其中RSENSE是傳感元件的電阻值（在TMOS=25oC時(shí)），B是可從中獲得的常數(shù)圖13，kT是傳感元件和控制器之間的溫度耦合系數(shù)（it結(jié)果KT=（TJ-25）/（TMOS-25）），α為敏感元件的溫度系數(shù)。從RTC開(kāi)始取決于常數(shù)B，反過(guò)來(lái)又取決于RTC，需要一個(gè)迭代過(guò)程來(lái)正確地設(shè)計(jì)RTC值。由于熱傳感器的性質(zhì)，需要負(fù)偏移來(lái)補(bǔ)償ITS在參考溫度下引入的主動(dòng)偏移，并且可以通過(guò)連接偏移管腳和SGND之間的電阻設(shè)置如下：

動(dòng)態(tài)視頻轉(zhuǎn)換

該設(shè)備能夠管理動(dòng)態(tài)視頻代碼更改，允許在設(shè)備正常運(yùn)行。OVP和UVP信號(hào)在每次VID轉(zhuǎn)換期間被屏蔽，并在轉(zhuǎn)換后重新激活完成。當(dāng)動(dòng)態(tài)改變調(diào)節(jié)電壓（D-VID）時(shí)，系統(tǒng)需要對(duì)相應(yīng)地輸出電容器。這意味著需要提供額外的ID-VID，尤其是當(dāng)增加輸出穩(wěn)壓時(shí)，必須在設(shè)置過(guò)電流時(shí)加以考慮門(mén)檻。當(dāng)前結(jié)果：

其中，dVOUT是選定的DAC LSB（VRD10.x為12.5mV，Hammer DAC為25mV），TVID是每個(gè)LSB轉(zhuǎn)換之間的時(shí)間間隔。克服動(dòng)態(tài)視頻期間的OC閾值會(huì)導(dǎo)致設(shè)備進(jìn)入恒流限制，從而降低輸出電壓dV/dt，也會(huì)導(dǎo)致D-VID測(cè)試失敗。設(shè)備修改參考的方式取決于視頻選擇狀態(tài)，然后取決于種類(lèi)所選DAC的。

VID_SEL=打開(kāi)（見(jiàn)圖14）。

選擇VRD10.x DAC，設(shè)備將檢查時(shí)鐘上升沿上的VID代碼修改這是每相的開(kāi)關(guān)頻率的三倍，并等待以下方面的確認(rèn)下降沿。一旦新代碼穩(wěn)定，在下一個(gè)上升沿上，引用就開(kāi)始上升或下降以L(fǎng)SB增量（12.5mV）每時(shí)鐘周期（仍然是3·FSW）直到達(dá)到新的VID代碼。在轉(zhuǎn)換，VID代碼更改被忽略；在轉(zhuǎn)換完成后，設(shè)備在下一個(gè)可用上升沿上重新開(kāi)始監(jiān)控VID。

警告：

如果新的VID代碼比之前的代碼高出1 LSB以上，設(shè)備將執(zhí)行轉(zhuǎn)換以等于3·FSW的頻率逐步參考，直到新代碼到達(dá)：因此建議仔細(xì)控制VID變化率，以便仔細(xì)控制輸出的斜率電壓變化。

VID_SEL=接地（見(jiàn)圖15）。

選擇HAMMER DAC，設(shè)備檢查時(shí)鐘上升沿的VID代碼修改這是每個(gè)相位的相同頻率，等待下一個(gè)下降沿的確認(rèn)。一次新的代碼是穩(wěn)定的，在下一個(gè)上升沿上，引用開(kāi)始以L(fǎng)SB增量遞增或遞減（25mV）每個(gè)時(shí)鐘周期，直到達(dá)到新的VID代碼。在轉(zhuǎn)換期間，VID代碼的更改是忽略；設(shè)備在下一上升沿完成轉(zhuǎn)換后重新開(kāi)始監(jiān)視VID。如果新的VID代碼比前一個(gè)代碼高出1位以上，設(shè)備將執(zhí)行轉(zhuǎn)換步驟 ping每個(gè)切換周期的參考，直到新代碼到達(dá)

