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LMC6572雙/LMC6574四芯 低壓(2.7V和3V)運算放大器

發(fā)布日期:2024-03-08 09:32 瀏覽次數(shù):

一般說明

低電壓運行和低功耗使LMC6574/2是電池供電系統(tǒng)的理想選擇。3V放大器性能由2.7V保證確保在整個電池壽命期間都能正常工作。這些瓜蘭三通還使模擬電路能夠在相同的條件下工作用于數(shù)字邏輯的3.3V電源。由于每個放大器都會消散,所以電池壽命最長只有微瓦的功率。LMC6574/2不犧牲低壓運行的功能。LMC6574/2產(chǎn)生120分貝的開環(huán)增益和傳統(tǒng)放大器一樣,但是LMC6574/2可通過2.7V電源實現(xiàn)此功能。這些放大器的設(shè)計特點是低壓運行。輸出電壓在軌道間擺動最大化信噪比和動態(tài)信號范圍。共模輸入電壓范圍從正電源以下800毫伏至地下100毫伏。本設(shè)備采用國內(nèi)先進(jìn)的雙聚體制造硅柵CMOS工藝。LMC6572也可采用MSOP封裝,其尺寸幾乎為SO-8裝置的一半。

特征

(除非另有說明,否則為典型)

保證2.7V和3V性能

軌間輸出擺幅(電源軌5 mV范圍內(nèi),100 kΩ負(fù)載)

超低電源電流:40μA/放大器

低成本

超低輸入電流:20FA

高壓增益@VS=2.7V,RL=100 kΩ:120 dB

指定用于100 kΩ和5 kΩ負(fù)載

在MSOP軟件包中提供

應(yīng)用

傳感器放大器

便攜式或遠(yuǎn)程設(shè)備

電池操作儀器

數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

醫(yī)療器械

改進(jìn)了TLV2322和TLV2324的替代品

絕對最大額定值(注1)

ESD公差(注2)2000V

差分輸入電壓±電源電壓

輸入/輸出引腳處的電壓(V+)+0.3伏,(V−)−0.3伏

電源電壓(V+−V−)12伏

輸入引腳處的電流±5 mA

輸出引腳處的電流(注3)±10 mA

電源引腳電流35毫安

引線溫度(焊接,10秒)260˚C

儲存溫度范圍−65˚C至+150˚C

結(jié)溫(注4)150˚C

工作額定值(注1)

供電電壓2.7V≤V+≤11V

結(jié)溫范圍

LMC6572AI,LMC6572BI−40˚C≤TJ≤+85˚C

LMC6574AI,LMC6574BI−40˚C≤TJ≤+85˚C

熱阻(θJA)

N封裝,8針模壓DIP 115˚C/W

M封裝,8針表面安裝193˚C/W

MSOP組件,8針迷你SO 217˚C/W

N包裝,14針模壓DIP 81˚C/W

M封裝,14針表面安裝126˚C/W

2.7V直流電特性

除非另有規(guī)定,否則TJ=25˚C的所有限值都有保證。V+=2.7V,V−=0V,VCM=VO=V+/2和RL>1MΩ。Bold 面部限制適用于極端溫度。

2.7V直流電電氣特性(續(xù))

除非另有規(guī)定,否則TJ=25˚C的所有限值都有保證。V+=2.7V,V−=0V,VCM=VO=V+/2和RL>1MΩ。Bold 面部限制適用于極端溫度。

2.7V交流電氣特性

除非另有規(guī)定,TJ=25˚C,V+=2.7V,V−=0V,VCM=VO=V的所有保證限值+/2和RL>1 MΩ。Bold 面部限制適用于極端溫度。

2.7V交流電氣特性(續(xù))

除非另有規(guī)定,TJ=25˚C,V+=2.7V,V−=0V,VCM=VO=V的所有保證限值+/2和RL>1 MΩ。Bold 面部限制適用于極端溫度。

注1:絕對最大額定值表示設(shè)備可能發(fā)生損壞的極限值。工作額定值表示設(shè)備處于正常工作狀態(tài),但具體性能無法保證。有關(guān)保證的規(guī)格和測試條件,請參閱電氣特性。

注2:人體模型,1.5 kΩ串聯(lián)100 pF。

注3:適用于單電源和分供操作。在較高環(huán)境溫度下持續(xù)短路操作可導(dǎo)致超過最大允許結(jié)溫150˚C。

注4:最大功耗是TJ(Max)、θJA和TA的函數(shù)。任何環(huán)境溫度下的最大允許功耗為PD=(TJ(最大)−TA)/θJA。所有數(shù)字適用于直接焊接到PC板上的封裝。

注5:典型值代表最有可能的參數(shù)規(guī)范。

注6:所有限值均由試驗或統(tǒng)計分析保證。

注7:V+=3V,VCM=1.5V,RL接1.5V。源極試驗,1.5V≤VO≤2.5V。下沉試驗,0.5V≤VO≤1.5V。

注8:作為電壓跟隨器連接,階躍輸入為1.0V。指定的數(shù)字是正負(fù)轉(zhuǎn)換率中較慢的一個。

注9:參考輸入,V+=3V,RL=100KΩ,連接至1.5V。每個安培以1kHz依次激勵,產(chǎn)生VO=2Vpp

典型性能特性VS=+3V,TA=25˚C,除非另有規(guī)定

典型性能特性VS=+3V,TA=25˚C,除非另有規(guī)定(續(xù))

