功能描述

LM9070是一個(gè)5V，3%準(zhǔn)確，250毫安低-2汽車應(yīng)用可靠性降壓穩(wěn)壓器。調(diào)節(jié)器具有3%輸出電壓容差激活低延遲復(fù)位輸出標(biāo)志，可以對(duì)用于重啟微處理器系統(tǒng)的輻射射頻干擾不敏感如果調(diào)節(jié)器輸出電壓低于800毫伏，250毫伏毫安輸出電流調(diào)節(jié)任何原因。外部電容器在復(fù)位輸出之前編程一個(gè)延遲時(shí)間間隔汽車應(yīng)用可靠性降壓穩(wěn)壓器外部編程的復(fù)位延遲間隔可返回高。

具有2個(gè)邏輯控制輸入的保持激活功能專為汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的LM9070

60V負(fù)載轉(zhuǎn)儲(chǔ)瞬態(tài)保護(hù)包含多種保護(hù)功能，如熱關(guān)機(jī)反向電池，過電壓關(guān)機(jī)，熱關(guān)機(jī)關(guān)閉，輸入瞬態(tài)保護(hù)和寬

短路保護(hù)和禁用安全

工作溫度范圍。

蓄電池反向保護(hù)獨(dú)特的雙輸入邏輯控制方案用于

啟用或禁用調(diào)節(jié)器輸出。點(diǎn)火開關(guān)可提供接通/斷開

低斷開靜態(tài)電流，最大輸入50μA

寬工作溫度范圍−40°C，以發(fā)出信號(hào)，同時(shí)產(chǎn)生第二個(gè)保持活動(dòng)輸入+125°C，由系統(tǒng)控制器控制。這使得系統(tǒng)能夠關(guān)閉點(diǎn)火開關(guān)后，TO-263和20針電動(dòng)表面貼裝保持打開狀態(tài)。這個(gè)然后系統(tǒng)斷電控制器可以執(zhí)行程序包然后命令調(diào)節(jié)器關(guān)閉

與TLE4267 TO-220兼容的鉛形式，以達(dá)到低靜態(tài)電流狀態(tài)（最大60μa）。

調(diào)節(jié)器

采用了設(shè)計(jì)技術(shù)監(jiān)管者保持運(yùn)行，不會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤當(dāng)受到高電平射頻時(shí)重置信號(hào)能量（從2 MHz到400 MHz為300 V/m）

（1） 絕對(duì)最大額定值表示設(shè)備可能發(fā)生損壞的極限值。工作額定值表示設(shè)備的功能，但不確保特定的性能限制。對(duì)于確保的規(guī)格和條件，參見電氣特性。

（2） 超過最大允許功耗將導(dǎo)致模具溫度過高，設(shè)備將進(jìn)入熱狀態(tài)關(guān)機(jī)。TO-220封裝（靜止空氣，無額外散熱片）的θJ-A值為73°C/W。TO-220的有效θJ-A值使用傳統(tǒng)的熱沉方法可以減少封裝。

（3） 超過最大允許功耗將導(dǎo)致模具溫度過高，設(shè)備將進(jìn)入熱狀態(tài)關(guān)機(jī)。TO-263封裝（靜止空氣，無額外散熱片）的θJ-A值為80°C/W。TO-263的有效θJ-A值通過增加連接（焊接）到封裝標(biāo)簽的印刷電路板面積，可以減少封裝。使用1盎司（1.4密耳厚）覆銅，無焊接掩模，0.5平方英寸的面積將使θJ-A降低到50°C/W，1.0平方英寸的面積將降低θJ-Ato 37°C/W，1.6平方英寸的面積將把θJ-A降低到32°C/W。如果印刷電路板使用焊接掩模，則覆銅面積應(yīng)至少增加50%，以保持類似的θJ-a額定值。

電氣特性（1）

以下規(guī)范適用于VCC=6V至26V，−40°C≤TA≤125°C，除非另有規(guī)定。COUT=47μF

ESR<3Ω。CIN=1μF。

（1） 通過設(shè)計(jì)、測試和/或統(tǒng)計(jì)分析確保數(shù)據(jù)表最小/最大規(guī)格。

典型性能特征

（TA=25°C，除非另有說明）

開/關(guān)、保持活動(dòng)和安全閂鎖控制圖

注：如果由LM9070的輸出電壓供電的微處理器提供電源，則邏輯“1”當(dāng)調(diào)節(jié)器關(guān)閉時(shí)，電壓水平將跟蹤VOUT。

LM9070電壓調(diào)節(jié)器已優(yōu)化用于基于微處理器的汽車系統(tǒng)。幾個(gè)獨(dú)特的設(shè)計(jì)特點(diǎn)已被納入解決許多FMEA（失效模式影響分析）的關(guān)注點(diǎn)故障保護(hù)系統(tǒng)性能。

