產(chǎn)品亮點(diǎn)

為最低系統(tǒng)成本而優(yōu)化的功能

完全集成的短路和斷路自動重啟

回路保護(hù)

自偏壓供電-節(jié)省變壓器輔助繞組

以及相關(guān)的偏壓電源組件

精密公差和可忽略的溫度變化

關(guān)鍵參數(shù)簡化了設(shè)計(jì)并降低了成本

高最大開關(guān)頻率允許非常低

磁通密度變壓器設(shè)計(jì)，實(shí)際上消除了

可聽噪聲

頻率抖動大大降低了EMI

具有大爬電到高壓引腳的封裝

組件數(shù)量最少的交換機(jī)解決方案

比線性/RCC性能好得多

系統(tǒng)成本低于RCC、離散PWM和其他

集成解決方案

通用輸入范圍可在全球范圍內(nèi)運(yùn)行

簡單的開/關(guān)控制-無需回路補(bǔ)償

無偏壓繞組-更簡單、成本更低的變壓器

高頻開關(guān)–更小、成本更低

變壓器

非常低的組件數(shù)量-更高的可靠性和單一側(cè)印制電路板

高帶寬提供快速開啟，無超調(diào)以及良好的瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)

限流操作可抑制線路頻率紋波

內(nèi)置電流限制和滯后熱關(guān)機(jī)

保護(hù)

生態(tài)智能®–非常節(jié)能

空載消耗<300 mW，無偏壓繞組

265 VAC輸入

滿足加州能源委員會（CEC）能源部的要求

Star和歐盟要求

應(yīng)用

手機(jī)/無繩電話、PDA、數(shù)碼相機(jī)的充電器，MP3/便攜式音頻設(shè)備、剃須刀等。

備用和輔助電源

說明

LinkSwitch HF集成了700 V功率MOSFET、振蕩器，簡單的開關(guān)控制方案，高壓開關(guān)電流®表1。注：1。非通風(fēng)條件下的典型連續(xù)電源在50°C環(huán)境溫度下測量的封閉適配器。2最大實(shí)用性具有足夠熱量的開放式框架設(shè)計(jì)中的連續(xù)功率下沉，在50°C環(huán)境下測量。三。包裝：P:DIP-8B，G： SMD-8B。有關(guān)無鉛封裝選項(xiàng)，4對于沒有Y電容器的設(shè)計(jì)，可用功率可能更低（請參閱關(guān)鍵應(yīng)用程序注意事項(xiàng)）。電源、頻率抖動、逐周期電流限制，以及單片集成電路上的熱關(guān)機(jī)電路。創(chuàng)業(yè)工作功率直接來自于排液管腳，消除了對偏壓繞組和相關(guān)電路的需要。200 kHz的最大開關(guān)頻率允許低通量變壓器設(shè)計(jì)，幾乎消除了可聽簡單的噪聲控制方案涂漆變壓器結(jié)構(gòu)。高效運(yùn)作高開關(guān)頻率是由于優(yōu)化集成電路的開關(guān)特性和小電容功率MOSFET。全集成安全自動重啟電路輸出功率限制期間的故障電路或開環(huán)，減少元件數(shù)量和次級反饋電路成本。內(nèi)部振蕩器頻率為抖動以顯著降低準(zhǔn)峰值和平均值電磁干擾，最小化濾波成本。

