特征

0.5A輸出電流

8V至35V電源電壓范圍

內(nèi)部限流

熱關(guān)機

開放接地保護

內(nèi)部負電壓鉗位，快速消磁

大共模差分輸入

范圍和閾值滯后

滯后欠壓閉鎖

空載檢測

兩個診斷輸出

輸出狀態(tài)LED驅(qū)動器

無耗散短路保護

抗突發(fā)瞬態(tài)（IEC 61000-4-4）

ESD保護（人體模型±2kV）

說明

L6375S是一款單片智能電源多功率BCD技術(shù)中的開關(guān)，用于驅(qū)動有控制輸出的感應(yīng)或電阻負載電壓轉(zhuǎn)換率和短路保護。內(nèi)部箝位二極管使快速感應(yīng)負載的消磁。診斷CPU反饋和電氣的廣泛使用保護使這個裝置非常堅固特別適用于工業(yè)自動化應(yīng)用。

方框圖和引腳說明

電氣特性

（VS=24V；TJ=-25至+125°C，除非另有規(guī)定）

電氣特性（續(xù)）

（VS=24V；TJ=-25至+125°C，除非另有規(guī)定）

開關(guān)波形

輸入段

寬電壓范圍高噪聲單端輸入TTL/CMOS免疫性（由于內(nèi)置遲滯）是可用的。

過熱保護（OVT）

芯片上的過溫保護在極端條件。當(dāng)溫度-在芯片的中心部分測量超過Tmax=150oC（典型值），設(shè)備關(guān)閉，DIAG2輸出變?yōu)榈汀Ｐ酒瑴囟然謴?fù)正常工作（通常在幾秒鐘后）低于Tmax-Thys=130℃（典型值）。磁滯避免是間歇性的行為發(fā)生。

欠壓保護（UV）

電源電壓預(yù)計在8到35V之間。在這個范圍內(nèi)，設(shè)備工作正確地。為了避免任何故障，電源電壓被連續(xù)監(jiān)控提供欠壓保護。當(dāng)Vs低于Vsth Vshys時（通常為7.5 V，見圖1）輸出功率MOS關(guān)閉，DIAG1和DIAG2（見診斷真值表）。一旦Vs超過Vsth，則恢復(fù)正常操作。遲滯行為防止在低電源電壓下間歇性工作。

過流運行

為了實現(xiàn)短路保護，輸出功率MOS被線性驅(qū)動限制Isc輸出電流的模式（1.1A典型值）。此條件（電流限制至Isc值）持續(xù)一噸時間間隔，可通過電容器（Cdon）進行設(shè)置按以下公式連接到ON延遲引腳：噸=1.28微秒/pF對于50pF<Cdon<2nF在時間間隔結(jié)束后，輸出功率MOS關(guān)閉Toff時間間隔時間：Toff=64噸。

當(dāng)Toff間隔也已過時，輸出功率MOS被導(dǎo)通。此時此刻最終可能會出現(xiàn)兩種情況

（a） 過載仍然存在，然后輸出功率MOS再次被驅(qū)動線性模式（限制ISC的輸出電流）為另一噸，開始新的循環(huán)，或

（b） 過載消除過載條件，輸出功率MOS為no在線性模式下行駛更長時間。所有這些情況都出現(xiàn)在DIAG2上銷（見圖2）。我們稱這種獨特的特性為非耗散性短路保護，它確保了即使在永久過載條件下也能安全運行。注意，選擇適當(dāng)?shù)臅r間間隔值（即Cdon電容器的值）延遲（Ton本身）將防止在DIAG2上顯示誤導(dǎo)性短路信息驅(qū)動電容性負載時的輸出（在一開始就表現(xiàn)為短路）或者白熾燈（冷燈絲的電阻值很低）。非耗散可以禁用短路保護（保持Ton=0，但輸出電流仍然保持不變僅限于Isc，且診斷功能已禁用）只是對ON DELAY引腳短路接地。

診斷邏輯

設(shè)備的操作條件將被永久監(jiān)控，并且事件通過DIAG1/DIAG2漏極開路輸出引腳發(fā)出信號請參閱診斷真相表。

對地短路。

短路VS。

欠壓（UV）

超溫（OVT）

開路負載，如果輸出電流小于3mA（典型值）。

感應(yīng)負載的消磁

內(nèi)部齊納二極管，將功率MOS的電壓限制在50到60V之間（Vcl），無需外部夾緊，可安全快速地消磁設(shè)備。可從感性負載中吸收的最大能量規(guī)定為200mJ（TJ=85°C時）

1.冷燈絲或電容性負載可激活I(lǐng)PS的限流電路，當(dāng)IPS最初是打開的。

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