特征

工作電源電壓為8至52 V

5.6 A輸出峰值電流（2.8 A DC）

RDS（開）0.3典型值。Tj值=25攝氏度

工作頻率高達100 KHz

可編程高壓側過電流檢測和保護

診斷輸出

并聯(lián)運行

交叉?zhèn)鲗ПＷo

熱關機

欠壓鎖定

集成快速自由轉動二極管

應用

雙極步進電機

雙或四直流電機

說明

L6206設備是DMOS雙全橋為電機控制應用設計，實現(xiàn)在BCD技術中CMOS雙極型DMOS功率晶體管電路在同一芯片上。提供于PowerDIP24（20+2+2）、PowerSO36和SO24（20+2+2）包，L6206設備特點熱關機和非耗散高壓側電源過電流檢測MOSFET加上診斷輸出易于實現(xiàn)過電流保護。

1.安裝在多層FR4 PCB上，其底部的散熱銅表面為6 cm2（厚度為35μm）。

2.安裝在多層FR4 PCB上，其頂部的散熱銅表面為6 cm2（厚度為35μm）。

3.安裝在多層FR4 PCB上，其頂部的散熱銅表面為6 cm2（厚度為35μm），16個通孔和一個底層。

4.安裝在多層FR4 PCB上，板上沒有任何散熱面。

電氣特性

表5。電氣特性（除非另有規(guī)定，否則環(huán)境溫度=25°C，Vs=48 V）

表5。電氣特性（環(huán)境溫度=25°C，Vs=48 V，除非另有規(guī)定）（續(xù)）

1.在25°C的限制范圍內進行測試，并通過特性驗證。

2.見圖3：開關特性定義。

3.見圖4：過電流檢測定時定義。

電路描述

功率級和充電泵

L6206器件集成了兩個獨立的功率MOS全橋。每個功率MOS具有Rds（ON）=0.3（25°C時的典型值），具有固有的快速續(xù)流二極管。十字架通過在開關關閉之間使用一個死區(qū)時間（td=1μs，典型值）實現(xiàn)傳導保護在一個橋臂上接通兩個功率MOS。使用N溝道功率MOS作為橋上晶體管需要柵極驅動電壓高于電源電壓。獲得引導（VBOOT）電源通過一個內部振蕩器和幾個外部元件來實現(xiàn)電荷泵電路如圖5所示。振蕩器輸出（VCP）是600 kHz（典型）的方波10 V振幅。顯示了充電泵電路的建議值/零件號在表6中

邏輯輸入

引腳IN1A、IN2A、IN1B、IN2B、ENA和ENB是TTL/CMOS兼容的邏輯輸入。這個內部結構如圖6所示。開啟和關閉閾值的典型值為Vth（開）=1.8 V，Vth（關）=1.3 V。引腳ENA和ENB通常用于實現(xiàn)過電流和熱保護將它們分別連接到輸出OCDA和OCDB，這兩個輸出是開漏的輸出。如果選擇這種連接方式，在驅動這些連接時需要小心別針。圖7和圖8顯示了兩種配置。如果由明渠驅動（集電極）結構、上拉電阻REN和電容CEN連接如所示圖7。如果驅動器是一個標準的推挽結構，電阻REN和電容CEN的連接如圖8所示。電阻REN應選擇在該范圍內從2.2 k到180 k。REN和CEN的建議值分別為100 K和5.6 nF。有關選擇值的更多信息，請參見第5.3節(jié)：非耗散過電流檢測和保護。

無耗散過電流檢測與保護

除PWM電流控制外，還集成了過電流檢測電路（OCD）。該電路可用于提供對地短路或對地短路的保護橋的兩相以及負載電流的粗略調節(jié)。用這個內部過電流檢測，通常使用的外部電流檢測電阻器及其消除了相關的功耗。圖9顯示了橋A的過電流檢測電路。橋B具有模擬電路。為了實現(xiàn)過電流檢測，一種傳感元件，它提供一個小而精確的每個高邊功率MOS實現(xiàn)了輸出電流的一部分。從這以后電流是輸出電流的一小部分，幾乎沒有額外的功率消散。該電流與內部參考電流IREF進行比較。當當OCD比較器發(fā)出故障信號時，輸出電流達到檢測閾值條件。當檢測到故障情況時，內部開漏MOS具有下拉打開連接到OCD引腳的4毫安容量。圖10顯示了OCD操作。該信號可用于調節(jié)輸出電流，只需將OCD引腳連接至如圖9所示。恢復前的休息時間正常操作可通過邏輯輸入。因此，可通過電流檢測和IREF選擇輸出閾值，根據(jù)以下方程式：