啟用和禁用

該設(shè)備有三種不同的電源：VCC引腳提供內(nèi)部控制邏輯，VCCDRx供電向車(chē)手和車(chē)手提供高側(cè)車(chē)手。如果針腳VCC和VCCDRx處的電壓如果不超過(guò)電氣特性中規(guī)定的開(kāi)啟閾值，則裝置關(guān)閉：所有驅(qū)動(dòng)器保持mosfet關(guān)閉，以顯示對(duì)負(fù)載的高阻抗。一旦設(shè)備正確供電，可確保設(shè)備正常運(yùn)行，但可通過(guò)不同方式控制：

外銷(xiāo)

它可用于復(fù)雜系統(tǒng)的功率排序控制。設(shè)置引腳自由，該設(shè)備實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)編程電壓。將引腳短路到SGND，復(fù)位設(shè)備（在這種情況下，SS_端對(duì)SGND短路，并且保護(hù)被禁用，除非預(yù)OVP）來(lái)自鎖存狀態(tài)，同時(shí)也禁用保持所有mosfet關(guān)閉以顯示高阻抗的設(shè)備去裝載貨物。然后它可以循環(huán)以從任何鎖存狀態(tài)（如OVP和UVP）中恢復(fù)。

NOCPU（維特[0；5]=11111倍）

在這種情況下（VID5狀態(tài)無(wú)關(guān)），設(shè)備被禁用并保持所有mosfet關(guān)閉以顯示高阻抗負(fù)載。然而，它等待任何VID代碼轉(zhuǎn)換來(lái)啟動(dòng)實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)。在此情況下，SS U端引腳對(duì)SGND短路

軟啟動(dòng)

在軟啟動(dòng)過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)斜坡，將回路參考電壓從0V增加到編程的最終值在2048個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)通過(guò)VID，如中所示圖16。一旦軟啟動(dòng)開(kāi)始，參考值增加：上下MOS開(kāi)始開(kāi)關(guān)隨著閉環(huán)調(diào)節(jié)，輸出電壓開(kāi)始增加。在數(shù)字軟啟動(dòng)結(jié)束時(shí)然后SS端信號(hào)被高電平驅(qū)動(dòng)。當(dāng)參考電壓達(dá)到0.6V時(shí)，欠電壓比較器啟用，而過(guò)電壓在軟啟動(dòng)期間，比較器始終處于啟用狀態(tài)，閾值等于編程參考值的115%或ROVP編程的閾值（見(jiàn)相關(guān)章節(jié)）。

輸出電壓監(jiān)視器和保護(hù)

該裝置通過(guò)引腳VSEN監(jiān)控調(diào)節(jié)電壓，以管理OVP/UVP狀態(tài)。

紫外線(xiàn)防護(hù)

如果VSEN監(jiān)測(cè)的輸出電壓下降到基準(zhǔn)電壓的60%以下超過(guò)一個(gè)時(shí)鐘周期，設(shè)備關(guān)閉所有MOSFET，OSC/故障驅(qū)動(dòng)高電平（5V）。條件是鎖定；要恢復(fù)，需要循環(huán)Vcc或OUTEN引腳。

可編程O(píng)VP保護(hù)

一旦VCC超過(guò)開(kāi)啟閾值并且設(shè)備被啟用（OUTEN=1），設(shè)備將提供可編程過(guò)壓保護(hù)；當(dāng)感應(yīng)到的電壓超過(guò)編程的閾值時(shí)，控制器永久性地打開(kāi)所有低側(cè)MOSFET，并關(guān)閉所有高側(cè)MOSFET為了保護(hù)負(fù)載。OSC/故障引腳被驅(qū)動(dòng)為高電平（5V），重啟操作需要電源或外部引腳cy  cling。OVP閾值是通過(guò)OVP引腳編程的：保持引腳浮動(dòng)，在內(nèi)部被拉起閾值設(shè)置為編程輸出電壓的115%（典型值）。將OVP引腳連接到SGND通過(guò)電阻器ROVP，OVP閾值變成固定電壓，如下所示：OVPTH=1.455·ROVP·12.5μ

