特征
•立體聲直達路徑™ 音頻線路驅(qū)動器
–2 Vrms接入10 kΩ,3.3-V電源
•2 Vrms時低THD+N<0.01%,變?yōu)?0 kΩ
•高信噪比,>90分貝
•600Ω輸出負(fù)載兼容
•差分輸入和單端輸出
•外部增益設(shè)置電阻器可調(diào)增益
•低直流偏移,<1 mV
•接地參考輸出消除直流阻塞電容器
–減少電路板面積
–降低組件成本
–提高THD+N性能
–輸出電容器不會降低低頻響應(yīng)
•短路保護
•點擊彈出減少電路
•外部欠壓靜音
•主動靜音控制,實現(xiàn)無彈出音頻開/關(guān)控制
•節(jié)省空間的TSSOP包
應(yīng)用
•機頂盒
•藍光光盤™,DVD播放器
•LCD和PDP電視
•微型/微型組合系統(tǒng)
•聲卡
•筆記本電腦
說明
DRV632是一個2-VRMS無彈出立體聲線路驅(qū)動器,設(shè)計允許移除輸出直流阻斷電容器,以減少組件數(shù)量和成本。該器件非常適合于尺寸和成本是關(guān)鍵設(shè)計參數(shù)的單電源電子產(chǎn)品。
采用TI專利的DirectPath設(shè)計™ 在技術(shù)上,DRV632能夠驅(qū)動2個VRM到10-kΩ負(fù)載和3.3-V電源電壓。該器件具有差分輸入,并使用外部增益設(shè)置電阻器來支持±1 V/V到±10 V/V的增益范圍,并且可以為每個通道單獨配置增益。線路輸出具有±8-kV IEC ESD保護,只需要一個簡單的電阻電容ESD保護電路。DRV632具有內(nèi)置的主動靜音控制,可打開/關(guān)閉無彈出音頻控制。那個DRV632有一個外部欠壓檢測器,當(dāng)電源斷開時,它會使輸出靜音,確保無彈出關(guān)閉。
與傳統(tǒng)的2-VRMS生成方法相比,在音頻產(chǎn)品中使用DRV632可以大大減少組件數(shù)量輸出DRV632不需要大于3.3V的電源來產(chǎn)生其5.6-Vpp輸出,也不需要分軌電源。DRV632集成了自己的電荷泵,以產(chǎn)生一個負(fù)電源軌,提供一個干凈,無彈出的地面偏置2-VRMS輸出。
DRV632提供14針TSSOP。
設(shè)備信息

(1)、有關(guān)所有可用的軟件包,請參閱數(shù)據(jù)表末尾的醫(yī)囑內(nèi)容附錄。
簡化圖

典型特征
VDD=3.3 V,TA=25°C,C(泵)=C(VSS)=1μF,CIN=2.2μF,RIN=15 kΩ,Rfb=30 kΩ,ROUT=32Ω,COUT=1 nF(除非另有說明)。



參數(shù)測量信息
所有參數(shù)均根據(jù)規(guī)范中所述的條件進行測量。
詳細(xì)說明
概述
DRV632結(jié)合了TI的專利DirectPath技術(shù)和內(nèi)置的點擊和彈出減少電路,是一個2-VRMS無彈出立體聲線路驅(qū)動器,旨在避免使用輸出直流阻斷電容器,從而減少組件數(shù)量和成本。DRV632能夠驅(qū)動2-VRMS進入600Ω至10 kΩ的線路負(fù)載,電源電壓為3.3-V。電荷泵飛行、PVSS和去耦電容的使用確保了放大器的性能。該設(shè)備有兩個帶有差分輸入的通道,需要直流輸入阻斷電容器來阻斷音頻源的直流部分。這些允許DRV632輸入適當(dāng)偏置,以提供最大性能。DRV632允許外部增益設(shè)置電阻器支持±1 V/V至±10 V/V的增益范圍。增益可為每個通道單獨配置。另外,當(dāng)需要去除帶外噪聲時,兩個信道都可以用作二階濾波器。DRV632有一個內(nèi)置的主動靜音控制,用于打開/關(guān)閉無彈出音頻,并通過使用外部欠壓檢測來避免點擊和彈出。卸下或放置電源設(shè)備時,設(shè)備不會生成彈出或單擊。
功能框圖