引腳功能描述

排水（D）銷：功率MOSFET漏極連接。提供內(nèi)部操作啟動和穩(wěn)態(tài)運(yùn)行電流。

旁路（BP）引腳：0.1μF外部旁路電容器的連接點(diǎn)內(nèi)部產(chǎn)生5.8 V電源。

反饋（FB）引腳：在正常工作期間，功率MOSFET的開關(guān)是由這個(gè)引腳控制。當(dāng)大于49μa的電流被傳輸?shù)皆撘_。

源引腳：該引腳是功率MOSFET電源連接。它也是旁路和反饋引腳的接地參考

鏈路開關(guān)HF功能

說明

LinkSwitch HF組合了一個(gè)高壓功率MOSFET在一個(gè)設(shè)備中帶有電源控制器的開關(guān)。不像傳統(tǒng)的PWM（脈沖寬度調(diào)制器）控制器，LinkSwitch HF使用簡單的開/關(guān)控制來調(diào)節(jié)輸出電壓。LinkSwitch高頻控制器包括振蕩器，反饋（檢測和邏輯）電路，5.8 V調(diào)節(jié)器，旁路引腳欠壓電路，過溫保護(hù)，頻率抖動、限流電路、前沿消隱以及一個(gè)700伏功率MOSFET。鏈路開關(guān)HF包括附加自動重啟電路。

振蕩器

典型的振蕩器頻率在內(nèi)部設(shè)置為平均值200千赫。振蕩器產(chǎn)生兩個(gè)信號：最大占空比信號（DCMAX）和時(shí)鐘信號指示每個(gè)周期的開始。LinkSwitch高頻振蕩器包含以下電路引入少量的頻率抖動，通常為16 kHz峰對峰，以最小化EMI發(fā)射。調(diào)制速率頻率抖動設(shè)置為1.5 kHz以優(yōu)化EMI降低無論是平均排放量還是準(zhǔn)峰值排放量。頻率應(yīng)使用觸發(fā)的示波器測量抖動漏極波形的下降沿。波形圖4顯示了鏈路開關(guān)HF的頻率抖動。

反饋輸入電路

FB引腳處的反饋輸入電路由低阻抗源極跟隨器輸出設(shè)置為1.65 V。當(dāng)電流輸入該引腳的電流超過49μA，邏輯電平低（禁用）在反饋電路的輸出端產(chǎn)生。這個(gè)輸出在每個(gè)循環(huán)開始時(shí)在時(shí)鐘信號。如果MOSFET的功率很高的話該循環(huán)（啟用），否則功率MOSFET保持關(guān)閉（禁用）。因?yàn)椴蓸又皇窃诿總€(gè)周期，F(xiàn)B引腳電壓或電流的后續(xù)變化在循環(huán)的其余部分被忽略。

5.8V調(diào)節(jié)器和6.3V并聯(lián)電壓鉗

5.8 V調(diào)節(jié)器為連接的旁路電容器充電通過從漏極電壓，只要MOSFET關(guān)閉。這個(gè)旁路引腳是的內(nèi)部電源電壓節(jié)點(diǎn)高頻連接開關(guān)。當(dāng)MOSFET接通時(shí)，鏈路開關(guān)HF耗盡旁路電容器中儲存的能量。非常內(nèi)部電路的低功耗允許連接開關(guān)HF從電流消耗持續(xù)運(yùn)行從放油銷上。0.1μF的旁路電容值就足夠了用于高頻去耦和儲能。此外，還有一個(gè)6.3 V并聯(lián)調(diào)節(jié)器夾緊當(dāng)向旁路提供電流時(shí)，旁路引腳為6.3V引腳穿過外部電阻器。這有助于鏈路開關(guān)高頻通過外部偏置繞組來降低空載功耗小于50mw。

旁路引腳欠壓

旁路引腳欠壓電路使電源失效當(dāng)旁路引腳電壓下降到4.85v以下時(shí)，MOSFET。一旦旁路引腳電壓下降到4.85伏以下，它必須上升回到5.8伏以啟用（打開）功率MOSFET。

過熱保護(hù)

熱關(guān)機(jī)電路感測模具溫度。閾值設(shè)置為142°C，典型值為75°C滯后。當(dāng)模具溫度上升到該閾值（142°C）以上時(shí)功率MOSFET被禁用并保持禁用直到模具溫度下降75°C，此時(shí)重新啟用。

電流限制

限流電路檢測功率MOSFET中的電流。當(dāng)電流超過內(nèi)部閾值（ILIMIT）時(shí)功率MOSFET在這個(gè)循環(huán)的剩余時(shí)間被關(guān)閉。前沿消隱電路抑制電流限制功率MOSFET后短時(shí)比較器已打開。前緣沖裁時(shí)間的設(shè)定即電流尖峰由電容和整流器反向引起恢復(fù)時(shí)間不會導(dǎo)致提前終止開關(guān)脈沖。