預(yù)保護(hù)（OVP）

當(dāng)VCC引腳低于導(dǎo)通閾值時(shí)，一個(gè)初步的OVP保護(hù)開(kāi)啟低側(cè)MOSFET只要FBR引腳電壓大于1.8V。當(dāng)VCC保持在器件開(kāi)啟閾值和預(yù)vp開(kāi)啟閾值也取決于OUTEN管腳狀態(tài)如圖17所示-左。當(dāng)設(shè)備關(guān)閉（然后避免圖17）中未受保護(hù)的紅色區(qū)域包括通過(guò)5VSB總線(xiàn)為控制器供電如圖17所示-右。過(guò)電壓和欠電壓在軟啟動(dòng)過(guò)程中也處于激活狀態(tài)（參見(jiàn)相關(guān)章節(jié)）。

過(guò)電流保護(hù)

根據(jù)所選的電流讀取方法，設(shè)備限制感應(yīng)器的峰值或底部電流進(jìn)入恒定電流直到設(shè)置UVP如下所述。必須通過(guò)設(shè)計(jì)Rg電阻器，將過(guò)電流閾值編程為安全值確保設(shè)備在設(shè)備正常運(yùn)行期間不會(huì)進(jìn)入OCP。此值必須還應(yīng)考慮動(dòng)態(tài)VID轉(zhuǎn)換過(guò)程中所需的額外電流器件讀取MOSFET RdsON或電感器DCR，過(guò)程擴(kuò)展和溫度變化這些傳感元件。此外，由于內(nèi)部閾值的擴(kuò)展，Rg設(shè)計(jì)必須考慮其最小值IOCTH（最小值）如下：

其中IOCPx是當(dāng)設(shè)備進(jìn)入準(zhǔn)恒流（LS-Mosfet感測(cè)）或恒流（電感器感測(cè)）時(shí)由電流讀取電路測(cè)量的電流，IOCPx必須從開(kāi)始計(jì)算從相應(yīng)的輸出電流值IOUT（OCP）如下（ID-VID也必須考慮實(shí)施D-VID）：

電流（IOUT）輸入的電流值（IOUT）為恒定值，其中輸出電流為恒定值Mosfet感測(cè)）或恒流（電感器感測(cè)），∆IPP是每相的電感器電流紋波，以及ID-VID是D-VID所需的附加電流（如適用）。特別是，由于設(shè)備限制電感器電流的峰值或谷值（根據(jù)CS_SEL狀態(tài)），紋波實(shí)體，如果不是可忽略不計(jì)，對(duì)實(shí)際OC閾值的影響必須考慮。

LS MOSFET檢測(cè)（CS_SEL=開(kāi)路）過(guò)電流

當(dāng)電流信息IINFOx Over 達(dá)到IOCTH（典型值為35μA）的固定閾值時(shí)，設(shè)備檢測(cè)到每個(gè)相位的過(guò)流情況。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，器件會(huì)使相對(duì)的LS-mos  fet保持打開(kāi)狀態(tài)，跳過(guò)時(shí)鐘周期，直到閾值向后交叉并且IINFOx結(jié)果低于低閾值。這意味著該設(shè)備限制了每個(gè)電感器電流紋波的底部。退出OC條件后，LS mosfet關(guān)閉，HS在占空比驅(qū)動(dòng)下打開(kāi)通過(guò)PWM比較器。保持LS開(kāi)啟，跳過(guò)時(shí)鐘周期，導(dǎo)致在退出OC條件之后的接通時(shí)間增加。考慮到具有這種電流感測(cè)的裝置，與通過(guò)以下關(guān)系式給出的輸送電流具有最大的接通時(shí)間依賴(lài)性：

式中，IOUT為輸出電流（IOUT=∑·Ipasex），TSW為開(kāi)關(guān)周期（TSW=1/FSW）。這種線(xiàn)性關(guān)系在零負(fù)載時(shí)為0.80·TSW，在最大電流為0.40·TSW時(shí)為典型值并導(dǎo)致裝置出現(xiàn)兩種不同的過(guò)電流行為：

噸限制輸出電壓。

當(dāng)每相電流達(dá)到IOCPx之前達(dá)到最大接通時(shí)間時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況（信息<IOCTH）。圖18顯示了考慮到前一關(guān)系式施加的TON限制，器件能夠調(diào)節(jié)的最大輸出電壓。如果期望的輸出特性穿過(guò)最大輸出電壓有限，輸出電壓經(jīng)過(guò)交叉后會(huì)開(kāi)始下降。在這種情況下，設(shè)備不執(zhí)行恒流限制，而只限制最大接通時(shí)間在之前的關(guān)系之后。在檢測(cè)到UVP或IDROOP=105μA之前，輸出電壓開(kāi)始下降，直至產(chǎn)生的特征（如圖18所示）。

