LNB之間的完整接口

I2CTM總線

內(nèi)置DC/DC控制器

單12V電源操作

精確的內(nèi)置22KHz音調(diào)

振蕩器

符合廣泛接受的標(biāo)準(zhǔn)

快速振蕩器啟動(dòng)

DiSEqCTM編碼

內(nèi)置22KHz音調(diào)檢測(cè)器

支持雙向DiSEqCTM

從機(jī)循環(huán)功能

操作

LNB短路保護(hù)和診斷的

電纜長度數(shù)字補(bǔ)償

內(nèi)部溫度過高保護(hù)

ESD額定值4KV通電

輸入輸出引腳

說明

用于模擬和數(shù)字衛(wèi)星機(jī)頂盒21臺(tái)電視機(jī)/衛(wèi)星電視卡單片調(diào)壓器和接口IC，組裝在SO-20和PowerSO-20中，專門設(shè)計(jì)用于提供電源和至LNB的13/18V、22KHz音頻信號(hào)天線或多功能開關(guān)中的下變頻器盒子。在這個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，它提供了一個(gè)完整的成分計(jì)數(shù)極低的溶液功耗設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單I2CTM標(biāo)準(zhǔn)接口。這個(gè)集成電路有一個(gè)內(nèi)置的DC/DC升壓控制器從一個(gè)8到15V，產(chǎn)生的電壓后調(diào)節(jié)器工作在最低限度消散權(quán)力。欠壓鎖定電路將當(dāng)提供的VCC低于固定閾值（通常為6.7V）。這個(gè)內(nèi)部22KHz音頻發(fā)生器為工廠修整按照標(biāo)準(zhǔn)，并且可以由I2CTM接口或?qū)Ｓ靡_（DSQIN），允許立即DiSEqCTM數(shù)據(jù)編碼（*）。的所有功能該集成電路通過I2CTM總線通過寫6系統(tǒng)寄存器上的位（SR，8位）。這個(gè)同一個(gè)寄存器可以被讀回，兩個(gè)位將報(bào)告診斷狀態(tài)。當(dāng)集成電路被放入時(shí)待機(jī)（EN位低），電源塊是禁用和循環(huán)切換LT1和LT2引腳閉合，因此留下所有LNB主控電源和控制功能接收器（**）。當(dāng)調(diào)節(jié)器塊激活（EN位高），輸出可以是邏輯的控制為13或18 V（典型值），通過用于遠(yuǎn)程控制的VSEL位（電壓選擇）非疾病LNB。此外，這是可能的將所選電壓增加1V（典型值）補(bǔ)償過大電壓降的值沿著同軸電纜（LLC位高）。為了最大限度地降低功耗，降低輸出電壓調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換器內(nèi)部升壓使線性調(diào)節(jié)器至少工作輟學(xué)。SR的另一部分是針對(duì)遠(yuǎn)程控制非DiSEqC LNBs:10（音調(diào)啟用）位。當(dāng)設(shè)置為高時(shí)，a不管怎樣，都會(huì)產(chǎn)生持續(xù)的22KHz音調(diào)DSQIN引腳邏輯狀態(tài)。十位必須當(dāng)DSQIN引腳用于DiSEqCTM編碼。完全雙向的DiSEqCTM接口由內(nèi)置22KHz音調(diào)檢測(cè)器。其輸入引腳（DETIN）必須交流耦合到DiSEqCTM總線，并且提取的PWK數(shù)據(jù)可在DSQOUT引腳（*）。為了提高設(shè)計(jì)的靈活性新型LNB遙控器的實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)，模擬調(diào)制輸入引腳是可用（EXTM）。適當(dāng)?shù)闹绷鏖]鎖必須使用電容器耦合調(diào)制信號(hào)源到EXTM引腳。當(dāng)外部未使用調(diào)制，可留下相關(guān)引腳打開。