自動重新啟動

如果出現(xiàn)輸出過載等故障情況，輸出高頻開關(guān)或短路自動重啟操作。由每次FB引腳被拉高時(shí)，振蕩器復(fù)位。如果FB引腳沒有拉高30毫秒，功率MOSFET開關(guān)關(guān)閉650毫秒。自動重啟交替進(jìn)行啟用和禁用功率MOSFET的開關(guān)，直到故障狀態(tài)已排除。

應(yīng)用程序示例

2.4 W CC/CV充電器適配器圖5所示的電路是a 5.7 V，400 mA，恒壓，恒流（CV/CC）電池充電器。由二極管D1-D4形成的輸入電橋用于整流交流電輸入電壓。然后，整流后的交流電被過濾掉儲存電容器C1和C2。電阻器RF1是防火的，易熔線繞式，起熔絲、浪涌電流的作用限幅器和由C1、C2和L1組成的π濾波器，差模噪聲衰減器。這種簡單的EMI濾波，加上頻率抖動連接開關(guān)HF（U1），小值Y1電容器（CY1），以及T1內(nèi)的屏蔽繞組，以及二次側(cè)RC緩沖器（R5，C5），允許設(shè)計(jì)滿足兩個(gè)傳導(dǎo)以及輻射EMI限值。CY1的低值很重要滿足線路低頻泄漏要求，在這種情況下<10μA。整流和濾波的輸入電壓被施加到一次側(cè)T1繞組。變壓器一次側(cè)的另一側(cè)是由U1集成MOSFET驅(qū)動。二極管D5、C3、R1R3形成初級鉗位網(wǎng)絡(luò)。這限制了峰值漏感引起的漏極電壓。R3允許電阻器使用慢，低成本整流二極管限制反向當(dāng)U1接通時(shí)，電流通過D5。慢節(jié)奏的選擇二極管提高了效率和傳導(dǎo)電磁干擾。輸出整流由肖特基二極管D6提供。低地正向電壓在整個(gè)操作過程中提供了高效率量程和低ESR電容C6使輸出電壓最小化漣漪。在恒壓（CV）模式下，輸出電壓由齊納二極管VR1與PNP晶體管發(fā)射基極電壓問題1。Q1的VBE除以R7的值設(shè)置偏差通過VR1的電流（~2.7 mA）。當(dāng)輸出電壓超過由Q1和VR1確定的閾值電壓，Q1接通，電流流過U2的LED。作為LED電流增大，電流饋入反饋引腳增加，禁用U1的進(jìn)一步開關(guān)周期。在非常輕的負(fù)載，幾乎所有的開關(guān)周期都將被禁用，提供較低的有效開關(guān)頻率和空載消耗。在負(fù)載瞬態(tài)期間，R6和R8確保Q1的額定值為當(dāng)R4阻止C4排放時(shí)，不超過。電阻R9和R10形成恒流（CC）感測電路。在大約400毫安以上，電壓通過感測電阻超過光耦二極管正向?qū)妷杭s為1 V。通過LED的電流因此由輸出電流和CC控制決定控制CV反饋回路。CC保持控制即使在輸出短路情況下。

關(guān)鍵應(yīng)用注意事項(xiàng)

鏈路交換機(jī)HF設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

輸出功率表

數(shù)據(jù)表最大輸出功率表（表1）表示最大實(shí)際連續(xù)輸出功率電平在以下假設(shè)條件下獲得：

1.對于85伏交流電壓，最小直流輸入電壓為90伏或更高輸入，或240 V或更高，用于230 VAC輸入或115 VAC帶電壓倍增器。輸入電容值應(yīng)足夠大，以滿足這些交流輸入標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。