恒流運(yùn)行

當(dāng)每個(gè)相位的谷電流達(dá)到IOCPx后達(dá)到接通時(shí)間限制時(shí)，就會(huì)發(fā)生這種情況（信息>目錄）。器件進(jìn)入準(zhǔn)恒流運(yùn)行：低側(cè)mosfet保持在通電狀態(tài)讀取變?yōu)榈陀贗OCPx（IINFOx<IOCTH）跳過(guò)時(shí)鐘周期。高側(cè)mosfet可以在LS關(guān)閉后，控制回路施加一噸的力，裝置正常工作直到檢測(cè)到另一個(gè)OCP事件。這意味著在準(zhǔn)恒流運(yùn)行時(shí)，輸送的平均電流可以略有增加因?yàn)殡娏骷y波增加。事實(shí)上，接通時(shí)間的增加是由于關(guān)閉時(shí)間的增加電流必須達(dá)到IOCPx底部。最壞的情況是當(dāng)接通時(shí)間達(dá)到最大值時(shí)價(jià)值觀(guān)。當(dāng)這種情況發(fā)生時(shí)，器件以恒定電流工作，輸出電壓隨負(fù)載而降低增加。超過(guò)UVP閾值會(huì)導(dǎo)致設(shè)備鎖定OSC引腳的驅(qū)動(dòng)（圖19顯示此工作狀態(tài)）。可以觀(guān)察到峰值電流（Ipeak）大于IOCPx，但可以確定如下：

電源連接相關(guān)。

圖24顯示了一些小信號(hào)組件的位置。

柵極和相位跡線(xiàn)的尺寸必須根據(jù)提供給電源的驅(qū)動(dòng)器均方根電流確定mosfet。設(shè)備的健壯性允許使用遠(yuǎn)離控制器不失性能。無(wú)論如何，如果可能，建議盡量縮短距離控制器和電源部分之間。此外，由于PHASEx引腳是高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的返回路徑，因此可以連接該引腳直接到高壓側(cè)的mosfet源引腳有一個(gè)適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)這個(gè)mosfet。對(duì)于LS mosfets，返回路徑是PGNDx引腳：它可以直接連接到電源接地層。

自舉電容器必須盡可能靠近BOOTx和PHASEx引腳，以最小化創(chuàng)建的循環(huán)。

VCC和SGND的去耦電容器應(yīng)盡可能靠近相關(guān)引腳。

VCCDRx和PGNDx的去耦電容器應(yīng)盡可能靠近這些引腳。這個(gè)電容器維持低側(cè)mosfet驅(qū)動(dòng)器所要求的峰值電流。

敏感元件必須參考SGND（如有）：頻率設(shè)置電阻ROSC，偏移電阻器ROFFSET、TC電阻器RTC和OVP電阻器ROVP。

星形接地：將SGND與PGND平面連接在一個(gè)點(diǎn)上，以避免由于高電流傳遞會(huì)導(dǎo)致設(shè)備行為錯(cuò)誤。

建議在HS mosfet漏極附近放置一個(gè)額外的陶瓷電容器。這有助于降低心衰噪音。

VSEN有助于降低注入管腳的噪聲。

OUTEN引腳濾波vs.SGND有助于減少耦合噪聲引起的誤跳閘：布線(xiàn)時(shí)要小心為了減少耦合噪聲，驅(qū)動(dòng)網(wǎng)針。

相位引腳尖峰。由于HS-mosfet幾乎不開(kāi)關(guān)，因此可以在PHASEx引腳。如果這些電壓尖峰克服了引腳的最大擊穿電壓，該器件可以吸收能量會(huì)造成傷害。電壓尖峰必須受到適當(dāng)布局的限制；通過(guò)使用柵極電阻、肖特基二極管并聯(lián)于低壓側(cè)MOSFET和/或緩沖網(wǎng)絡(luò)低邊MOSFET，在FSW=600kHz時(shí)，20nSec不能克服26V。