電流限制塊有兩個(gè)閾值可由SR的ISEL位選擇的下限值在400到550mA之間（ISEL=高），而較高的閾值為在500和650mA之間（ISEL=低）。當(dāng)前保護(hù)塊是SOA類型。這個(gè)將短路電流（Isc）限制在200毫安，ISEL=高，300毫安時(shí)當(dāng)輸出端口連接到接地。可以設(shè)置短路電流靜態(tài)保護(hù)（簡(jiǎn)單電流鉗）或按SR的PCL位命名；當(dāng)PCL（脈沖電流限制）位設(shè)置為低，過流保護(hù)電路工作動(dòng)態(tài)：一旦檢測(cè)到過載，輸出通常會(huì)關(guān)閉一段時(shí)間900毫秒。同時(shí)系統(tǒng)的OLF位寄存器設(shè)置為高。過了這段時(shí)間經(jīng)過時(shí)，輸出恢復(fù)一段時(shí)間t=1/10toff（典型值）。如果超載仍然存在檢測(cè)到，保護(hù)電路將再次循環(huán)通過托夫和頓。在一整噸的最后如果沒有檢測(cè)到過載，則正常運(yùn)行恢復(fù)，OLF位重置為低。典型的Ton+Toff時(shí)間為990ms，由內(nèi)部定時(shí)器。這種動(dòng)態(tài)操作可以極大地減少短路時(shí)的功耗狀況，仍能確保良好的通電啟動(dòng)在大多數(shù)情況下（**）。但是，在某些情況下輸出端的高電容性負(fù)載可能導(dǎo)致動(dòng)態(tài)保護(hù)啟動(dòng)困難被選中的。這可以通過啟動(dòng)任何力量來解決在靜態(tài)模式下啟動(dòng)（PCL=高），然后之后切換到動(dòng)態(tài)模式（PCL=低）一定的時(shí)間。當(dāng)處于靜態(tài)模式時(shí)，當(dāng)電流鉗位時(shí)，OLF位變高當(dāng)過載條件被清除。該IC還可防止過熱：當(dāng)結(jié)溫超過150℃時(shí)（典型），升壓轉(zhuǎn)換器和線性調(diào)節(jié)器關(guān)閉，回路槽開關(guān)打開，SR的OTF位設(shè)置為高。恢復(fù)正常操作，OTF位當(dāng)結(jié)冷卻到140°C（典型值）。

（1）：需要外部組件來滿足雙向DiSEqCTM總線硬件要求。使用此IC并不意味著整個(gè)應(yīng)用程序完全符合DiSEqCTM規(guī)范。

（2）：限流電路對(duì)環(huán)通開關(guān)沒有影響。當(dāng)EN位低時(shí)，從LT1流向LT2的電流必須受到外部限制。

（1）未使用時(shí)設(shè)為GND

（2）根據(jù)EUTELSAT建議使用的過濾器來實(shí)現(xiàn)DiSEqCTM 2.x，如果雙向DiSEqCTM 2.x是未實(shí)施（見DiSEqC實(shí)施說明）

（3）IC2是ST Fettky，STS4DNFS30L，包括DC/DC轉(zhuǎn)換器所需的肖特基二極管和N溝道Mos Fet，在一個(gè)So-8的包裹里。可以用肖特基二極管（STPS2L3A或類似產(chǎn)品）和N溝道Mos Fet（STN4NF03L或類似產(chǎn)品）代替

I2C總線接口

從主μP到LNBP21的數(shù)據(jù)傳輸viceversa通過2根電線I2C發(fā)生總線接口，由兩條線路SDA和上拉電阻器至正電源電壓必須外部連接）。

數(shù)據(jù)有效性

如圖1所示，SDA線路上的數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘的高時(shí)段保持穩(wěn)定。這個(gè)數(shù)據(jù)線的高低狀態(tài)只能當(dāng)SCL線路上的時(shí)鐘信號(hào)為低。啟動(dòng)和停止條件如圖2所示，啟動(dòng)條件是SCL高時(shí)SDA線的低躍遷。停止條件是SCL高時(shí)SDA線。停下來每次啟動(dòng)前必須發(fā)送條件條件。

