特征

穩(wěn)定，輸出電容范圍廣

工作電流：45μA

關(guān)閉電流：10μA電流限值可調(diào)

正或負(fù)停堆邏輯

低壓線性壓降特性

固定5V和可調(diào)版本

允許反向輸出電壓

應(yīng)用程序

模擬系統(tǒng)

調(diào)制解調(diào)器

儀器

A/D和D/A轉(zhuǎn)換器

接口驅(qū)動程序

電池供電系統(tǒng)

說明

LT®1175是一種負(fù)微功率低壓差調(diào)節(jié)器。其靜態(tài)電流為45μA，降至停機(jī)時為10μA。一種新的參考放大器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)提供精確的直流特性以及在極寬的范圍內(nèi)保持良好的環(huán)路穩(wěn)定性輸出電容器。非常低的壓降和高效率通過獨特的功率晶體管抗飽和設(shè)計獲得。可調(diào)和固定5V版本可用。一些新功能使LT1175非常友好。SHDN引腳可直接連接正極或負(fù)邏輯電平。用戶可在以下位置選擇電流限制200毫安、400毫安、600毫安和800毫安。輸出可以是被迫在沒有損壞或閉鎖的情況下反轉(zhuǎn)電壓。與一些早期的設(shè)計不同，靜態(tài)的增加失電狀態(tài)下的電流被有效限制。LT1175具有完整的防噴保護(hù)功能限制、功率限制和熱關(guān)機(jī)。特別的人們注意到了高溫問題微功率工作電流運行，防止空載時輸出電壓上升。LT1175提供8針PDIP等封裝，3線SOT-223以及5針表面安裝DD和通孔TO-220包裝。8針SO包裝低熱阻結(jié)構(gòu)。

絕對最大額定值

輸入電壓（瞬時1秒，注11）25伏

輸入電壓（連續(xù)）20伏

輸入輸出差分電壓（注12）20伏

5V感應(yīng)引腳（相對于GND引腳）2伏，–10伏

調(diào)整感應(yīng)針

（關(guān)于輸出引腳）20伏，–0.5伏

5V感應(yīng)銷

（關(guān)于輸出引腳）20伏，–7伏

輸出反向電壓 2伏

SHDN引腳對地引腳電壓（注2）13.5伏，–20伏

SHDN引腳到VIN引腳電壓 30伏，–5伏

工作結(jié)溫度范圍

LT1175C 0°C至125°C

LT1175I –40°C至125°C

環(huán)境工作溫度范圍

LT1175C 0°C至70°C

LT1175I –40°C至85°C

儲存溫度范圍–65°C至150°C

鉛溫度（焊接，10秒）300攝氏度

電氣特性

表示適用于工作溫度的規(guī)范

范圍，否則規(guī)格為TA=25°C。VOUT=5V，VIN=7V，IOUT=0，VSHDN=3V，ILIM2和ILIM4與VIN關(guān)聯(lián)，TJ=25°C，除非另有說明。為避免與應(yīng)用于負(fù)電壓的“最小”和“最大”混淆，所有電壓顯示為絕對值，除非極性不明顯。

電氣特性

表示適用于工作溫度的規(guī)范

范圍，否則規(guī)格為TA=25°C。VOUT=5V，VIN=7V，IOUT=0，VSHDN=3V，ILIM2和ILIM4與VIN關(guān)聯(lián)，TJ=25°C，除非另有說明。為避免與應(yīng)用于負(fù)電壓的“最小”和“最大”混淆，所有電壓顯示為絕對值，除非極性不明顯。

注1：絕對最大額定值是指超過壽命的值設(shè)備可能受損。

注2:SHDN引腳最大正電壓為30V–VIN和接地13.5V。最大負(fù)電壓為-20V對于GND，–5V對于–VIN。

注3:8針封裝的PMAX=1.5W，5針封裝的PMAX=6W。這個功率電平僅適用于輸入輸出電壓高達(dá)12V及以上內(nèi)部功率限制可能會降低功率。見保證電流典型性能特性部分的極限曲線。請注意必須滿足條件。

