電流模式控制PWM
開關(guān)頻率高達(dá)1MHz
啟動電流低(<120μA)
恒定輸出功率與開關(guān)頻率
適合大電流輸出驅(qū)動
功率MOSFET(1A)
帶雙脈沖抑制的全鎖存PWM邏輯
可編程占空比
100%和50%最大占空比限制
可編程軟啟動
一次過電流故障檢測及重新啟動延時(shí)
帶遲滯的PWM UVLO
輸入/輸出同步
鎖定禁用
電流感應(yīng)內(nèi)部100ns前沿空白
包裝:DIP16和SO16N
說明
這個(gè)主控制器是在BCD60II中開發(fā)的技術(shù),已經(jīng)被設(shè)計(jì)成使用固定頻率電流模式控制。基于標(biāo)準(zhǔn)電流模式PWM控制裝置,該裝置具有如下特點(diǎn)可編程軟啟動,輸入/輸出同步,禁用(用于過壓保護(hù)和用于電源管理),精確最大負(fù)載循環(huán)控制,100ns前沿消隱開啟電流檢測、逐脈沖電流限制、過電流保護(hù)、軟啟動干預(yù)和控制產(chǎn)量的“恒功率”函數(shù)多同步監(jiān)視器開關(guān)電源。
電氣特性(VCC=15V;Tj=0至105°C;RT=13.3kΩ;CT=1nF除非另有規(guī)定。)

電氣特性(續(xù))




恒功率函數(shù)
逐脈沖電流限制防止峰值
一次電流超過給定水平。這反過來又限制了輸出的最大功率,換句話說,就是功率轉(zhuǎn)換器的性能。但是能力,取決于開關(guān)頻率:例如一個(gè)不連續(xù)的電流模式反激它們只是比例。在光柵掃描CRT的SMPS中顯示開關(guān)頻率通常與顯示器的光柵線掃描信號,以提高抗擾度。越來越多的時(shí)候,CRT顯示器需要在不同視頻頻率的范圍(例如從31kHz至64 kHz),因此開關(guān)頻率也是如此SMP的數(shù)量將在該范圍內(nèi)變化。在某些故障的情況下,功率吞吐量可能過度而不必絆倒脈沖電流限制電路高工作頻率。為了安全起見,這樣做是可取的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換器的功率級(功率MOSFET、變壓器、捕捉二極管),以便能夠承受最大功率吞吐量在故障條件下。然而,這是一個(gè)規(guī)模和成本的不可忽視的增長。克服這個(gè)“恒定”的功能。設(shè)備通過脈沖電流限制電路改變其脈沖閾值,以保持反激變換器的功率容量盡管開關(guān)頻率發(fā)生了變化。這是通過鉗制誤差放大器(VCOMP)的值,該值隨輸入引腳的信號頻率而減小1(同步)建立。所需的頻率電壓轉(zhuǎn)換通過用峰值保持電路檢測(同步)振蕩器的峰值電壓來實(shí)現(xiàn)此功能。只需要一個(gè)外部電容器。重要的是要指出形狀,振幅同步脈沖的持續(xù)時(shí)間為與此技巧無關(guān)。
申請信息
詳細(xì)引腳功能說明
針腳1。同步(輸入/輸出同步)。此功能允許IC振蕩器同步同步(或其他控制器)外部頻率(從)。作為主脈沖,引腳在振蕩器的下降沿傳遞正脈沖(見引腳2)。在從屬操作電路邊緣觸發(fā)。參考如圖21所示。當(dāng)幾個(gè)IC并行工作沒有主從指定需要,因?yàn)樽羁斓囊粋€(gè)自動成為主控。在振蕩器的斜坡上升過程中,引腳由600μa內(nèi)部漏電流發(fā)生器拉低。在下降邊緣,當(dāng)脈沖釋放,600μA下拉開關(guān)斷開。針變成了一個(gè)發(fā)電機(jī)電源容量通常為7毫安(帶電壓仍然高于3.5V)。在圖20中,給出了同步L5993的一些實(shí)際示例。針腳2。RCT(振蕩器)。電阻(RT)和電容器(CT),如圖21所示連接,設(shè)置振蕩器的工作頻率fosc。CT通過RT充電,直到其電壓達(dá)到3V,然后迅速內(nèi)部放電。作為電壓降到1V開始充電再一次。頻率可借助于圖13圖表或考慮近似值關(guān)系:

它與:Td≅30⋅10-9+KT⋅CT(3)Td也是同步脈沖的持續(xù)時(shí)間


在針腳1處,并定義占空比范圍Dx(Dx定義見針腳15和計(jì)算)。但是,如果V15連接到VREF,則系統(tǒng)的開關(guān)頻率為一半fosc公司。如果IC要與外部振蕩器同步,則應(yīng)為fosc選擇RT和CT在任何情況下都低于主頻(通常為10-20%),取決于公差RT和CT。
針腳3。DC(占空比控制)。偏袒這個(gè)針腳電壓在1到3 V之間是可能的將最大占空比設(shè)置在0和上限D(zhuǎn)x(見針腳15)。如果Dmax是所需的最大占空比,則施加在針腳3上的電壓V3為:V3=5-2(2-Dmax)(4)Dmax通過V3和振蕩器斜坡之間的內(nèi)部比較確定(見圖22),因此,如果設(shè)備與外部頻率fext同步(因此振蕩器振幅減小),(4)變?yōu)椋?/p>

