一般說明

LM82是一個(gè)2線串行數(shù)字溫度傳感器感應(yīng)電壓和溫度的接口一種使用Delta-Sigma模數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)字過溫探測(cè)器的遠(yuǎn)程二極管。LM82 ac準(zhǔn)確地感知自身溫度以及外部設(shè)備的溫度，如奔騰II®處理器或二極管連接2N3904s。任何ASIC的溫度只要芯片上有專用的二極體（半導(dǎo)體結(jié)），就可以使用LM82進(jìn)行檢測(cè)。使用SMBus接口主機(jī)可以訪問LM82的寄存器任何時(shí)候。激活一個(gè)T_CRIT_輸出發(fā)生在任何溫度都高于可編程比較器極限，T\u CRIT。當(dāng)溫度高于相應(yīng)的可編程溫度比較器上限。主機(jī)可以編程，也可以讀回T\u CRIT寄存器和2個(gè)T\u高寄存器。三態(tài)邏輯輸入允許兩個(gè)引腳（ADD0，ADD1）選擇最多9個(gè)LM82的SMBus地址位置。傳感器供電T廑u CRIT和all的默認(rèn)閾值為127˚C。LM82是針對(duì)針和寄存器兼容使用LM84、Maxim MAX1617和模擬設(shè)備ADM1021。

特征

準(zhǔn)確地感知遠(yuǎn)程IC的模具溫度，或二極管結(jié)

車載局部溫度傳感

SMBus和I2C兼容接口，支持SMBus 1.1超時(shí)

兩個(gè)中斷輸出：INT和T_CRIT_A

寄存器回讀功能

7位加號(hào)溫度數(shù)據(jù)格式，1˚C分辨率

2個(gè)地址選擇管腳允許在單總線

主要規(guī)格

電源電壓3.0V至3.6V

電源電流0.8mA（最大）

局部溫度精度（包括量化誤差）0˚C至+85˚C±3.0˚C（最高）遠(yuǎn)程二極管溫度精度（包括量化錯(cuò)誤）

+25攝氏度至+100攝氏度±3攝氏度（最高）

0˚C至+125˚C±4˚C（最高）

應(yīng)用

系統(tǒng)熱管理

臺(tái)計(jì)算機(jī)

電子測(cè)試設(shè)備

辦公電子設(shè)備

暖通空調(diào)

絕對(duì)最大額定值（注1）

電源電壓−0.3 V至6.0 V

SMBData處的電壓，SMBCLK、T_CRIT_A&INT引腳−0.5V至6V

其他針腳處的電壓−0.3 V至（VCC+0.3伏）

D−輸入電流±1 mA

所有其他引腳的輸入電流（注2） 5毫安

組件輸入電流（注2）20 mA

SMBData，T_CRIT_A，INT輸出

吸收電流10毫安

儲(chǔ)存溫度−65˚C至+150˚C

焊接信息，鉛溫度

QSOP包（注3）

氣相（60秒）215˚C

紅外線（15秒）220˚C

靜電放電敏感性（注4）

人體模型2000V

機(jī)器型號(hào)250V

運(yùn)行額定值（注1、5）

規(guī)定溫度范圍TMIN至TMAX

LM82−40˚C至+125˚C

電源電壓范圍（VCC）+3.0V至+3.6V

溫度-數(shù)字轉(zhuǎn)換器特性

除非另有說明，否則這些規(guī)范適用于VCC=+3.0 Vdc至3.6 Vdc。粗體限制適用于TA=TJ=TMINTMAX；所有其他限值TA=TJ=+25˚C，除非另有說明。

邏輯電氣特性

數(shù)字直流特性

除非另有說明，否則這些規(guī)范適用于VCC=+3.0至3.6 Vdc。粗體限制適用于TA=TJ=TMINTMAX；所有其他限值TA=TJ=+25˚C，除非另有說明。