注4：由于功率晶體管基極驅(qū)動，GND引腳電流增加。在低輸入輸出電壓（<1V）下，功率晶體管飽和時，GND引腳電流會略高。見典型性能特征。

注5：當(dāng)ILOAD=0時，在TJ>125°C時，功率晶體管泄漏可能將輸出分配器或固定的10μA增加到25μA電壓感應(yīng)引腳，使輸出上升到規(guī)定值以上。自動向上拉以防止內(nèi)部出現(xiàn)這種情況打開，但電源電流會增加。

注6：這是將輸出電壓拉至1V以內(nèi)所需的電流停機(jī)時接地。

注7：通過設(shè)置輸入電壓等于正常調(diào)節(jié)輸出電壓與測量電壓差

VIN和VOUT。對于100mA和500mA之間的電流，兩個ILIM管腳與車輛識別號（VIN）相關(guān)聯(lián)，可根據(jù)VDO=0.15+1.1Ω（IOUT）。

注8：熱調(diào)節(jié)是由模具引起的輸出電壓的變化溫度梯度，所以它與芯片功耗成正比。溫度梯度在100ms內(nèi)達(dá)到最終值。輸出100ms后的電壓變化是由于絕對模具溫度的變化以及參考電壓溫度系數(shù)。

注9:0.8V的下限值保證將調(diào)節(jié)器保持在關(guān)機(jī)。2.5V的上限保證了穩(wěn)壓器積極的。任何一個極性都可以使用，參考GND引腳。

注10：負(fù)載和線路調(diào)節(jié)在脈沖基礎(chǔ)上測量脈沖寬度不超過20ms，以保持芯片溫度恒定。直流調(diào)節(jié)將受到熱調(diào)節(jié)（注8）和芯片的影響溫度變化。負(fù)載調(diào)節(jié)規(guī)范也適用于電流當(dāng)ILIM2或ILIM4保持打開時，達(dá)到指定的電流限制。

注11：輸入輸出電壓高于12V時，電流限制降低。有關(guān)保證限值，請參見典型性能特性中的圖表12伏以上。

注12：在非常大的輸入輸出差分電壓下運行（>15V）負(fù)載電流小于5mA時，要求輸出電容器ESR大于1Ω，以防止低電平輸出振蕩。

典型性能特征

紋波抑制相對獨立于輸入電壓和負(fù)載之間的電流25mA和500mA。輸出電容器越大不改善頻率低于50千赫。在非常輕的負(fù)載下，拒絕將使用更大的輸出電容器改進(jìn)

引腳功能

感應(yīng)銷：感應(yīng)銷用于可調(diào)允許自定義選擇輸出電壓的版本一個外部分頻器，設(shè)置為在檢測引腳處產(chǎn)生3.8V電壓。通常情況下，輸入端的電流為75nA。感應(yīng)引腳上的最大強(qiáng)制電壓為2V和–10V關(guān)于GND引腳。固定的5V版本利用感應(yīng)管腳來實現(xiàn)開爾文連接到負(fù)載或驅(qū)動外部通路輸出電流更高的晶體管。偏置電流輸出5V感應(yīng)引腳約為12μA。分離感應(yīng)和輸出引腳也允許一個新的回路應(yīng)用程序中描述的補(bǔ)償技術(shù)信息科。

SHDN Pin：SHDN Pin經(jīng)過特殊配置，允許由正電壓邏輯或只有否定邏輯。強(qiáng)制SHDN引腳2V以上或低于GND引腳將打開調(diào)節(jié)器。這使得直接連接到正邏輯信號主動低停機(jī)。如果沒有正電壓可用，SHDN引腳可驅(qū)動至GND引腳下方，以轉(zhuǎn)動調(diào)節(jié)器打開。保持打開時，SHDN引腳將默認(rèn)為低調(diào)節(jié)器處于“開啟”狀態(tài)。所有電壓低于絕對最大額定值，SHDN引腳只畫了幾個微安電流（見典型性能特性）。SHDN引腳上的最大電壓為15V，對于GND引腳為-20V，對于GND引腳為35V，–5V相對于負(fù)輸入引腳