字節(jié)格式

傳輸?shù)絊DA行的每個(gè)字節(jié)必須包含8位。每個(gè)字節(jié)后面必須跟一個(gè)ac知識(shí)位。首先傳輸MSB。承認(rèn)主（μP）在確認(rèn)時(shí)鐘脈沖期間的SDA線（請(qǐng)參閱圖3）。外圍設(shè)備（LNBP21）的承認(rèn)必須拉低SDA在確認(rèn)時(shí)鐘脈沖期間在這個(gè)時(shí)鐘脈沖期間，SDA線是穩(wěn)定的低電平。已尋址的外圍設(shè)備必須在接收到每個(gè)字節(jié)，另一種情況下SDA行保持在第九個(gè)時(shí)鐘脈沖時(shí)間內(nèi)的高電平。在在這種情況下，主發(fā)射機(jī)可以生成停止信息以中止傳輸。LNBP21不會(huì)生成確認(rèn)，如果Vcc電源低于欠壓鎖定閾值（6.7V典型值）。無應(yīng)答傳輸避免檢測(cè)到LNBP21，μP可以使用更簡(jiǎn)單的傳輸：它只需等待一個(gè)時(shí)鐘而不檢查slave確認(rèn)，并發(fā)送新數(shù)據(jù)。當(dāng)然，這種方法不太受保護(hù)誤操作，降低抗擾度。

LNBP1軟件說明

接口協(xié)議

接口協(xié)議包括：-啟動(dòng)條件-芯片地址字節(jié)=十六進(jìn)制10/11（LSB位確定讀取（=1）/寫入（=0）傳輸）-數(shù)據(jù)序列（1字節(jié)+確認(rèn)）-停止條件（P）

ACK=確認(rèn)

S=開始

P=停止

R/W=讀/寫

R、 W=讀寫位

R=只讀位

通電時(shí)所有位重置為0

傳輸數(shù)據(jù)（I2C總線寫入模式）當(dāng)芯片地址中的R/W位設(shè)置為0時(shí)，主μP可以寫入系統(tǒng)寄存器（SR）通過I2C總線。只有6位可用的8可以由μP寫入，因?yàn)榫S修2保留診斷標(biāo)志，和是只讀的。

接收數(shù)據(jù)（I2C總線讀取模式）

LNBP21可以向主機(jī)提供系統(tǒng)通過I2C總線注冊(cè)信息在讀取模式下。讀取模式被主激活通過發(fā)送R/W位設(shè)置為1的芯片地址。在以下主機(jī)生成的時(shí)鐘位處LNBP21在SDA數(shù)據(jù)總線上發(fā)出一個(gè)字節(jié)（先傳輸MSB）。在第九個(gè)時(shí)鐘位，MCU主機(jī)可以：-以這種方式開始確認(rèn)接收另一個(gè)字節(jié)從LNBP21；

-無應(yīng)答，停止讀取模式溝通。當(dāng)整個(gè)寄存器被μP讀回時(shí)，只有OLF和OTF兩個(gè)只讀位傳送關(guān)于LNBP21的不可知信息。

