一般說明

LM158系列包括兩個獨立的高增益，內部頻率補償運算放大器它們是專門為從一個電壓范圍廣的電源。操作來自分體式電源也有可能和低功耗電源電流消耗與電源電壓。應用領域包括傳感器放大器，直流增益塊和所有的傳統(tǒng)運算放大器電路可以更容易地在單電源中實現(xiàn)系統(tǒng)。例如，LM158系列可以直接在標準+5V電源電壓下工作在數(shù)字系統(tǒng)中使用，可以輕松地提供所需的無需額外±15V的接口電子設備電源。LM358和LM2904采用National的micro-SMD封裝技術，采用芯片尺寸的封裝（8-Bump micro-SMD）。獨特的特性

在線性模式下，輸入共模電壓范圍包括接地和輸出電壓也可以即使從一個單電源電壓。單位增益交叉頻率是溫度補償?shù)摹?/p>

輸入偏置電流也經過溫度補償

優(yōu)勢

兩個內部補償運算放大器

消除了對雙電源的需要

允許在GND附近直接感應，并且VOUT也可以接地

兼容所有形式的邏輯

適合電池操作的電源消耗

特征

提供8-Bump micro SMD芯片尺寸封裝，（見AN-1112）

單位增益內部頻率補償

大直流電壓增益：100dB

n寬帶寬（單位增益）：1 MHz（溫度補償）

寬電源范圍：-單電源：3V至32V-或雙電源：±1.5V至±16V

極低的電源電流消耗（500μA）-基本上與電源電壓無關

低輸入偏移電壓：2 mV

輸入共模電壓范圍包括接地

差分輸入電壓范圍等于功率

電源電壓

輸出電壓擺幅大

壓控振蕩器

絕對最大額定值（注9）

LM158/LM258/LM358 LM2904

LM158A/LM258A/LM358A

電源電壓，V+32V 26V

差分輸入電壓32V 26V

輸入電壓−0.3V至+32V−0.3V至+26V功耗（注1）

模壓DIP 830 mW 830 mW

金屬罐550兆瓦

小外形包（M）530 mW 530 mW

微型SMD 435mW

輸出對地短路（一個放大器）（注2）

V+≤15V且TA=25°C連續(xù)連續(xù)

輸入電流（VIN<−0.3V）（注3）50 mA 50 mA

工作溫度范圍

LM358 0˚C至+70˚C−40˚C至+85˚C

LM258−25˚C至+85˚C

LM158−55˚C至+125˚C

儲存溫度范圍−65˚C至+150˚C−65˚C至+150˚C

鉛溫度，浸漬（焊接，10秒）260攝氏度260攝氏度

鉛溫度，金屬罐（焊接，10秒）300˚C 300˚C

焊接信息

雙列直插式組件

焊接（10秒）260˚C 260˚C

小號外形包

氣相（60秒）215˚C 215˚C

紅外線（15秒）220攝氏度220攝氏度

其他焊接方法見AN-450“表面安裝方法及其對產品可靠性的影響”

表面貼裝設備。

ESD公差（注10）250V 250V

電氣特性

V+=+5.0V，除非另有說明

電氣特性（續(xù)）

V+=+5.0V，（注4），除非另有說明

注1：對于在高溫下運行，LM358/LM358A、LM2904必須根據a+125˚C最高結溫和MDIP的電阻為120˚C/W，金屬罐為182˚C/W，小外形封裝為189˚C/W，微型SMD為230˚C/W，適用于焊接設備在印刷電路板中，在靜止的空氣環(huán)境中工作。LM258/LM258A和LM158/LM158A可根據最高結溫a+150˚C進行降額。耗散是兩個放大器的總和-盡可能使用外部電阻器，以使放大器飽和或降低所消耗的功率在集成電路中。

注2：從輸出到V+的短路可能導致過熱并最終導致?lián)p壞。當考慮對地短路時，最大輸出電流約為40毫安，與V+的大小無關。當電源電壓值超過+15V時，持續(xù)短路可能超過功率損耗額定值并導致最終破壞。破壞性耗散可由所有放大器同時短路引起。

注3：只有當任何輸入引線上的電壓為負驅動時，該輸入電流才會存在。這是由于輸入PNP的集電極基極結造成的晶體管變得正向偏壓，從而起到輸入二極管鉗位的作用。除了這種二極管的作用，還有橫向NPN寄生晶體管的作用在IC芯片上。晶體管的這種作用會導致運算放大器的輸出電壓在一段時間內達到V+電壓電平（或大的過驅動時接地）輸入是負驅動的。這不是破壞性的，當輸入電壓為負數(shù)時，正常輸出狀態(tài)將重新建立大于−0.3V（25˚C時）。

