補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)由內(nèi)部誤差放大器和阻抗網(wǎng)絡(luò)ZIN（R3，R4和C20）和ZFB（R5、C18和C19）。補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)必須提供閉環(huán)傳遞函數(shù)具有快速響應(yīng)（但始終低于fsw/10）和最高增益的最高0dB交叉頻率在直流條件下盡量減小負(fù)載調(diào)節(jié)。一個(gè)穩(wěn)定的控制回路具有-20dB/decade斜率的增益交叉，相位裕度大于45°。包括確定相位裕度時(shí)的最壞情況分量變化。為了定位補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的極點(diǎn)和零點(diǎn)，可以使用以下建議：調(diào)制器奇異頻率：

設(shè)置增益R5/R3以獲得所需的轉(zhuǎn)換器帶寬

將ωZ1置于輸出濾波器諧振ωLC之前

將ωZ2置于輸出濾波器諧振ωLC處

將ωP1放在輸出電容ESR為0ωESR處

將ωP2置于開關(guān)頻率的一半

考慮誤差放大器開環(huán)增益，檢查環(huán)路增益。

15A演示板說明

演示板顯示了設(shè)備在一個(gè)通用應(yīng)用程序中的操作。根據(jù)報(bào)告的表，該評(píng)估板通過開關(guān)S2-S5將電壓可調(diào)性從0.9V降低到5V，當(dāng)使用內(nèi)部0.9V參考電壓（G1關(guān)閉）。超過20A的輸出電流可以通過使用的mosfet類型：高側(cè)和低壓側(cè)開關(guān)可使用多達(dá)三個(gè)SO8 mosfet。外部參考可用于僅打開G1和開關(guān)S2-S5的調(diào)節(jié)。設(shè)備也可以使用開關(guān)S1禁用。VCC輸入軌為設(shè)備供電，而電源轉(zhuǎn)換從VIN輸入軌。該設(shè)備還能夠在單一電源電壓下工作；在這種情況下，跨接器G2具有關(guān)閉，5V至12V輸入可以直接連接到VIN輸入。四層演示板考慮到電路的高電流，銅厚度為70μm，以盡量減少傳導(dǎo)損耗能夠交給我PGOOD信號(hào)被用作邏輯電平，由于沒有演示板上有其他合適的電壓。如果輸入電壓高于7V（PGOOD引腳最大絕對(duì)額定值）需要5V參考電壓。圖12顯示了演示板的電路原理圖

部件選擇

感應(yīng)器選擇

要選擇合適的電感器值，應(yīng)用條件必須是固定的。例如，我們可以考慮：Vin=12V電壓=3.3V輸出電壓=15A考慮到約25%到30%Iout的紋波，電感器值將為L(zhǎng)=3μH。選用了7繞組的鐵粉鐵芯（TO50-52B）。

輸出電容器

已選擇2個(gè)型號(hào)為6TPB330M的POSCAP電容器，每個(gè)電容器的最大電流為40 MΩ。因此，得到的ESR為20mΩ。考慮到4A的電流紋波，輸出電壓紋波為：∆Vout=4·0.02=80mV

輸入電容器

對(duì)于IOUT=15A和D=0.5（輸入電流紋波的最壞情況），輸入電容器的均方根電流相等至7.5A。選擇了兩個(gè)最大ESR等于13mΩ的OSCON電解電容器6SP680M來維持紋波。因此，所得ESR等于13mΩ/2=6.5mΩ。在最壞的情況下，損失是：P=ESR·I2rms=366mW

過流保護(hù)

電流限制可設(shè)置為約20A。將相關(guān)章節(jié)中報(bào)告的關(guān)系式 ship中的演示板參數(shù)（IOSCMIN=170μA；IP=20A；RDSONMAX=9mΩ/2=4.5mΩ）代入即可ROCS=510Ω

高電流應(yīng)用建議

對(duì)于高達(dá)20A的更高輸出電流，可使用以下配置（參考演示板示意圖）：Q1、Q2、Q3:STS11NF30L問題4、問題5、問題6:STS17NF3LL五十： 2.5μH磁性77121A7芯7T 2x AWG16在這些條件下，實(shí)現(xiàn)了以下性能：