啟動(dòng)電容器額外充電。不使用肖特基二極管的系統(tǒng)可能會(huì)出現(xiàn)較大的負(fù)尖峰在相位引腳上。這個(gè)尖峰也是有限的，但是這個(gè)尖峰也是有限的結(jié)果：導(dǎo)致自舉電容器過(guò)充。額外的費(fèi)用會(huì)導(dǎo)致最大輸入電壓的最壞情況，在特定瞬態(tài)期間，啟動(dòng)到相位電壓克服了防抱死制動(dòng)系統(tǒng)。最大額定值也會(huì)導(dǎo)致設(shè)備故障。在這種情況下，建議這樣做通過(guò)在啟動(dòng)二極管上串聯(lián)一個(gè)小電阻（一個(gè)電阻可以如果放在二極管陽(yáng)極的上游，足夠三個(gè)二極管使用）。

電流感應(yīng)連接。

遠(yuǎn)程緩沖區(qū)：該組件的輸入連接必須作為平行網(wǎng)絡(luò)從光纖光柵路由/為了補(bǔ)償沿輸出功率軌跡的損耗，同時(shí)也避免了拾取任何共模噪聲。將這些引腳連接在遠(yuǎn)離負(fù)載的點(diǎn)上會(huì)導(dǎo)致非最佳負(fù)載調(diào)節(jié)，增加輸出公差。

電流讀數(shù)：Rg電阻器必須盡可能靠近限制設(shè)備中的噪聲注入；這對(duì)Rg（RC）-Cg網(wǎng)絡(luò)仍然有效感應(yīng)感應(yīng)器上的電流。將這些電阻器連接到讀取點(diǎn)的PCB跡線(xiàn)必須使用專(zhuān)用網(wǎng)絡(luò)，作為并行記錄道布線(xiàn)，以避免拾取任何共模噪聲。

同樣重要的是要避免測(cè)量中的任何偏移，為了獲得更好的精度，連接盡可能靠近傳感元件。建議對(duì)稱(chēng)布置。CSx線(xiàn)上的VOUT和SGND之間可以需要小的濾波電容器，放置在控制器附近，在電流感應(yīng)連接中允許更高的布局靈活性。

正在嵌入基于L6711的VRD

將VRD嵌入應(yīng)用程序時(shí)，必須格外小心，因?yàn)檎麄€(gè)VRD是開(kāi)關(guān)DC/DC調(diào)節(jié)器和它必須工作的最常見(jiàn)的系統(tǒng)是這樣的數(shù)字系統(tǒng)MB或類(lèi)似的。事實(shí)上，最新的MB已經(jīng)變得更快和強(qiáng)大：高速數(shù)據(jù)總線(xiàn)越來(lái)越多VRD產(chǎn)生的更常見(jiàn)的和開(kāi)關(guān)誘發(fā)的噪聲如果不遵循，可能會(huì)影響數(shù)據(jù)完整性其他布局指南。在以下情況下布線(xiàn)時(shí)，必須主要考慮幾個(gè)簡(jiǎn)單點(diǎn)開(kāi)關(guān)大電流（開(kāi)關(guān)大電流會(huì)引起雜散電感上的電壓尖峰引起噪聲的跡線(xiàn)會(huì)影響附近的跡線(xiàn)）：在大電流開(kāi)關(guān)VRD軌跡和數(shù)據(jù)總線(xiàn)之間保持安全防護(hù)距離，尤其是在高速數(shù)據(jù)總線(xiàn)，減少噪音耦合。為必須行走的I/O子系統(tǒng)路由偏差跟蹤時(shí)，保持安全防護(hù)距離或適當(dāng)過(guò)濾靠近VRD。噪聲的可能原因可能是相位連接、Mosfet柵極驅(qū)動(dòng)和輸入電壓路徑（從輸入大容量電容器和HS漏極）。如果不堅(jiān)持，也必須考慮PGND連接在一個(gè)電源地平面上。這些連接必須小心遠(yuǎn)離噪聲敏感數(shù)據(jù)。由于產(chǎn)生的噪聲主要是由于VRM的開(kāi)關(guān)活動(dòng)，噪聲排放取決于電流開(kāi)關(guān)有多快。為了降低噪聲排放水平，除了之前的減小電流斜率，然后增加開(kāi)關(guān)次數(shù)的指南：這將導(dǎo)致開(kāi)關(guān)損耗增加，這是在系統(tǒng)的其他設(shè)計(jì)中必須考慮的因素。

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