邏輯電氣特性（續(xù)）

SMBus數(shù)字交換特性

除非另有說明，否則這些規(guī)范適用于VCC=+3.0 Vdc到+3.6 Vdc，CL（負(fù)載電容）在輸出線上=80愛國(guó)陣線。黑體限值適用于TA=TJ=TMIN至TMAX；所有其他限值TA=TJ=+25˚C，除非另有說明。LM82的開關(guān)特性完全滿足或超過SMBus或I2的公開規(guī)范C總線。以下參數(shù)是與LM82相關(guān)的SMBCLK和SMBData信號(hào)之間的時(shí)序關(guān)系。他們不是十二C或SMBus總線規(guī)范。

邏輯電氣特性（續(xù)）

注1：絕對(duì)最大額定值表示設(shè)備可能發(fā)生損壞的極限值。操作時(shí)，直流和交流電氣規(guī)格不適用裝置超出其額定工作條件。

注2：當(dāng)任何引腳的輸入電壓（VI）超過電源（VI<GND或VI>VCC）時(shí)，該引腳的電流應(yīng)限制在5 mA。20毫安最大封裝輸入電流額定值將可以安全超過輸入電流為5毫安的電源的引腳數(shù)限制為4個(gè)。LM82引腳的寄生元件和/或ESD保護(hù)電路如下圖所示。齊納D3的標(biāo)稱擊穿電壓為6.5v。應(yīng)注意不要使引腳D+、D-、ADD1和ADD0上的寄生二極管D1正向偏置。超過50毫伏可能會(huì)損壞溫度或電壓測(cè)量。

注3：有關(guān)焊接表面貼裝設(shè)備的其他方法，請(qǐng)參見AN-450“表面安裝方法及其對(duì)產(chǎn)品可靠性的影響”或當(dāng)前國(guó)家半導(dǎo)體線性數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)題為“表面安裝”的章節(jié)。

注4：人體模型，100 pF通過1.5 kΩ電阻器放電。機(jī)器型號(hào)，200 pF直接放電到每個(gè)引腳。

注5:QSOP-16封裝的熱阻為130˚C/W，當(dāng)連接到帶有1盎司箔的FR-4印刷電路板時(shí)，與環(huán)境連接，如圖3所示。

邏輯電氣特性（續(xù)）

注6：典型值為TA=25°C，代表最有可能的參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

注7：限值保證為國(guó)家AOQL（平均出廠質(zhì)量水平）。

注8：當(dāng)VCC從標(biāo)稱值3.3V變?yōu)?.6V時(shí)，溫度誤差變化小于±1.0˚C。

注9：靜態(tài)電流將不會(huì)大幅增加與活躍的SMBU。

注10：本規(guī)范僅用于說明溫度數(shù)據(jù)的更新頻率。LM82可以在任何時(shí)候讀取，而不考慮轉(zhuǎn)換狀態(tài)（并將生成最后的轉(zhuǎn)換結(jié)果）。

注11：通電時(shí)設(shè)置的默認(rèn)值。

注12：將SMBData和/或SMBCLK線保持在低位的時(shí)間間隔大于tTIMEOUT將導(dǎo)致LM82將SMBData和SMBCLK重置為空閑

SMBus通信的狀態(tài)（SMBCLK和SMBData設(shè)置為高）。

1.0功能描述

LM82溫度傳感器采用帶隙型使用本地或遠(yuǎn)程二極管和8位ADC（增量-西格瑪模數(shù)轉(zhuǎn)換器）。這個(gè)LM82與串行SMBus和I2兼容C雙線接口。數(shù)字比較器將本地（LT）和遠(yuǎn)程（RT）溫度讀數(shù)與用戶可編程設(shè)定點(diǎn)（LHS、RHS和TCS）進(jìn)行比較。中INT輸出的激活表示比較大于高寄存器。T\u CRIT設(shè)定點(diǎn)（TCS）與所有溫度讀數(shù)。激活T_CRIT_A輸出表示任何或所有溫度讀數(shù)均超過Tu CRIT設(shè)定點(diǎn)。