特性描述
9.3.1線路驅(qū)動放大器
單電源線驅(qū)動放大器通常需要直流阻斷電容器。圖6中的上圖說明了傳統(tǒng)的線路驅(qū)動器放大器與負(fù)載和輸出信號的連接。直流閉鎖電容器的價值往往很大。線路負(fù)載(典型電阻值為600Ω至10 kΩ)與直流閉鎖電容器結(jié)合形成高通濾波器。方程1顯示了負(fù)載阻抗(RL)、電容器(CO)和截止頻率(fC)之間的關(guān)系。

CO可以用等式2確定,其中負(fù)載阻抗和截止頻率已知。

如果fC很低,電容器必須有一個大值,因為負(fù)載電阻很小。大的電容值需要大的封裝尺寸。大的封裝尺寸會消耗PCB面積,高出PCB,增加組裝成本,并且會降低音頻輸出信號的保真度。

直接通路放大器結(jié)構(gòu)從單一電源運行,但利用內(nèi)部電荷泵提供負(fù)電壓軌道。結(jié)合用戶提供的正軌和IC產(chǎn)生的負(fù)軌,設(shè)備以有效的分供模式運行。輸出電壓現(xiàn)在集中在零伏,能夠擺動到正軌或負(fù)軌。結(jié)合這與內(nèi)置的點擊和彈出減少電路,直接路徑放大器不需要輸出直流阻斷電容。圖6的底部方塊圖和波形說明了地面參考線驅(qū)動程序架構(gòu)。這是DRV632的體系結(jié)構(gòu)。
電荷泵飛行電容器和PVSS電容器
電荷泵飛行電容器用于在產(chǎn)生負(fù)電源電壓期間轉(zhuǎn)移電荷。PVSS電容器必須至少等于電荷泵電容器,以允許最大電荷轉(zhuǎn)移。低ESR電容器是理想的選擇,1μF是典型值。可以使用小于1μF的電容值,但最大輸出電壓可能會降低,并且設(shè)備可能無法按照規(guī)范運行。如果DRV632用于高噪聲敏感電路,TI建議在VDD連接上增加一個小型LC濾波器。
去耦電容器
DRV632是一個直接路徑線路驅(qū)動器放大器,需要足夠的電源去耦,以確保噪聲和總諧波失真(THD)是低的。一個好的,低等效串聯(lián)電阻(ESR)陶瓷電容器,通常是1μF,放置在盡可能靠近器件VDD引線的地方,效果最好。把這個去耦電容器放在DRV632附近對放大器的性能很重要。為了過濾低頻噪聲信號,在音頻功率放大器附近放置一個10μF或更大的電容器也會有幫助,但在大多數(shù)應(yīng)用中并不需要它,因為這種設(shè)備的PSRR很高。
增益設(shè)定電阻范圍
必須選擇增益設(shè)置電阻器RIN和Rfb,以使DRV632的噪聲、穩(wěn)定性和輸入電容器尺寸保持在可接受的范圍內(nèi)。電壓增益定義為Rfb除以RIN。
選擇太低的值需要一個大的輸入交流耦合電容,CIN。選擇過高的值會增加放大器的噪聲。表1列出了不同逆變輸入增益設(shè)置的推薦電阻值。

輸入閉鎖電容器
直流輸入阻斷電容器需要與音頻信號串聯(lián)添加到DRV632的輸入引腳中。這些電容器阻斷音頻源的直流部分,并允許DRV632輸入適當(dāng)偏置,以提供最大的性能。
這些電容器與輸入電阻RIN形成高通濾波器。截止頻率用方程式3計算。在該計算中,使用的電容是輸入阻塞電容,電阻是從表1中選擇的輸入電阻;然后,當(dāng)兩個值中的一個給定時,就可以確定頻率和/或電容。
建議使用電解電容器或高壓額定電容器作為輸入閉鎖電容器,以確保電容隨輸入電壓的變化最小。這種電容隨輸入電壓的變化在陶瓷電容器中很常見,會增加低頻音頻失真。

DRV632 UVP操作
UVP引腳處的關(guān)機閾值為1.25 V。客戶必須使用電阻分壓器來獲得特定應(yīng)用所需的關(guān)機閾值和磁滯。客戶選擇的閾值可以確定如下:
外部欠壓檢測
外部欠壓檢測可用于在輸入設(shè)備產(chǎn)生pop之前使DRV632靜音/關(guān)閉。
UVP引腳處的關(guān)機閾值為1.25 V。用戶選擇一個電阻分壓器以獲得特定應(yīng)用的關(guān)機閾值和滯后。閾值可以確定如下:

例如,要獲得VUVP=3.8 V和1-V滯后,請使用R1=3 kΩ、R2=1 kΩ和R3=50 kΩ。

設(shè)備功能模式
使用DRV632作為二階濾波器
目前使用的一些音頻DAC需要一個外部低通濾波器來消除帶外噪聲。這在DRV632上是可能的,因為它可以像標(biāo)準(zhǔn)運算放大器一樣使用。可以實現(xiàn)幾種濾波器拓?fù)洌▎味撕筒罘帧T趫D8中,顯示了具有差分輸入和單端輸入的多反饋(MFB)。
圖中顯示了一個交流耦合電容器,用于從源中去除直流分量;它用于阻止源中的任何直流分量,并將直流增益降低到1,有助于將輸出直流偏移減小到最小。
要計算組件值,請使用TI WEBENCH®過濾器設(shè)計器。

電阻值應(yīng)具有低值以獲得低噪聲,但也應(yīng)具有足夠高的值,以獲得小尺寸的交流耦合電容器。當(dāng)R1=15kΩ,R2=30kΩ,R3=43kΩ時,1μF輸入交流耦合電容器的動態(tài)范圍可達106db。
靜音模式
DRV632可使用低激活靜音引腳(引腳5)靜音。點擊和彈出抑制能力確保當(dāng)使用靜音模式時,它不會產(chǎn)生額外的點擊或彈出。
應(yīng)用與實施
注意
以下應(yīng)用章節(jié)中的信息不是TI組件規(guī)范的一部分,TI不保證其準(zhǔn)確性或完整性。TI的客戶負(fù)責(zé)確定組件的適用性。客戶應(yīng)驗證和測試其設(shè)計實現(xiàn),以確認(rèn)系統(tǒng)功能。
申請信息
此典型連接圖突出顯示了設(shè)備正常運行所需的外部組件和系統(tǒng)級連接。這種配置可以使用設(shè)備的評估模塊(EVM)來實現(xiàn)。這個靈活的模塊允許在所有可用的操作模式下對設(shè)備進行全面評估。另請參閱DRV632產(chǎn)品頁面,了解有關(guān)訂購EVM的信息。
典型應(yīng)用

設(shè)計要求
在本設(shè)計示例中,使用表2中列出的參數(shù)。

詳細(xì)設(shè)計程序
電荷泵飛行、PVSS和去耦電容器
為了在產(chǎn)生負(fù)電源電壓的過程中轉(zhuǎn)移電荷,本設(shè)計使用了1-μF低等效串聯(lián)電阻(ESR)電荷泵飛流電容器。類似的1-μF電容器放置在VSS中,并盡可能靠近VDD。詳見電荷泵飛行電容器、PVSS電容器和去耦電容器。
二階有源低通濾波器
在TI WEBENCH過濾器設(shè)計師的幫助下提出了R1=15kΩ,R2=30kΩ,R3=43kΩ,C1=47pf,C2=180pf的二階低通濾波器。有關(guān)詳細(xì)信息,請參閱使用DRV632作為二階過濾器。
UVP電阻分壓器
R11和R12被放置在電阻分壓器的設(shè)計中。UVP引腳處的關(guān)機閾值為1.25 V。有關(guān)詳細(xì)信息,請參閱外部欠壓檢測。
應(yīng)用曲線


電源建議
該裝置設(shè)計為在3V至3.6V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該輸入電源必須經(jīng)過良好的調(diào)節(jié)。如果輸入電源位于距離DRV632設(shè)備幾英寸以上的地方,除了陶瓷旁路電容器之外,可能還需要額外的大容量電容。典型選擇值為47μF的電解電容器。
在DRV632附近放置一個去耦電容器可以提高線路驅(qū)動放大器的性能。典型的選擇是低等效串聯(lián)電阻(ESR)陶瓷電容器,其值為1μF。
如果DRV632用于高噪聲敏感電路,TI建議在VDD連接上增加一個小型LC濾波器。
布局
布局指南
增益設(shè)定電阻器
增益設(shè)置電阻器RIN和Rfb必須分別靠近引腳13和引腳17,以最小化這些輸入引腳上的電容負(fù)載,并確保DRV632的最大穩(wěn)定性。有關(guān)建議的PCB布局,請參閱DRV632EVM用戶指南。
布局示例

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