容錯(cuò)特性

雖然由于生產(chǎn)測試的局限性而沒有特別保證，但LM9070已經(jīng)過測試并顯示繼續(xù)提供調(diào)節(jié)輸出，并且在受到干擾時(shí)不會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的系統(tǒng)復(fù)位信號(hào)高水平的射頻電場能量（在2兆赫至400兆赫的頻率范圍內(nèi)，信號(hào)強(qiáng)度高達(dá)300伏/米）。這對(duì)于系統(tǒng)必須繼續(xù)正常工作的車輛安全相關(guān)應(yīng)用非常重要。為了保持對(duì)射頻干擾的抗擾度，輸出旁路電容器很重要（建議使用47μF）。此調(diào)節(jié)器適用于需要連續(xù)連接到蓄電池的應(yīng)用（請(qǐng)參閱圖21）。調(diào)節(jié)器和系統(tǒng)的開/關(guān)控制可以通過將開/關(guān)輸入切換到蓄電池或點(diǎn)火電源VIN通過SPST開關(guān)供電。如果該輸入開路，則內(nèi)部下拉電阻器確保調(diào)節(jié)器關(guān)閉。當(dāng)調(diào)節(jié)器關(guān)閉時(shí)，電流負(fù)載接通電池電量降到60μA以下。在許多VIN和開/關(guān)輸入引腳的應(yīng)用中都有可能為了在系統(tǒng)中通過長距離的電線連接，這些引腳的ESD保護(hù)已經(jīng)增加增加小輸入旁路電容器。

至少需要10μF的輸出旁路電容器才能保持穩(wěn)定（建議使用47μF）。這個(gè)的ESR電容器應(yīng)小于3Ω。建議使用1μF或更大的輸入電容器來改善線路瞬態(tài)以及噪音性能。通過保持激活輸入，系統(tǒng)微處理器能夠保持調(diào)節(jié)器開啟（邏輯“0”開啟保持激活）在ON/OFF輸入被命令關(guān)閉后。當(dāng)系統(tǒng)斷電時(shí)變量通常存儲(chǔ)在可編程存儲(chǔ)器中，可以根據(jù)需要執(zhí)行并花費(fèi)盡可能多的時(shí)間。在操作結(jié)束時(shí)，微控制器將保持在高位，調(diào)節(jié)器和系統(tǒng)關(guān)閉，然后返回低靜態(tài)電流待機(jī)模式。為了提高系統(tǒng)可靠性，考慮了在調(diào)節(jié)器的輸出。當(dāng)調(diào)節(jié)器打開時(shí)，傳統(tǒng)的限流和熱關(guān)機(jī)保護(hù)調(diào)節(jié)器。然而，當(dāng)調(diào)節(jié)器關(guān)閉時(shí)，接地的VCC電源至micro（由于短路的調(diào)節(jié)器輸出）將強(qiáng)制保持激活輸入低，從而嘗試保持激活操作模式。當(dāng)負(fù)載短路時(shí)，電池的耗電量可能高達(dá)1.5A。一個(gè)單獨(dú)的內(nèi)部電路監(jiān)控調(diào)節(jié)器的輸出電壓。如果VOUT小于4V，如短路負(fù)載時(shí)，保持激活功能在邏輯上被禁用，以確保調(diào)節(jié)器關(guān)閉并僅恢復(fù)到50電池負(fù)載μA。

內(nèi)置傳統(tǒng)甩負(fù)荷保護(hù)，可承受高達(dá)+60V和−50V瞬態(tài)。一個(gè)1kΩ電阻輸入建議串聯(lián)有開/關(guān)和保持活動(dòng)輸入，以提供相同水平的瞬態(tài)如果需要，保護(hù)這些引腳。反極性電池連接保護(hù)也內(nèi)置。用一個(gè)反向電池LM9070的輸出不會(huì)比一個(gè)二極管下降到地面以下更負(fù)。這個(gè)遺囑防止損壞任何5伏負(fù)載電路。對(duì)于不需要控制邏輯的應(yīng)用，邏輯管腳的配置應(yīng)如圖22所示。可以使用稱為LM9071的單獨(dú)設(shè)備。LM9071提供5線至220線的封裝不提供控制邏輯功能，但仍保留LM9070的所有保護(hù)功能。