2.帶肖特基整流二極管的5.5V二次輸出。

3.假設(shè)效率為70%。

4.fOSC（min）和ILIMIT（min）的工作頻率。

5.僅電壓輸出（無二次側(cè)恒流電路）。

6.連續(xù)模式運(yùn)行（0.6≤KP≤1）。

7.該部分是板安裝與源引腳焊接足夠的銅面積來保持源引腳溫度等于或低于100°C。

8.開放式框架設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度為50°C適配器的內(nèi)部外殼溫度為60°C設(shè)計(jì)。低于1，KP是波紋與一次峰值的比率電流。高于1，KP是初級MOSFET的比率關(guān)斷時(shí)間到二次二極管導(dǎo)通時(shí)間。在較低的有效開關(guān)頻率下工作可以簡化符合傳導(dǎo)和輻射電磁干擾限值，尤其是必須消除安全Y電容器的設(shè)計(jì)。通過使用較低的有效滿載頻率，計(jì)算初級電感值高于電力輸送。但是，在這個(gè)較低的工作頻率將低于這些值如表1所示。

可聽噪聲

跳頻工作方式在短波鏈路交換機(jī)中的應(yīng)用可以在變壓器中產(chǎn)生音頻分量。為了限制這種可聽噪聲的產(chǎn)生，變壓器應(yīng)其設(shè)計(jì)應(yīng)使磁芯磁通密度峰值低于1250高斯（125公噸）。遵循本指南并使用標(biāo)準(zhǔn)變壓器浸漆生產(chǎn)技術(shù)幾乎消除了可聽噪音。更高的通量密度但是，仔細(xì)評估可聽見的噪音是可能的性能應(yīng)使用生產(chǎn)變壓器批準(zhǔn)設(shè)計(jì)前的樣品。使用Z5U等介質(zhì)的陶瓷電容器在鉗位電路中，也可能產(chǎn)生音頻噪聲。如果這是在這種情況下，試著用一個(gè)不同的電容器替換它們電介質(zhì)，例如聚酯薄膜型。LinkSwitch HF布局注意事項(xiàng)參見圖6，以獲取高頻連接開關(guān)。

單點(diǎn)接地

使用輸入濾波器的單點(diǎn)接地連接電容器連接到銅源的面積別針。

旁路電容器（CBP）

旁路管腳電容器應(yīng)盡可能靠近到旁路和源引腳。一回路面積連接輸入濾波器的主回路區(qū)域電容器、變壓器一次側(cè)和聯(lián)絡(luò)開關(guān)HF在一起應(yīng)該盡量小一些。初級箝位電路一個(gè)鉗位是用來限制峰值電壓在漏引腳在轉(zhuǎn)彎關(guān)了。這可以通過使用RCD卡箍（如圖所示）來實(shí)現(xiàn)在圖5）或齊納（~200V）和二極管鉗一次繞組。在所有情況下，為盡量減少電磁干擾，應(yīng)注意用于最小化來自箝位元件的電路路徑至變壓器和連接開關(guān)HF。

熱因素

鏈路開關(guān)HF下方的銅區(qū)不僅起作用作為單點(diǎn)接地，也可以作為散熱片。因?yàn)檫@個(gè)地區(qū)連接到安靜的源節(jié)點(diǎn)，這個(gè)區(qū)域應(yīng)該被最大化用于連接開關(guān)HF的良好散熱。同樣適用于輸出二極管的陰極。

Y型電容器

Y型電容器的放置應(yīng)直接從初級輸入濾波器電容器正極端子變壓器二次側(cè)的公共/回流端子。這樣的一個(gè)放置將路由高強(qiáng)度共模浪涌遠(yuǎn)離鏈路開關(guān)高頻設(shè)備的電流。注意，如果輸入π（C，L，C）EMI濾波器，然后在過濾器應(yīng)放置在輸入濾波電容器。

光耦

將光耦物理地靠近鏈接開關(guān)HF to最小化主邊跟蹤長度。保持大電流，遠(yuǎn)離光耦的高壓漏極和鉗位軌跡以防止噪音增加。輸出二極管為了獲得最佳性能，連接二次繞組、輸出二極管和輸出濾波器電容器應(yīng)盡量減少。另外，足夠的銅應(yīng)在陽極和陰極端子處提供區(qū)域用于散熱的二極管。最好在安靜的陰極終端。一個(gè)大的陽極面積可以增加高頻率輻射EMI。