1.1轉(zhuǎn)換順序

LM82可以轉(zhuǎn)換自身溫度和遙控器二極管溫度按以下順序排列：1.局部溫度（LT）2.遠(yuǎn)程二極管（RT）這個(gè)循環(huán)序列大約需要480毫秒完成。

1.2 INT輸出和T帴U上限

每個(gè)溫度讀數(shù)（LT和RT）與高設(shè)定點(diǎn)寄存器（LHS、RHS）。在溫度結(jié)束時(shí)，通過數(shù)字比較確定該讀數(shù)已超過設(shè)定值上限。如果溫度讀數(shù)大于設(shè)定值上限，則在狀態(tài)寄存器中的一個(gè)，用來指示哪個(gè)溫度讀取，并激活I(lǐng)NT輸出。本地和遠(yuǎn)程溫度二極管由A/D轉(zhuǎn)換器按順序采樣。INT輸出和狀態(tài)寄存器標(biāo)志在轉(zhuǎn)換完成時(shí)更新，它發(fā)生在溫度二極管后大約60毫秒是抽樣的。當(dāng)狀態(tài)寄存器，包含設(shè)定位，則讀取溫度讀數(shù)

1.0功能描述（續(xù)）

小于或等于相應(yīng)的高設(shè)定值，如如圖4所示。圖5顯示了一個(gè)簡(jiǎn)化的邏輯圖用于INT輸出和相關(guān)電路如圖所示，轉(zhuǎn)換值低于T逯u CRIT設(shè)定點(diǎn)6圖7顯示了T_CRIT_A和相關(guān)電路

可以通過設(shè)置INT mask位來禁用INT輸出，配置寄存器的D7。INT可以編程為在INT反轉(zhuǎn)位D1的狀態(tài)下激活高電平或低電平，在配置寄存器中。“0”會(huì)將INT編程為低激活。INT是開路漏極輸出。

1.3 T_CRIT_A輸出和T_CRIT洕當(dāng)任何溫度讀數(shù)為大于臨界溫度設(shè)定點(diǎn)寄存器（TCRIT）中預(yù)設(shè)的限值，如圖6所示。狀態(tài)可以讀取寄存器以確定是哪個(gè)事件導(dǎo)致警報(bào)。狀態(tài)寄存器中的一個(gè)位被設(shè)置為高位以指示哪一個(gè)溫度讀數(shù)超過了T\U CRIT設(shè)定值溫度和引起的警報(bào)，見第2.3節(jié)。本地和遠(yuǎn)程溫度二極管由A/D轉(zhuǎn)換器按順序采樣。輸出和狀態(tài)寄存器標(biāo)志在完成轉(zhuǎn)換后更新。重置T_CRIT_A和狀態(tài)寄存器標(biāo)志只有在讀取狀態(tài)寄存器后，如果溫度如圖所示，轉(zhuǎn)換值低于T逯u CRIT設(shè)定點(diǎn)6圖7顯示了T_CRIT_A和相關(guān)電路。

位于配置寄存器中的掩碼位是各溫度讀數(shù)見第2.5節(jié)。當(dāng)面具咬了設(shè)置時(shí)，其相應(yīng)的狀態(tài)標(biāo)志將不會(huì)傳播到輸出，但仍將在狀態(tài)寄存器中設(shè)置。配置寄存器位D5和D3，標(biāo)記為“遠(yuǎn)程T_CRITu mask”必須設(shè)置為高，然后T_CRITu TTTTTu CRITA output才起作用是的。設(shè)置所有四個(gè)掩碼位或編程TΒu CRITΒu CRITΒ127˚C將禁用TΒu CRITΒA輸出。

1.4開機(jī)復(fù)位默認(rèn)狀態(tài)