ILIM引腳：兩個電流限制引腳是發(fā)射極部分功率晶體管。當(dāng)保持打開狀態(tài)時，它們會浮起幾個比負(fù)輸入電壓高100毫伏。對輸入電壓短路，電流限制增加ILIM2至少為200mA，ILIM4至少為400mA。這些引腳必須只連接到輸入電壓，或者直接或通過電阻。

輸出引腳：輸出引腳是NPN的集電極功率晶體管。它可以強(qiáng)制輸入電壓接地或高達(dá)2V正極損壞或閉鎖（參見應(yīng)用信息部分的輸出電壓反轉(zhuǎn)）。LT1175具有折疊功能電流限制，所以輸出引腳的最大電流是輸入輸出電壓功能。參見典型性能特征。

GND引腳：GND引腳的靜態(tài)電流為45μa零負(fù)載電流，每增加約10μA輸出電流mA。輸出電流為500mA時，GND引腳電流約為5mA。電流流入GND引腳。

設(shè)定輸出電壓

LT1175可調(diào)版本具有反饋感電壓為3.8V，偏置電流約為75nA從感應(yīng)針流出。避免輸出電壓此電流引起的錯誤，輸出分壓器串（見圖1）應(yīng)繪制約25μA。表1顯示輸出電壓范圍的建議電阻值。表的第二部分顯示了電阻值僅消耗10μA電流。輸出電壓誤差由低值電阻的偏置電流約為0.4%最大值和較高值，最大值約為1%。文中還給出了計算電阻的公式對于任何輸出電壓

LT1175-5是一種帶有感應(yīng)引腳的固定5V設(shè)計作為輸出的開爾文連接。通常是感應(yīng)管腳和輸出管腳直接連接一起，要么靠近調(diào)節(jié)器要么在遠(yuǎn)程負(fù)載點。

電流整定限值

LT1175使用兩個ILIM引腳設(shè)置電流限制（典型）200毫安、400毫安、600毫安或800毫安時。對應(yīng)的最小保證電流為130mA、260mA、390mA520毫安。這允許用戶選擇當(dāng)前限制根據(jù)具體應(yīng)用定制，防止短路電流比滿載電流。輸入電源過載或故障負(fù)載中的過大功率損耗已被排除。以折疊電流限制形式的功率限制內(nèi)置并降低電流限制，作為輸入輸出電壓差的函數(shù)，用于超過14V.見典型性能特性圖。不管怎樣，LT1175都保證防噴電流限制設(shè)置。功率限制與熱關(guān)機(jī)保護(hù)設(shè)備免受破壞所有負(fù)載條件下的結(jié)溫。

關(guān)閉

停機(jī)時，LT1175只消耗約10μA。特殊電路用于最大限度地減少高溫下停機(jī)電流的增加，但可以看到輕微的增加高于125°C。未采取的一個選擇是主動拉動關(guān)閉時輸出關(guān)閉。這意味著啟動停機(jī)后，輸出將以一定速率緩慢下降由負(fù)載電流加上12μA內(nèi)部負(fù)載確定，以及輸出電容的大小。主動下拉是通常調(diào)節(jié)器單獨使用是件好事，但它阻止用戶關(guān)閉調(diào)節(jié)器當(dāng)?shù)诙€電源連接到LT1175時輸出。如果停機(jī)時需要主動輸出下拉，它可以用耗盡模式PFET作為外部添加如圖2所示。注意最大夾持PFET的電壓必須低于正邏輯高電平，確保設(shè)備在調(diào)節(jié)器激活。摩托羅拉J177設(shè)備有柵極源電壓為零時，導(dǎo)通電阻為300Ω。

最小跌落電壓

跌落電壓是指輸入輸出保持適當(dāng)?shù)妮敵稣{(diào)節(jié)。為較舊的3端穩(wěn)壓器設(shè)計，壓降為通常為1.5V至3V。LT1175使用飽和電源晶體管設(shè)計，使壓降大大降低，通常在輕載時為100毫伏，滿載時為450毫伏。采取了特殊預(yù)防措施，以確保該技術(shù)不會導(dǎo)致靜態(tài)電源電流過高在輕載條件下。當(dāng)調(diào)節(jié)器輸入時電壓太低，無法維持一個可調(diào)節(jié)的輸出，通過晶體管在試圖驅(qū)動時被誤差放大器硬驅(qū)動維持規(guī)章制度。駕駛員所消耗的電流晶體管可以是幾十毫安，甚至用很少的或輸出無負(fù)載。老年人的情況確實如此當(dāng)功率晶體管飽和了。LT1175使用新的防止高驅(qū)動電流的抗飽和技術(shù)，然而，這使得功率晶體管接近其理論值飽和極限。