重置標(biāo)志

輸出負(fù)載過大，輸出電壓下降300 mV至500 mV時(shí)，信號(hào)a將標(biāo)志重置到micro。這將警告VCC電源可能會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)無法預(yù)知的運(yùn)行。在通電和從故障狀態(tài)恢復(fù)時(shí)，延遲電容器用于保持微控制器處于復(fù)位狀態(tài)在可編程的時(shí)間間隔內(nèi)，允許系統(tǒng)工作電壓和在執(zhí)行代碼之前要穩(wěn)定的時(shí)鐘。典型的延遲時(shí)間間隔可以用以下方法估計(jì)公式：

輸入穩(wěn)定性

使用PNP功率晶體管的低壓差穩(wěn)壓器通常會(huì)表現(xiàn)出電流的大幅增加退出時(shí)（VIN<5.5V）。這種增加是由PNP的飽和特性（β還原）引起的晶體管。為了顯著降低電流的增加，LM9070在PNP進(jìn)入飽和時(shí)檢測降低工作電流。這種輸入電流的降低會(huì)在負(fù)載電流較高（>100毫安）的應(yīng)用中造成穩(wěn)定性問題當(dāng)輸入電壓通過一段很長的導(dǎo)線施加時(shí)，這實(shí)際上增加了大量電感與輸入串聯(lián)。輸入電流的下降可能會(huì)產(chǎn)生一個(gè)正的輸入電壓瞬態(tài)可能會(huì)使PNP脫離飽和。如果輸入電壓在PNP的閾值處保持恒定在飽和和不飽和時(shí)，可能會(huì)產(chǎn)生振蕩。只有當(dāng)輸入電源線中存在顯著的串聯(lián)電感時(shí)，以及當(dāng)電壓上升時(shí)，才會(huì)觀察到這種現(xiàn)象輸入電源的下降時(shí)間很慢。如果輸入電壓的應(yīng)用和移除發(fā)生變化大于500 mV/μs時(shí)，輸入電壓也會(huì)通過工作的下降區(qū)（VIN為3V至5.5V）很快就會(huì)產(chǎn)生振蕩。

具有關(guān)斷時(shí)間間隔的微處理器系統(tǒng)調(diào)節(jié)器圖23說明了利用LM9070的兩個(gè)邏輯控制輸入的系統(tǒng)應(yīng)用電路。交割接通/斷開開關(guān)接通系統(tǒng)電源。通電后，系統(tǒng)控制器將保持活動(dòng)線路設(shè)置為低電平。NPN晶體管僅用于向控制器發(fā)出通/斷開關(guān)已打開和系統(tǒng)的信號(hào)將被關(guān)閉。當(dāng)檢測到開/關(guān)檢測輸入線的高電平時(shí)，控制器可以執(zhí)行斷電程序。系統(tǒng)將保持完全通電，直到控制器命令完全關(guān)閉把救生線調(diào)高。然后系統(tǒng)關(guān)閉并恢復(fù)到非常低的電流消耗待機(jī)狀態(tài)，直到重新接通。

熱管理

LM9070封裝在TO-263表面貼裝電源包和窄引線間距TO-220中包裹。為了在可能的最高負(fù)載電流和輸入電壓范圍內(nèi)獲得操作，必須小心用于控制設(shè)備的工作溫度。內(nèi)置熱關(guān)機(jī)保護(hù)，具有閾值高于150°C。傳統(tǒng)的熱沉技術(shù)可用于TO-220封裝。當(dāng)應(yīng)用263封裝，機(jī)上散熱對(duì)于防止過早熱關(guān)機(jī)很重要。更多銅箔設(shè)備標(biāo)簽下的區(qū)域?qū)⒅苯犹岣逿O-263包的操作θJ-A，從而降低器件的結(jié)溫。

TO-263封裝（靜止空氣，無額外散熱片）的θJ-A值額定為80°C/W。有效θJ-ATO-263封裝的值可以通過增加所連接的印刷電路板面積而降低（焊接）到包選項(xiàng)卡。使用1盎司（1.4密耳厚）覆銅，無焊錫掩模，面積0.5平方英寸將把θJ-A降低到50°C/W，1.0平方英寸的面積將使θJ-Ato降低37°C/W，并且1.6平方英寸可將θJ-A降低至32°C/W。如果印刷電路板使用焊接掩模，則鍍銅面積在焊接掩模下應(yīng)至少增加50%，以保持類似的θJ-a額定值。在兩個(gè)銅平面之間使用帶有焊接填充過孔的雙面PC板，如中所示圖24將提高熱性能，同時(shí)優(yōu)化所需的PC板表面積。使用雙面PC板布置如圖24所示，帶有1盎司（1.4密耳厚）的銅包層，無焊料掩模和焊料填充過孔，兩側(cè)0.5平方英寸的面積將使θJ-A降低到43°C/W。

　　安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢在線客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責(zé)聲明：部分圖文來源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。