LM82始終通電至以下已知默認(rèn)狀態(tài)：

1.命令寄存器設(shè)置為00h

2.當(dāng)?shù)販囟仍O(shè)置為0˚C

3.遠(yuǎn)程溫度設(shè)置為0˚C，直到LM82感應(yīng)到D+和D-輸入引腳之間存在二極管。

4.狀態(tài)寄存器設(shè)置為00h。

5.配置寄存器設(shè)置為00h；INT enabled and all啟用T_CRIT設(shè)定值以激活T_CRIT_A。

1.0功能描述（續(xù)）

6.本地和遠(yuǎn)程TΒu CRIT設(shè)為127˚C

1.5 SMBus接口

LM82作為SMBU上的從機(jī)操作，因此SMBCLK線是一個(gè)輸入（LM82不生成時(shí)鐘）而且SMBData線是雙向的。據(jù)SMBus說規(guī)格，LM82有一個(gè)7位從機(jī)地址。位4（A3）從機(jī)地址在LM82內(nèi)部硬連接到1。其余地址位由狀態(tài)控制選擇地址的引腳ADD1和ADD0，并由設(shè)置將這些引腳連接到接地（0），連接到VCC高（1）或左浮動(dòng)（三電平）。因此，完整的從機(jī)地址為：

地址鎖存期間選擇LM82引腳的狀態(tài)

SMBus上的第一個(gè)讀或?qū)懖僮鳌８牡臓顟B(tài)在對(duì)SMBU上的任何設(shè)備進(jìn)行第一次讀取或?qū)懭牒螅刂愤x擇管腳不會(huì)更改LM82。

1.6溫度數(shù)據(jù)格式

可從本地和遠(yuǎn)程讀取溫度數(shù)據(jù)溫度、T峎U CRIT和HIGH setpoint寄存器；以及寫入T峎10 CRIT和HIGH setpoint寄存器。溫度數(shù)據(jù)由一個(gè)8位2的補(bǔ)碼字節(jié)表示LSB（最低有效位）等于1˚C：

1.7開漏輸出

SMBData、INT和T_CRIT_A輸出為漏極開路輸出，沒有內(nèi)部上拉。“高級(jí)”遺囑在從外部電源（通常是上拉電阻器）提供上拉電流之前，不得在這些引腳上觀察到。電阻值的選擇取決于許多系統(tǒng)因素但是，一般來說，上拉電阻應(yīng)該和可能。這將使任何內(nèi)部溫度讀數(shù)最小化LM82內(nèi)部加熱引起的錯(cuò)誤。拉起的最大電阻，基于LM82規(guī)格提供2.1V高電平的電平輸出電流為30kΩ。在嘈雜的系統(tǒng)中應(yīng)小心謹(jǐn)慎，因?yàn)檩^高的踏板上拉將更有可能將噪音耦合到信號(hào)線。

1.8二極管故障檢測(cè)

在每次外部轉(zhuǎn)換之前，LM82都要經(jīng)過外部二極管故障檢測(cè)序列。如果D+輸入否則，讀數(shù)將對(duì)浮動(dòng)溫度C短路be+127˚C，狀態(tài)寄存器中的開放位為設(shè)置。如果TΒu CRIT設(shè)定點(diǎn)設(shè)為低于+127˚C，則將設(shè)置狀態(tài)寄存器中的D+輸入RTCRIT位如果啟用，它將激活T_CRIT_A輸出。如果D+對(duì)GND或D-短路，其溫度讀數(shù)為0˚C它在狀態(tài)寄存器中的開放位將不會(huì)被設(shè)置。

LM82中有13個(gè)數(shù)據(jù)寄存器，由命令寄存器。通電時(shí)，命令寄存器設(shè)置為“00”，讀取本地溫度寄存器的位置。命令寄存器鎖定它所在的最后一個(gè)位置設(shè)置為。讀取狀態(tài)寄存器將重置T_CRIT_A和INT，只要溫度比較沒有信號(hào)故障（見第1.2和1.3節(jié)）。所有其他寄存器預(yù)先定義為只讀或只讀。讀寫寄存器同一個(gè)函數(shù)包含鏡像數(shù)據(jù)。對(duì)LM82的寫入將始終包括地址字節(jié)和命令字節(jié)。對(duì)任何寄存器的寫入都需要一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)。可以通過兩種方式讀取LM82：