對(duì)于高于20A的電流，應(yīng)為高壓側(cè)和低壓側(cè)（取決于占空比和輸入電壓）。

6A演示板說明

一個(gè)緊湊的演示板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)，以管理5A-6A范圍內(nèi)的電流。外部功率mosfet包含在單個(gè)SO8封裝中，以節(jié)省空間和增加功率密度。為VCC和VIN提供兩個(gè)單獨(dú)的導(dǎo)軌。它們可以通過短接跨接導(dǎo)線J1連接在一起。PGOOD信號(hào)被用作邏輯電平，它被拉到了VIN，因?yàn)闆]有其他合適的信號(hào)演示板上提供電壓。如果輸入電壓高于7V（PGOOD引腳最大Ab 溶質(zhì)額定值），則需要5V參考電壓。

緊湊型演示板性能

圖19、20顯示了不同輸出電壓值下測(cè)量的效率與負(fù)載電流的關(guān)系。測(cè)量已在5V和12V輸入下完成。輸出電壓已更改，修改中的R1值零件清單中報(bào)告的演示板。

應(yīng)用思路一：DDR存儲(chǔ)器和終端電源雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器需要特定的電源管理架構(gòu)。這是因?yàn)轵?qū)動(dòng)芯片組和存儲(chǔ)器輸入之間的跟蹤必須用電阻器終止。因?yàn)轵?qū)動(dòng)存儲(chǔ)器的芯片組有一個(gè)推挽輸出緩沖器，所以終端電壓必須能夠源電流和下沉電流。此外，終端電壓必須等于存儲(chǔ)器電源的一半（存儲(chǔ)器的輸入為一種需要一個(gè)參考偏差中點(diǎn)的差分階段。DDRI是內(nèi)存的供給2.5V，端接電壓1.25V，DDRII內(nèi)存供電1.8V，端接電壓為0.9V。圖23顯示了一個(gè)完整的DDRI存儲(chǔ)器和終端電源，使用2 L6910G-ic/" title="xL6910G">xL6910G。2.5V部分為內(nèi)存供電，而1.25V部分提供終端電壓。兩段之間的跟蹤是通過提供1.25V段的EAREF電壓來實(shí)現(xiàn)的連接到2.5V的電阻分壓器。

存儲(chǔ)器和終端電源所需的電流取決于存儲(chǔ)器的類型和大小。

圖22、23示出了L6910G對(duì)于圖中所示應(yīng)用的終端部分的效率。21，在sink和source模式下。圖中還顯示了當(dāng)輸入電壓直接來自12V軌道時(shí)的效率值。

對(duì)于非常大的系統(tǒng)（如服務(wù)器），DDR內(nèi)存終端可能需要更高的電流量程為10A-15A及以上。圖24、25和26、27顯示了L6910G，接收和源模式，最高17ADDRI和DDRII回憶。那個(gè)測(cè)量值有通過15A演示板實(shí)現(xiàn)。（見第11頁(yè)）

應(yīng)用思路二：正壓升壓調(diào)節(jié)器3V～13.2V輸入/5V 2.5A輸出在某些應(yīng)用中，輸入電壓變化范圍很廣，而輸出電壓必須調(diào)節(jié)到固定值。在這種情況下，為了保持輸出電壓的調(diào)節(jié)，可能需要一個(gè)Buck-Boost拓?fù)洹Ｏ旅娴氖疽鈭D顯示了如何在3.3V和5V的輸出端實(shí)現(xiàn)降壓升壓調(diào)節(jié)5V和12V輸入總線。在Buck-Boost拓?fù)渲校娏鲀H在關(guān)相時(shí)被傳輸?shù)捷敵龆恕Ｋ裕瑢?duì)于給定的電流極限，最大輸出電流很大程度上取決于占空比。假設(shè)效率為100%，忽略了電感上的電流紋波，電流限制與最大輸出之間的關(guān)系電流如下：

其中，ILIM是電流限制，D是應(yīng)用的占空比。最壞的情況是DMAX。因?yàn)樵贐uck-Boost應(yīng)用中，D由以下公式給出：

最糟糕的情況是溫敏。顯然，由于效率低于100%，且紋波通常不可忽略，因此最大輸出電流總是低于上述公式計(jì)算的值

應(yīng)用思路三：降壓升壓調(diào)節(jié)器3V至5.5V輸入/-5V3A輸出在需要負(fù)輸出電壓的應(yīng)用中，可采用標(biāo)準(zhǔn)降壓升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與最大輸出電流相關(guān)的考慮因素與“正降壓升壓”（應(yīng)用理念2）相同。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一個(gè)特殊之處在于，器件所承受的電壓是VIN和VOUT之和。所以，從5V到-5V，器件會(huì)承受10V的電壓。必須檢查輸入和輸出的總和電壓低于設(shè)備的最大工作輸入電壓。

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