輸出電容器

采用了幾種新的調(diào)節(jié)器設(shè)計技術(shù)LT1175對輸出電容器的選擇極為寬容。就像大多數(shù)使用收集器的低輟學(xué)設(shè)計一樣或者功率晶體管的漏極來驅(qū)動輸出節(jié)點，LT1175使用輸出電容器作為整體回路補(bǔ)償。一般要求較老的監(jiān)管機(jī)構(gòu)輸出電容器的最小值為1μF至100μF，最大ESR（有效串聯(lián)電阻）為0.1Ω到1Ω，最小ESR在0.03Ω到0.03Ω之間0.3Ω。這些限制通常只能在優(yōu)質(zhì)固體鉭電容器。鋁電容器具有高ESR的問題，除非更高使用電容值（物理上大）。ESR陶瓷或薄膜電容器的電壓過低，這使得電容/ESR零頻率過高，無法維持調(diào)節(jié)器中的相位裕度。在以前的設(shè)計中，即使有最佳電容器，環(huán)路相位裕度也非常低當(dāng)輸出電流較低時。這些問題導(dǎo)致了一個新的LT1175誤差放大器和內(nèi)部頻率補(bǔ)償?shù)脑O(shè)計技術(shù)，如圖3所示。

傳統(tǒng)的調(diào)節(jié)回路由誤差放大器組成A1，驅(qū)動晶體管Q2和功率晶體管Q1。添加到這個基本循環(huán)是由Q3和直流負(fù)反饋電流饋入誤差放大器通過Q3和RN產(chǎn)生整個回路電流在輕負(fù)載電流下增益非常低。這不是問題是因為在輕負(fù)載下幾乎不需要增益。在除了低增益外，Q2處的寄生極頻率基極由直流反饋擴(kuò)展。結(jié)合這兩種效應(yīng)顯著地改善了輕載下的環(huán)路相位差，使環(huán)路對大ESR具有耐受性在輸出電容器中。重載、環(huán)路相位和收益幾乎沒有那么麻煩和巨大的負(fù)增長反饋會降低調(diào)節(jié)。Q1基極發(fā)射極電壓的對數(shù)特性使Q3負(fù)向減小在重負(fù)荷下進(jìn)行反饋，以防止調(diào)節(jié)不良。在傳統(tǒng)的設(shè)計中，即使采用非線性反饋，在中等至如果輸出電容器的ESR低于

0.3Ω。這種情況可能發(fā)生在陶瓷或薄膜上ESR通常低于0.1Ω的電容器。與以前的設(shè)計中，用戶被迫添加一個真正的電阻與電容器串聯(lián)，保證回路穩(wěn)定性。這個LT1175采用獨特的交流前饋技術(shù)來解決這個問題。CF是一種傳統(tǒng)的前饋式電容器，常用于調(diào)節(jié)器中以抵消所形成的極性通過輸出電容器。它通常是連接的從調(diào)節(jié)輸出節(jié)點到反饋節(jié)點R1/R2結(jié)或放大器上的內(nèi)部節(jié)點展示。然而，在這種情況下，電容器是連接的功率晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。RC是電源不可避免的寄生集電極電阻晶體管。訪問RC底部的節(jié)點是僅在單片結(jié)構(gòu)中可用，在這種結(jié)構(gòu)中，可將開爾文連接到NPN埋置集電極層。