快速設(shè)計(jì)檢查表

與任何電源設(shè)計(jì)一樣，所有連接開關(guān)HF設(shè)計(jì)應(yīng)在試驗(yàn)臺上進(jìn)行驗(yàn)證，以確保在最壞情況下不會超過規(guī)格。這個(gè)強(qiáng)烈建議至少進(jìn)行以下試驗(yàn)：

1.最大漏極電壓–驗(yàn)證VDS不超過最高輸入電壓和峰值（過載）輸出時(shí)為675 V權(quán)力。

2.最大漏電流-在最高環(huán)境溫度下，最大輸入電壓和峰值輸出（過載）功率，檢查漏極電流波形是否有變壓器跡象飽和和過大的前沿電流尖峰啟動。在穩(wěn)定狀態(tài)下重復(fù)上述步驟，并驗(yàn)證圖6。高頻反激式開關(guān)的推薦布局。前沿電流尖峰事件低于tLEB結(jié)束（分鐘）。在任何情況下，最大排水量電流應(yīng)低于規(guī)定的絕對最大值評級。

3.熱檢查-在規(guī)定的最大輸出功率下，最小輸入電壓和最高環(huán)境溫度，確認(rèn)沒有超過溫度規(guī)格用于連接開關(guān)HF、變壓器、輸出二極管和輸出電容器。應(yīng)留出足夠的熱裕度鏈路開關(guān)HF as的RDS（ON）的部分到部分變化在數(shù)據(jù)表中指定。在低線，最大功率下，最大鏈路開關(guān)高頻源引腳溫度為建議100°C，以考慮這些變化。

絕對最大額定值（1,5）

漏極電壓 -0.3伏至700伏

峰值漏極電流 400毫安（750毫安）（2）

反饋電壓 -0至9伏

反饋電流 100毫安

旁路電壓 -0.3伏至9伏

儲存溫度 -65°C至150°C

工作結(jié)溫度（3）-40°C至150°C

鉛溫度（4）260攝氏度

筆記：

1.參考電源的所有電壓，TA=25°C。

2.當(dāng)漏極電壓小于400V。

3.通常受內(nèi)部電路限制。

4.1/16英寸。從箱子里出來5秒鐘。

5.可采用規(guī)定的最大額定值，一次一個(gè)，不會對產(chǎn)品造成永久性損壞。暴露于絕對最大額定值條件下延長時(shí)間可能會影響產(chǎn)品可靠性

熱阻抗

熱阻抗：P或G包裝：

（θJA）70°C/W（2）；60°C/W（3）

（θJC）（1）11°C/W

筆記：

1.在靠近塑料接口的針腳2（源）上測量。

2.焊接至0.36平方英寸。（232平方毫米)2盎司（610克/平方米)包銅。

3.焊接至1平方英寸。（645平方毫米)2盎司（610克/平方米)包銅。

筆記：

A、 當(dāng)反饋管腳電壓≥2V（MOSFET不等于）時(shí)，總電流消耗為IS1和IDSS之和當(dāng)反饋管腳對電源短路（MOSFET開關(guān)）時(shí)，IS2和IDSS之和。

B、由于輸出MOSFET是開關(guān)的，很難將開關(guān)電流與電源電流隔離排水。另一種方法是測量6V時(shí)的旁路引腳電流。

C、 旁路引腳啟動充電波形見典型性能特性章節(jié)圖14。

D、 此電流僅用于提供連接在旁路和反饋之間的可選光耦引腳而不是任何其他外部電路。

E、 有關(guān)其他di/dt值的電流限制，請參考圖13。

F、 此參數(shù)由設(shè)計(jì)保證。

G、 此參數(shù)由特征化派生。

H、 自動重啟時(shí)間與振蕩器具有相同的溫度特性（與頻率）

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