1.如果鎖定在命令寄存器中的位置是正確的（大多數(shù)情況下，命令寄存器將指向一個(gè)讀取溫度寄存器，因?yàn)檫@將是最頻繁讀取的數(shù)據(jù)從LM82），則讀取可以簡(jiǎn)單地由地址字節(jié)，后跟檢索數(shù)據(jù)字節(jié)。

2.如果需要設(shè)置命令寄存器，則一個(gè)ad地址字節(jié)、命令字節(jié)、repeat start和另一個(gè)ad地址字節(jié)將完成讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)首先具有最高有效位。在結(jié)束時(shí)讀取時(shí)，LM82可以接受來自主機(jī)的確認(rèn)或無應(yīng)答（通常沒有應(yīng)答作為從設(shè)備的信號(hào)，主設(shè)備已讀取其最后一個(gè)字節(jié)）。

1.10串行接口錯(cuò)誤恢復(fù)

LM82 SMBus線路將重置為SMBus空閑狀態(tài)如果SMBData或SMBCLK線保持低位40毫秒或更多（tTIMEOUT）。LM82可以或不可以重置串行接口邏輯，如果SMBData或SMBCLK之一線路在25毫秒到40毫秒之間保持低位。在LM82傳輸?shù)臀粫r(shí)，如果主機(jī)可能被重新設(shè)置，則超時(shí)將導(dǎo)致干凈的恢復(fù)，從而防止可能發(fā)生總線鎖定。當(dāng)LM82看到啟動(dòng)條件時(shí)，其串行接口將重置為通信的開始，因此LM82接下來將看到一個(gè)地址字節(jié)。當(dāng)LM82被重置時(shí)，此模擬實(shí)現(xiàn)恢復(fù)發(fā)射高信號(hào)。

2.3狀態(tài)寄存器

（只讀地址02h）：

加電默認(rèn)為所有位“0”（零）。

D0:LCRIT：當(dāng)設(shè)置為1時(shí)，表示局部臨界溫度警報(bào)。

D1:RCRIT：當(dāng)設(shè)置為1時(shí)，表示遠(yuǎn)程二極管臨界溫度警報(bào)。

D2:D2OPEN：當(dāng)設(shè)置為1時(shí)，表示遠(yuǎn)程二極管斷開。

D4:D2RHIGH：設(shè)置為1時(shí)表示遠(yuǎn)程二極管高溫警報(bào)。

D6:LHIGH：設(shè)置為1時(shí)表示本地高溫警報(bào)。

D7、D5和D3：這些位總是設(shè)置為0，并保留以供將來使用。

2.4制造商ID和模具修訂（步進(jìn)）寄存器（讀取地址FEh和FFh）制造商ID（FEh）的默認(rèn)值01h。

2.5配置寄存器

（讀取地址03h/寫入地址09h）：

加電默認(rèn)為所有位“0”（零）。

當(dāng)掩碼設(shè)置為1時(shí)，掩碼為1:INT。

D5:T逯u CRIT mask，該位必須設(shè)置為1，然后T_CRIT逯u CRIT設(shè)定點(diǎn)降低到127以下，才能使T逯u CRIT逯a引腳正常工作。

D4：遠(yuǎn)程溫度的T_CRIT掩碼，當(dāng)設(shè)置為1時(shí)，超過T_CRIT設(shè)定值的遠(yuǎn)程溫度讀數(shù)將不會(huì)激活T逯u CRIT逯A引腳。

D3:T逯u CRIT掩碼，該位必須設(shè)置為1，然后T_CRIT逯u CRIT設(shè)定點(diǎn)降低到127以下，才能使T逯u CRIT逯a引腳正常工作。

