tài)時(shí)，針腳D1、D2、S1、S2跟隨電池電位下降到-13V（高阻抗）和柵極驅(qū)動(dòng)器引腳G1、G2指S1、S2。這樣就可以保證M1和M2不會(huì)進(jìn)入線性導(dǎo)電模式。這種保護(hù)功能正在為VS1，VS2工作，電壓降到-15V。門在這種情況下，驅(qū)動(dòng)器輸出G3與D1有關(guān)。此函數(shù)保證源源極連接N溝道MOS晶體管M3M4保持關(guān)閉。所有電源和PC板的輸入和輸出都配有40線扁平電纜（不是用過(guò)的電線保持打開）。此電報(bào)已提交與DIN中所述的帶狀線中的RF連接40839-4或ISO 11456-5。被測(cè)電路建立在印刷電路板上帶接地層的木板。在頻率范圍內(nèi)從1MHz到400MHz和80%AM調(diào)制1KHz，場(chǎng)強(qiáng)200V/m，無(wú)影響在一個(gè)典型的設(shè)備上檢測(cè)到基本功能。失效標(biāo)準(zhǔn)是輸出信號(hào)的包絡(luò)，振幅為20%，輸入為2%時(shí)間。

對(duì)應(yīng)用電路的建議：定時(shí)器和充電電容器都裝有一個(gè)交流電流源。必須避免充電電容器的短接地連接電磁移民。電阻RD、RG和RS的尺寸必須符合每個(gè)引腳瞬態(tài)期間的最大電流。

典型特征

根據(jù)生產(chǎn)范圍，可能會(huì)出現(xiàn)某些偏差。限值（參見(jiàn)第。（四）

　　安芯科創(chuàng)是一家國(guó)內(nèi)芯片代理和國(guó)外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國(guó)產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開發(fā),以及元器件一站式采購(gòu)服務(wù),類型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服黃經(jīng)理：15382911663）

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