顯示輸出電流保護閾值與5k.范圍內的RCL值至40 k.。恢復正常操作前禁用時間t可以通過邏輯輸入的精確閾值的方法。是否受岑、仁的影響值及其大小如圖12所示。關閉前的延遲時間t當檢測到過電流時，電橋僅取決于CEN值。它震級如圖13所示。

CEN還可用于為引腳EN提供抗快速瞬態(tài)噪聲的抗擾度。因此CEN值應根據(jù)最大容許值選擇盡可能大的值延遲時間和REN值應根據(jù)所需的禁用時間進行選擇。電阻器REN應選擇在2.2 K到180 K的范圍內。推薦REN和CEN的值分別為100 K和5.6 nF，允許獲得200μs禁用時間。

熱防護

除了過電流檢測，L6206設備還集成了熱保護防止結溫過高時損壞器件。它能感應到模具溫度通過集成在模具中的敏感元件實現(xiàn)。當結溫達到165°C（典型。滯后值（典型值15°C）。價值）

申請信息

使用L6206設備的典型應用如圖14所示。典型部件應用程序的值如表8所示。高品質陶瓷電容器應在電源插腳（VSA和VSB）與附近地面之間放置100至200 nFL6206裝置改善了高頻濾波對電源的影響，降低了對電源的干擾開關產生的高頻瞬態(tài)。電容器從ENA/OCDA和ENB/OCDB節(jié)點接地設置橋接器A和當檢測到過電流時，分別橋接B（見第5.3節(jié)：非耗散過電流檢測和保護第13頁）。兩個電流源（SENSEA和傳感器B）應連接至電源接地，其跡線長度應盡可能短布局。為了提高抗擾度，未使用的邏輯管腳最好連接到5 V（高邏輯電平）或GND（低邏輯電平）（見第6頁表4：引腳說明）。它是建議在PCB上保持電源接地和信號接地分開。

并聯(lián)運行

L6206器件的輸出可以并聯(lián)，以提高輸出電流能力或者在給定的電流水平下降低設備的功耗。必須指出，但是，內部的電線連接從模具到電源或感測管腳組件必須在兩個相關的半橋中承載電流。當兩半一個全橋（例如OUT1A和OUT2A）并聯(lián)連接，峰值電流額定值沒有增加，因為總電流必須仍然流過一根連接線電源或感應管腳。此外，過電流檢測還檢測每個橋（A或B）上部裝置中的電流，因此連接一個橋的兩半并聯(lián)橋不會增加過電流檢測閾值。對于大多數(shù)應用，建議的配置是橋A并聯(lián)的半橋1對于橋B的半橋1，對于半橋2也是如此，如中所示圖15。并聯(lián)的兩個設備中的電流將很好地共享，因為同一芯片上的設備的RDS（ON）匹配良好。當在這種配置中連接過電流檢測電路時，該電路檢測每個電橋（A和B）中的電流將感應到連接在獨立并聯(lián)，閾值最低的檢測電路將首先跳閘。和啟用并聯(lián)連接，第一次檢測到上部DMO中的過電流裝置將使兩座橋都轉彎。假設兩個DMOS設備共享電流同樣，產生的過電流檢測閾值將是最小閾值的兩倍由圖15中的電阻RCLA或RCLB設置。建議使用RCLA=RCLB。在此配置中，生成的網橋具有以下特征：

等效裝置：全橋

RDS（開）0.15典型值。TJ=25°C時的值

5.6 A最大均方根負載電流

最大OCD閾值11.2 A

也可以將四個半橋并聯(lián)以獲得簡單的半橋，如中所示圖17。在此配置中，過電流閾值等于最小值的兩倍由圖17中電阻RCLA或RCLB設置的閾值。建議使用RCLA=RCLB。由此產生的半橋具有以下特征：

等效裝置：半橋

RDS（開）0.075。典型值。TJ=25°C時的值

5.6 A最大均方根負載電流

最大OCD閾值11.2 A

輸出電流能力與集成電路功耗

圖18和圖19顯示了輸出電流之間的近似關系而IC功耗采用PWM電流控制驅動兩個負載，針對兩個不同的負載駕駛類型：

一次打開一個完整的橋架（圖18），一次只有一個負載通電。

兩座全橋同時開啟（圖19），其中兩個荷載同時加載通電。

對于給定的輸出電流和驅動類型，集成電路可以很容易地消耗功率評估，以確定應使用哪個包以及該包的大小板載銅散熱區(qū)，以保證安全的工作結溫（最高125°C）。

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