除非另有規(guī)定，否則值為典型值

上電I2C接口復(fù)位

LNBP21內(nèi)置的I2C接口是開機(jī)自動(dòng)復(fù)位。只要Vcc保持低電壓鎖定閾值（6.7V典型值），接口將不響應(yīng)任何I2C命令和系統(tǒng)寄存器（SR）初始化為所有零，因此禁用電源塊。一旦Vcc上升到7.3V，I2C接口開始工作，并且SR可由主μP配置。這是由于在UVL中提供大約500毫伏的滯后避免錯(cuò)誤重新觸發(fā)的閾值上電復(fù)位電路。DiSEqCTM實(shí)施LNBP21幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)雙向（2.x）DiSEqC協(xié)議通過簡(jiǎn)單的PWK調(diào)制/22KHz載波的解調(diào)。PWK數(shù)據(jù)在LNBP21和主μP使用與3.3和5V mi遙控器。這個(gè)數(shù)據(jù)通過兩個(gè)專用引腳進(jìn)行交換，為了保持PWK數(shù)據(jù)與PWK調(diào)制盡可能精確。這兩個(gè)引腳應(yīng)直接連接到μP的兩個(gè)I/O引腳，因此留給住戶固件編碼和解碼的任務(wù)PWK數(shù)據(jù)符合DiSEqC方案。系統(tǒng)完全符合規(guī)范因此，僅使用LNBP21并不意味著。系統(tǒng)設(shè)計(jì)者也應(yīng)該考慮總線硬件要求，包括主電源的阻抗在22KHz下測(cè)量的發(fā)射機(jī)。限制在卡里爾頻率衰減，這個(gè)阻抗在22KHz時(shí)必須是15歐姆，降到0歐姆在直流電，以允許電力流向外圍設(shè)備。這可以簡(jiǎn)單地通過LR端接在LNBP，如典型應(yīng)用電路所示在第5頁。單向（1.x）DiSEqC和非DiSEqC系統(tǒng)通常不需要這種終止，并且OUT引腳可以直接連接到LNB調(diào)諧器的電源端口。也沒有必要因此，建議將DETIN和DSQOUT引腳接地避免電磁干擾。地址PIN將此引腳連接至芯片I2C接口地址是0001000，但是，可以選擇在4個(gè)不同的地址中設(shè)置4個(gè)固定電壓等級(jí)的引腳（見第頁的表10） 。

LNBP系列的電氣特性（TJ=0至85°C，EN=1，LLC=0，TEN=0，ISEL=0，PCL=0，DSQIN=0，VIN=12V，IOUT=50mA，除非另有規(guī)定。請(qǐng)參閱軟件說明部分用于I2C訪問系統(tǒng)寄存器）

門極和感測(cè)電氣特性（TJ=0至85°C，VIN=12V）

典型特性（除非另有規(guī)定，Tj=25°C）

終端設(shè)計(jì)說明

在正常運(yùn)行期間，該裝置會(huì)消散一些力量。在最大額定輸出電流下（500mA），線性調(diào)節(jié)器上的電壓降導(dǎo)致總的能量消耗大約1.7W.產(chǎn)生的熱量需要散熱片保持結(jié)溫低于超溫保護(hù)閾值。假設(shè)內(nèi)部溫度為40°C機(jī)頂盒，總的香港電臺(tái)amb必須低于50°C/W。雖然使用可連接的通孔電源組件到一個(gè)小的散熱器或金屬框架接收器，表面安裝的電源組件必須依靠熱效率為通常是有限的。最簡(jiǎn)單的解決方案是使用接地層的大面積連續(xù)銅區(qū)散熱IC體的熱量。該IC的SO-20封裝有4個(gè)GND引腳不只是用于電氣接地連接，也能提供低熱量硅片與PCB散熱片。假設(shè)Rthj-c等于15°c/W，PCB的最大溫度為35°C/W散熱片。如果最小值為25cm2的銅面積正好位于IC的下方身體。這個(gè)區(qū)域可以是多層PCB，或者在雙層PCB中即使在對(duì)側(cè)也沒有損壞的GND區(qū)域IC的位置。在這兩種情況下IC GND引腳和耗散之間的路徑銅區(qū)必須具有低的熱阻。在圖4中，它顯示了帶有雙層PCB的SO-20封裝，其中消散接地面積通過32個(gè)通孔進(jìn)行熱連接，用焊料填充。這種安排，L=50mm，達(dá)到約25°C/W的Rthc-a。不同的布局也是可能的。基本然而，原則建議保留IC及其接地針腳大約在消散區(qū)；提供盡可能多的通孔可能的；設(shè)計(jì)一個(gè)具有形狀盡可能方形，不要中斷其他的銅痕跡。由于存在與IC體下方接地，PowerSO-20一攬子計(jì)劃的港臺(tái)稅率比SO-20低得多，只有2°C/W。因此，銅面積要低得多必須提供相同的功率和至少12cm2的銅面積足夠，參見圖5。

　　安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責(zé)聲明：部分圖文來源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。