注4：對于LM158/LM158A，這些規(guī)范僅限于−55˚C≤TA≤+125˚C。對于LM258/LM258A，所有溫度規(guī)格均限于−25˚C≤TA≤+85˚C，LM358/LM358A溫度規(guī)格限制在0˚C≤TA≤+70˚C，LM2904規(guī)格限制在−40˚C≤TA≤+85攝氏度。

注5:VO。1.4V，RS=0Ω，V+從5V到30V；并且在25˚C的全輸入共模范圍（0V到V+−1.5V）。對于LM2904，V+從5V到26V。

注6：由于PNP輸入級，輸入電流的方向超出IC。這個電流基本上是恒定的，與輸出的狀態(tài)無關輸入行上不存在加載更改。

注7：任何一個輸入信號電壓的輸入共模電壓的負值不應超過0.3V（在25˚C時）。的上端共模電壓范圍為V+−1.5V（25˚C時），但任一輸入或兩個輸入均可達到+32V而無損壞（+26V用于LM2904），與V+。

注8：由于外部部件接近，確保耦合不是通過這些外部部件之間的雜散電容產生的。這通常可以是當這種類型的電容在更高頻率下增加時被檢測到。

注9：LM158A軍用規(guī)格見RETS158A，LM158A軍用規(guī)格見RETS158X。

注10：人體模型，1.5 kΩ串聯(lián)100 pF。

典型性能特征

程序提示

LM158系列是運算放大器，僅使用單電源電壓，具有真正的差分輸入，并用輸入共模保持線性模式0 VDC電壓。這些放大器的工作范圍很廣電源電壓的變化不大特點。在25˚C時，放大器可能會停止工作最小電源電壓為2.3 VDC。應采取預防措施確保電源因為集成電路的極性永遠不會顛倒或者該裝置不是無意中向后安裝在測試插座作為通過IC內正向二極管的無限電流浪涌可能導致內部導體會導致單元損壞。大的差分輸入電壓可以很容易地適應而且，作為輸入差動電壓保護二極管需要的是，沒有大的輸入電流由大的差異輸入電壓。差分輸入電壓可能更大在不損壞設備的情況下。保護應該是用于防止輸入電壓變?yōu)樨摯笥?#8722;0.3 VDC（25˚C時）。輸入鉗位二極管可以使用IC輸入端的電阻器。為了減少電源電流消耗，放大器為小信號電平提供a級輸出級將a模式轉換為B類信號。這使得放大器都源和匯大的輸出電流。因此，NPN和PNP外部電流升壓晶體管都可以用來擴展basic的功率容量放大器。輸出電壓需要升高大約1個二極管下降到地面以上，以偏置芯片上的垂直PNP輸出電流下降應用晶體管。對于交流應用，負載電容耦合到放大器的輸出，應該使用一個電阻器，從放大器對地的輸出以增加A級偏置電流和防止交叉失真。

在哪里負載是直接耦合的，在直流應用中，沒有交叉失真。直接施加在放大器降低了環(huán)路穩(wěn)定裕度。值為50pF可以使用最壞情況下的非反轉進行調節(jié)團結獲得聯(lián)系。大閉環(huán)增益或電阻如果必須使用較大的負載電容，則應使用隔離由放大器驅動。LM158的偏置網絡建立漏極電流與電源的大小無關電壓超過3 VDC到30 VDC。輸出對地短路或對正電源短路供應時間應短。裝置可以被斷電，而不是由于短路電流引起的金屬熔化，而是由于IC芯片的大量增加因功能溫度過高而導致最終失效的耗散。接通直接短路一次多個放大器將增加總集成電路如果沒有采用串聯(lián)的外部耗散限制電阻器進行適當保護，則功率損耗達到破壞性水平有放大器的輸出引線。較大值25°C時可用的輸出源電流提供高溫下更大的輸出電流能力（見典型性能特性）比標準集成電路運算放大器。典型應用章節(jié)中介紹的電路強調僅在單一電源電壓下操作。如果有補充電源，所有可以使用標準運算放大器電路。一般來說，引入一個偽接地（V的偏置電壓基準+/2） 威爾允許在單電源中高于或低于此值的操作供應系統(tǒng)。顯示了許多應用電路利用寬輸入共模電壓范圍包括地面。在大多數(shù)情況下，輸入偏置是不需要和輸入電壓的范圍可以接地容易適應。

注11:LM158可根據SMD#5962-8771001提供LM158A可根據SMD#5962-8771002提供

注12：輻射耐受裝置見標準Mil圖紙5962L87710

典型單電源應用（V+=5.0 VDC）（續(xù)）

典型單電源應用（V+=5.0 VDC）（續(xù)）

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