循環(huán)現(xiàn)在的響應(yīng)就好像RC與輸出電容器和良好的回路穩(wěn)定性，甚至達(dá)到輸出電容器的ESR極低。所有這些關(guān)注環(huán)路穩(wěn)定性的最終結(jié)果是LT1175使用的輸出電容器可以在值從0.1μF到數(shù)百微法拉，使用ESR從0Ω到10Ω。這個范圍允許使用陶瓷，固體鉭、鋁和薄膜電容器數(shù)值范圍。LT1175的最佳輸出電容器類型仍然是但在那里確實有相當(dāng)多的固體。如果大負(fù)載電流瞬變預(yù)計可能需要ESR較低的較大電容器控制瞬態(tài)期間最壞情況下的輸出變化。如果瞬變不是一個問題，電容器可以選擇體積小，價格低等，擔(dān)心價格飆升鉭電容器中的電流對輸出電容器，因為LT1175限制了涌入電流遠(yuǎn)低于可能導(dǎo)致電容器損壞的水平。短路調(diào)節(jié)器輸出引起的浪涌這不是問題，因為鉭電容器不會出故障在“做空”期間，只有在“充電”期間激增。輸出電容器應(yīng)位于幾個調(diào)節(jié)器的英寸。如果使用遙感，則輸出電容器可以設(shè)置在遙控節(jié)點上，但調(diào)節(jié)器的GND引腳也應(yīng)連接到遠(yuǎn)程站點。基本原則是保持理智GND引腳靠近輸出電容器，不管在哪里。在非常大的輸入輸出電壓差（>5V），負(fù)載電流小于5mA時，需要ESR大于1Ω的輸出電容器低電平輸出振蕩。

輸入電容器

LT1175需要一個單獨的輸入旁路電容器僅當(dāng)調(diào)節(jié)器位于距離原始電源輸出電容器。1μF或更大的鉭建議在所有應(yīng)用中使用電容器，但如果ESR較低輸出采用陶瓷或薄膜等電容器而輸入電容器，輸入電容器至少應(yīng)輸出電容值的三倍。如果是固體鉭或鋁電解輸出電容器使用時，輸入電容是非常非臨界的。

高溫運行

LT1175是一種微功耗設(shè)計，只有45μa靜態(tài)電流。這可能會使它在高溫（>125°C），功率晶體管泄漏可能超過輸出節(jié)點負(fù)載電流（5μA至15μA）。以避免輸出電壓漂移的情況高溫空載時不受控制的高在這種情況下，LT1175有一個啟動的有功負(fù)載當(dāng)輸出被拉到額定值以上時電壓。這個負(fù)載吸收功率晶體管的泄漏和保持良好的監(jiān)管。這有一個缺點然而，功能。如果故意把產(chǎn)量拉高，當(dāng)LT1175用作一級調(diào)節(jié)器LT1175的輸出稍高將作為一級調(diào)節(jié)器上不需要的負(fù)載。正因為如此，主動拉低是故意“軟弱”的它可以建模為一個2k電阻與一個調(diào)節(jié)器輸出被拉時的鉗位電壓高。例如，如果一個4.8V的輸出被拉到5V，負(fù)載主調(diào)節(jié)器上的電壓為（5V–4.8V）/2kΩ=100μA。這也意味著如果內(nèi)通晶體管泄漏50μA，輸出電壓為（50μA）（2kΩ）=100mV高。正常情況下不會出現(xiàn)這種情況操作條件，但可能在輸出短路使芯片過熱。

熱因素

LT1175提供特殊的8針表面安裝有連接到模具附件的銷1和8的包裝槳。當(dāng)針腳1和8個連接到PC上的擴(kuò)展銅板。表2顯示了各種銅地和背面或內(nèi)部的組合飛機(jī)。表2還顯示了5針的熱阻DD表面貼裝封裝和8針浸入式封裝

計算模具溫度，最大功耗或最大輸入電壓，使用以下公式根據(jù)表2中的正確熱阻值。為通孔TO-220應(yīng)用使用θJA=50°C/W不帶散熱器且θJA=5°C/W+散熱片使用散熱器時的阻力。

TA=最高環(huán)境溫度

TMAX=最大LT1175模具溫度（125°C商業(yè)和工業(yè)等級）

θJA=LT1175熱電阻，連接至環(huán)境

VIN=最大持續(xù)輸入電壓

負(fù)載電流

ILOAD=最大負(fù)載電流

示例：LT1175S8，ILOAD=200mA，VOUT=5V，VIN=7V，TA=60°C。最大模具溫度LT1175S8為125°C。表2中的熱阻為

結(jié)果為80°C/W。模具溫度=60+80（0.2A）（8–5）=108°C

輸出電壓反轉(zhuǎn)