典型性能特性VS=+3V,TA=25˚C,除非另有規(guī)定(續(xù))

典型性能特性VS=+3V,TA=25˚C,除非另有規(guī)定(續(xù))

應(yīng)用程序提示

1.0低壓放大器拓?fù)?/p>

LMC6574/2采用了一種新穎的運算放大器設(shè)計拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使其能夠保持軌對軌輸出擺動均勻當(dāng)駕駛大負(fù)載時。而不是依靠推拉單位增益輸出緩沖級,輸出級直接從內(nèi)部積分器獲取,這兩個低輸出阻抗大增益。采用特殊的前饋補(bǔ)償設(shè)計技術(shù)來維持在比傳統(tǒng)微功率運算放大器更廣泛的操作條件下的穩(wěn)定性。這些功能使LMC6574/2既易于設(shè)計,又提供更高的在這種超低功率的情況下,比產(chǎn)品的速度·快。

2.0輸入電容補(bǔ)償

對于具有超低輸入電流的放大器,使用大值反饋電阻是很常見的,例如LMC6574/2。雖然LMC6574/2在很寬的范圍內(nèi)高度穩(wěn)定在工作條件下,一個大的反饋電阻會發(fā)生反應(yīng)即使輸入端的電容值很小運算放大器減少相位裕度。運算放大器輸入端的電容來自傳感器、光電二極管和電路板寄生。輸入電容的影響可以通過添加電容器,Cf反饋電阻周圍(如圖1)這樣:

由于通常很難知道CIN的確切值,Cf可以通過實驗調(diào)整,以獲得所需的脈沖響應(yīng)。參考LMC60和LMC662了解關(guān)于輸入容量補(bǔ)償?shù)母敿?xì)討論。當(dāng)需要高輸入阻抗時,保護(hù)建議使用LMC6574/2。保護(hù)輸入線不僅減少漏電,但也降低雜散輸入電容。(高阻抗見印刷電路板布局工作)

3.0容性負(fù)載公差

直接電容負(fù)載會降低很多運算放大器。反饋回路中的極點由運算放大器輸出阻抗和電容負(fù)載的組合。這個極點在單位增益處引起相位滯后放大器的交叉頻率,導(dǎo)致振蕩或欠阻尼脈沖響應(yīng)。使用一些外部元件,運算放大器可以很容易地間接驅(qū)動負(fù)載,如圖2所示。

在圖2的電路中,R1和C1用來抵消高頻分量的相位裕度損失

應(yīng)用提示(續(xù))

輸出信號的輸入端返回到放大器的逆變輸入端,從而在整個反饋中保持相位裕度循環(huán)。

4.0印刷電路板布局

高阻抗工作一般認(rèn)為,任何必須運行的電路泄漏電流小于1000Pa時,需要特殊的PC板的布局。當(dāng)一個人想利用LMC6574/2的超低偏置電流比20足協(xié),有一個良好的布局是至關(guān)重要的。當(dāng)然,獲得低泄漏的技術(shù)相當(dāng)多簡單。首先,用戶不能忽視表面滲漏PC板,即使有時看起來可以接受的低,因為在高濕度或灰塵的條件下或污染,表面會有明顯泄漏。為了最大限度地減少表面泄漏完全包圍LMC6574/2輸入的箔材與運算放大器輸入端相連的電容器、二極管、導(dǎo)體、電阻、繼電器等的端子,如圖3。為了產(chǎn)生顯著的效果,防護(hù)環(huán)應(yīng)該放置在PC板的頂部和底部。這臺電腦箔材必須連接到相同的電壓電壓作為放大器的輸入,因為沒有泄漏電流可以在相同電位的兩點之間流動。例如,PC板跟蹤到焊盤的電阻為1012Ω,通常認(rèn)為電阻非常大,如果軌跡是一個5V總線,靠近輸入板。這個會導(dǎo)致LMC6574/2的性能下降250倍實際表現(xiàn)。但是,如果在輸入電壓為5 mV,則即使是1011Ω的電阻也會只造成0.05帕的泄漏電流。標(biāo)準(zhǔn)運算放大器保護(hù)環(huán)的典型連接見圖4配置


設(shè)計師應(yīng)該意識到為了幾個電路而布置一塊PC機(jī)板是另一種比護(hù)環(huán)更好的技術(shù)在PC板上:不要將放大器的輸入引腳插入板,但彎曲它在空氣中,只使用空氣作為絕緣層。空氣是極好的絕緣體。在這種情況下,你可以必須放棄PC板結(jié)構(gòu)的一些優(yōu)點,但這些優(yōu)點有時是值得的在空中布線中使用點對點的努力。見圖5

應(yīng)用提示(續(xù))

5.0 SPICE宏模型

可為LMC6574/2提供spice宏模型。這個模型包括精確模擬:

輸入共模電壓范圍

頻率和瞬態(tài)響應(yīng)

GBW對荷載條件的依賴性

靜態(tài)和動態(tài)電源電流

輸出擺動取決于負(fù)載條件

以及宏觀模型中列出的更多特征磁盤。



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