D2:T\u CRIT mask for Local reading，當(dāng)設(shè)為1時(shí)，超過T_CRIT設(shè)定點(diǎn)的局部溫度讀數(shù)將不會(huì)激活你的致命一擊。

D1：INT激活狀態(tài)反轉(zhuǎn)。當(dāng)INT Inversion設(shè)置為1時(shí)，INT輸出的活動(dòng)狀態(tài)將為邏輯高。一個(gè)低的愿望然后選擇邏輯低電平的活動(dòng)狀態(tài)。

D6和D0：這些位始終設(shè)置為0，并保留以供將來使用。寫入1將在讀取時(shí)返回0。

4.0應(yīng)用提示

LM82可以很容易地以與其他方式相同的方式應(yīng)用集成電路溫度傳感器及其遙控二極管傳感能力也允許它以新的方式使用。它可以焊接到印刷電路板上，因?yàn)樽罴褵釋?dǎo)率路徑是在模具和引腳，其溫度將有效地是印刷電路板的土地和痕跡焊接到LM82的引腳。這個(gè)假設(shè)環(huán)境空氣溫度與印刷電路板的表面溫度相同；如果空氣溫度遠(yuǎn)高于或低于表面溫度，則LM82的實(shí)際溫度模具將處于表面溫度和空氣溫度之間的中間溫度。同樣，主要的熱傳導(dǎo)路徑是通過引線的，因此電路板溫度對(duì)模具溫度的影響更大比氣溫強(qiáng)。

要測(cè)量LM82模具外部的溫度，請(qǐng)使用遠(yuǎn)程二極管。這種二極管可以安裝在tar  get IC的芯片上，可以獨(dú)立于LM82的溫度來測(cè)量IC的溫度。LM82已經(jīng)過優(yōu)化，可以測(cè)量奔騰II的遙控二極管處理器如圖9所示。分立二極管也可以用來感應(yīng)外部物體或周圍環(huán)境的溫度空氣。請(qǐng)記住，分立二極管的溫度會(huì)受到其引線溫度的影響，并且通常由其主導(dǎo)

大多數(shù)硅二極管不適合這種應(yīng)用。建議2N3904晶體管底座發(fā)射極結(jié)與集電極連接在一起使用。連接2N3904的二極管與奔騰微處理器上用于溫度測(cè)量的結(jié)近似。因此，LM82可以感應(yīng)到溫度二極管有效。

3.1二極管非理想性的精度影響

因素

現(xiàn)代遠(yuǎn)程溫度傳感器所使用的技術(shù)測(cè)量?jī)煞N不同操作條件下VBE的變化二極管的點(diǎn)。對(duì)于N:1的偏壓電流比，其差值如下：

η是二極管過程的非理想因素制造日期：

q是電子電荷，

k是玻爾茲曼常數(shù)，

N是流動(dòng)比率，

T是絕對(duì)溫度，單位為˚K。

然后，溫度傳感器測(cè)量∆VBE并轉(zhuǎn)換數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。在這個(gè)方程中，k和q是定義良好的通用常數(shù)，N是由tem溫度傳感器控制的參數(shù)。唯一的另一個(gè)參數(shù)是η，它取決于用于測(cè)量的二極管。因?yàn)?#8710;VBE與η和T成正比，η的變化與溫度的變化無法區(qū)分。因?yàn)榉抢硐胍蜃硬皇軠囟瓤刂苽鞲衅鳎鼤?huì)直接增加傳感器的誤差。為奔騰II英特爾指定了部件η的±1%變化分開。例如，假設(shè)溫度傳感器室溫為25℃時(shí)，精度規(guī)格為±3˚C°C，用于制造二極管的工藝有非理想偏差±1%。結(jié)果的準(zhǔn)確性室溫下的溫度傳感器應(yīng)為：TACC=±3˚C+（298˚K的±1%）=±6˚C。溫度測(cè)量中的附加誤差如果每個(gè)溫度傳感器用與之配對(duì)的遙控二極管進(jìn)行校準(zhǔn)。