LT1175設(shè)計用于承受輸出電壓反轉(zhuǎn)高達(dá)2V。例如，如果輸出對正5伏電源短路。這會的幾乎可以肯定的是，摧毀與負(fù)極相連的IC設(shè)備輸出。如果正電源首先接通，負(fù)載接通在正負(fù)電源之間。為了這些原因是，添加一個反向總是很好的設(shè)計實踐從每個調(diào)節(jié)器輸出到接地的偏置二極管限制輸出電壓反轉(zhuǎn)。二極管的額定值應(yīng)為在啟動情況下處理全負(fù)負(fù)載電流，或如果電源對電源短路，則必須允許正極電源的短路電流。輸入電壓低于輸出電壓線性技術(shù)的正低壓差調(diào)節(jié)器LT1121和LT1129，如果輸入電壓小于輸出電壓。這些設(shè)備使用具有40V發(fā)射極的橫向PNP功率晶體管結(jié)構(gòu)基本擊穿電壓。但是，LT1175使用具有寄生二極管的NPN功率晶體管結(jié)構(gòu)在調(diào)節(jié)器的輸入和輸出之間。反轉(zhuǎn)輸入和輸出之間的電壓超過1V會損壞調(diào)節(jié)器，如果允許大電流流動。簡單地說在輸出保持不變的情況下斷開輸入源將即使輸入到輸出電壓稍微顛倒，也不會造成損壞

高頻紋波抑制

LT1175有時由開關(guān)供電產(chǎn)生未調(diào)節(jié)或準(zhǔn)調(diào)節(jié)輸入電壓的調(diào)節(jié)器。該電壓將包含高頻率紋波，必須由線性調(diào)節(jié)器抑制。特別注意LT1175最大限度地提高頻率紋波抑制，但與任何微功率設(shè)計時，抑制率受紋波頻率的強(qiáng)烈影響。典型性能特征圖剖面圖顯示1kHz時的60dB抑制，但只有15dB5V部分在100kHz時的抑制。數(shù)字照片4a和4b顯示實際輸出紋波波形方波和三波輸入紋波。

應(yīng)用程序信息

為了估計不同條件下的調(diào)節(jié)器輸出紋波，以下一般性意見應(yīng)該有幫助：

1.高頻下的輸出紋波僅受到微弱的影響由負(fù)載電流或輸出電容器尺寸決定重載。在非常輕的負(fù)載下（<10mA），使用更大的輸出可以減少更高的頻率紋波電容器。

2.跨過電阻分壓器的前饋電容器配合可調(diào)部分使用，可有效降低紋波僅適用于大于5V的輸出電壓頻率小于100kHz。

3.輸入輸出電壓差對

紋波抑制，直到調(diào)節(jié)器實際進(jìn)入0.2V至0.6V的壓降條件。如果需要改善紋波抑制，輸入濾波器可以添加。該濾波器可以是使用1Ω的簡單RC濾波器至10Ω電阻器。例如3.3Ω電阻器，組合使用0.3ΩESR固體鉭電容器，將產(chǎn)生額外的20dB紋波抑制。電阻器的尺寸由最大負(fù)載電流決定。如果最大值電阻器上允許的電壓降為“VR”，并且最大負(fù)載電流為ILOAD，R=VR/ILOAD。在燈光下可以使用負(fù)載、較大的電阻和較小的電容器為了節(jié)省空間。在較重的負(fù)載下，電感器可能必須用來代替電阻器。感應(yīng)器的值可以計算公式：

ESR=濾波電容器的有效串聯(lián)電阻。這個假設(shè)電容電抗很小與ESR相比，一個合理的假設(shè)2.2μF和50kHz以上的固體鉭電容器。

f=紋波頻率

rr=濾波器的紋波抑制比，單位：dB

示例：ESR=1.2Ω，f=100kHz，rr=–25dB

建議濾波器使用固體鉭電容器保持過濾器Q相當(dāng)?shù)汀＿@樣可以防止在濾波器的諧振頻率和濾波器/調(diào)節(jié)器組合的振蕩問題。

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