3.2最小化噪聲的PCB布局

在嘈雜的環(huán)境中，例如處理器主板，布局考慮非常關(guān)鍵。噪聲感應(yīng)開啟在遠(yuǎn)程溫度二極管傳感器和LM82之間運(yùn)行的軌跡可能會(huì)導(dǎo)致溫度轉(zhuǎn)換錯(cuò)誤。應(yīng)遵循以下準(zhǔn)則：

1.將0.1μF電源旁路電容器放近盡可能使用VCCpin和推薦的2.2 nF電容器盡可能靠近D+和D-引腳。確保2.2nF電容器的跡線匹配。

2.推薦的2.2nF二極管旁路電容器實(shí)際范圍為200pF至3.3nF。平均溫度精度不會(huì)降低。增大電容會(huì)降低轉(zhuǎn)角頻率，其中差分噪聲誤差影響溫度讀數(shù)從而產(chǎn)生更穩(wěn)定的讀數(shù)。相反，降低電容會(huì)增加相對(duì)頻率，其中差分噪聲誤差會(huì)影響溫度讀數(shù)因此產(chǎn)生的讀數(shù)不太穩(wěn)定。

3.理想情況下，LM82應(yīng)放置在處理器二極管引腳的軌跡也一樣平直，盡可能短而相同。1Ω的跟蹤電阻可能導(dǎo)致高達(dá)1˚C的誤差。

4.二極管軌跡應(yīng)被接地保護(hù)環(huán)包圍可能的話，在上面和下面。這個(gè)GND防護(hù)罩不應(yīng)位于D+和D-線之間。在如果噪聲確實(shí)耦合到二極管線路上如果它是耦合共模，則是理想的。那是同樣的D+和D-線（見圖10）

5.避免在靠近電源的地方布線二極管開關(guān)電源或?yàn)V波電感。

4.0應(yīng)用提示（續(xù)）

6.避免運(yùn)行接近或平行于高的二極管軌跡高速數(shù)字和公交線路。應(yīng)保留二極管痕跡至少2厘米。除了高速數(shù)字跟蹤。

7.如果需要跨越高速數(shù)字記錄道，則二極管軌跡和高速數(shù)字軌跡應(yīng)該以90度角交叉。

8.連接LM82的GND引腳的理想位置是盡可能靠近相關(guān)的處理器GND用感應(yīng)二極管。

9.應(yīng)保持D+和GND之間的泄漏電流至少。一毫安的泄漏會(huì)導(dǎo)致二極管溫度讀數(shù)誤差高達(dá)1˚C。保持印刷電路板盡可能干凈，將使泄漏電流降到最低。

噪聲耦合到大于300mVp-p的數(shù)字線路中（典型滯后），超調(diào)大于500mV以上VCC，以及低于GND 500毫伏的欠沖，可能會(huì)阻止SMBus與LM82的成功通信。SM 總線無應(yīng)答是最常見的癥狀，導(dǎo)致公共汽車上不必要的交通。盡管如此，SMBus的最大通信頻率相當(dāng)?shù)停?00kHzmax）仍然需要注意確保在總線上有多個(gè)部件且較長(zhǎng)的系統(tǒng)內(nèi)有正確的終端印刷電路板痕跡。具有3db的R/C低通濾波器轉(zhuǎn)角頻率約為40MHzLM82的SMBCLK輸入。可以增加附加阻力與SMBData和SMBCLK行串聯(lián)以進(jìn)一步幫助過濾噪音和鈴聲。減少噪音耦合保持?jǐn)?shù)字跟蹤遠(yuǎn)離開關(guān)電源區(qū)域以及確保包含高速數(shù)據(jù)的數(shù)字線路通信以直角交叉到SMBData和SMBCLK線。

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