低于1V的電壓將抑制驅(qū)動器輸出舞臺。這可用于非鎖定設(shè)備禁用,例如在過電壓保護(hù)的情況下(見應(yīng)用理念)。如果不需要限制最大占空比(即DMAX=DX),則銷必須保持浮動。內(nèi)部上拉(見圖22)可使電壓保持在3V以上。如果插腳拾取噪聲(例如。在ESD測試期間),它可以連接到VREF通過4.7kΩ電阻器。針腳4。VREF(參考電壓)。設(shè)備是提供精確的電壓基準(zhǔn)(5V±1.5%)能夠向外部傳輸一些毫安電路。小型薄膜電容器(0.1μF典型值),連接在該引腳和SGND之間,建議確保發(fā)電機(jī)的穩(wěn)定性并防止影響參考的噪聲。在設(shè)備開啟之前,這個(gè)引腳有一個(gè)漏電流容量為0.5mA。

針腳5。VFB(誤差放大器反向輸入)。這個(gè)反饋信號應(yīng)用于該引腳,并與E/A內(nèi)部參考(2.5V)比較。這個(gè)E/A輸出產(chǎn)生控制電壓
修正占空比。E/A采用高增益帶寬產(chǎn)品,這樣可以拓寬整體控制回路,高轉(zhuǎn)換率和電流可容性,改善其大信號特性。通常,穩(wěn)定整個(gè)控制回路的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)連接在該引腳和COMP(引腳6)之間。
針腳6。COMP(誤差放大器輸出)。通常,此引腳用于頻率補(bǔ)償和相關(guān)網(wǎng)絡(luò)連接在這兩者之間
引腳和VFB(引腳5)。自L5993以來,補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)不可能接地E/A是電壓模式放大器(低輸出阻抗)。關(guān)于補(bǔ)償技術(shù)的一些測試,請參見應(yīng)用思路。
針腳7。SS(軟啟動)。在設(shè)備啟動時(shí),連接在該引腳和SGND(引腳12)由內(nèi)部電流充電發(fā)電機(jī)在這期間,大約7伏斜坡,E/A輸出被電壓鉗制通過Css本身,允許線性上升,從零開始,直到控制回路給出的穩(wěn)態(tài)值。E/A夾緊期間的最長間隔時(shí)間,參考軟啟動時(shí)間約為:
式中,Rsense是電流感應(yīng)電阻器(參見針腳13) IQpk是開關(guān)峰值電流(流動通過Rsense),這取決于輸出裝載。通常,對于TSS,CSS的選擇通常是毫秒級。

如前所述,軟啟動介入也可用于嚴(yán)重過載或短路接通輸出。參照圖23,逐個(gè)脈沖電流限制在某種程度上是有效的只要可以減少電源開關(guān)的接通時(shí)間(從A到B)。最短接通時(shí)間后達(dá)到(從B開始)電流用完控制。為了防止這種風(fēng)險(xiǎn),比較器觸發(fā)過電流處理程序,稱為“hiccup”模式當(dāng)電壓高于1.2V(C點(diǎn))時(shí)檢測到電流檢測輸入(ISEN,針腳13)。基本上,IC關(guān)閉,然后軟啟動只要檢測到故障狀態(tài)。結(jié)果,操作點(diǎn)突然移到D,創(chuàng)建折疊效果。圖24示出了操作。出現(xiàn)在軟件上的振蕩頻率

永久性故障時(shí)啟動電容器,參考至為“打嗝”期,近似由以下公式得出:
由于系統(tǒng)會嘗試重新啟動每個(gè)故障周期,因此不存在任何閂鎖風(fēng)險(xiǎn)。“打嗝”使系統(tǒng)處于控制狀態(tài),以防短路,但不能消除脈沖限制(從A到C)期間功率元件的應(yīng)力過大。如果能更好地控制過載,則需要其他外部保護(hù)電路必修的。
針腳8。VCC(控制器電源)。這個(gè)針提供集成電路的信號部分。設(shè)備啟用為VCC電壓超過啟動閾值和只要電壓高于UVLO就可以工作門檻。否則,設(shè)備將關(guān)閉并電流消耗極低(<150μA)。這對于減少啟動電路的消耗(在模擬情況下,只有一個(gè)電阻器),它是對功率損耗最重要的貢獻(xiàn)當(dāng)轉(zhuǎn)換器輕載時(shí)。內(nèi)部齊納器將VCC上的電壓限制為25V。如果超過此限值,IC電流消耗將顯著增加。這個(gè)引腳和SGND之間的一個(gè)小的薄膜電容器(針腳12)盡可能靠近IC建議過濾高頻噪聲。
針腳9。VC(功率級供電)。It供應(yīng)外部開關(guān)的驅(qū)動器,因此ab吸收脈沖電流。因此,建議放置一個(gè)緩沖電容器(朝向PGND,針腳11,盡可能靠近IC)能夠維持為了避免這些電流脈沖引起騷動。這個(gè)引腳可以連接到緩沖電容器直接或通過電阻器,如圖25所示,分別控制開關(guān)MOS開關(guān)的外部速度。導(dǎo)通時(shí),柵極電阻為Rg+Rg’,At關(guān)閉僅限于Rg。
針腳10。輸出(驅(qū)動器輸出)。該引腳是外部電源驅(qū)動級的輸出開關(guān)。通常,這將是一個(gè)功率mos,al ,盡管驅(qū)動器的功率足夠驅(qū)動BJT(1.6A源,2A匯,峰值)。驅(qū)動器由圖騰桿和高側(cè)NPN達(dá)林頓和低側(cè)VDMOS組成,因此不需要外部二極管鉗位防止電壓低于地面。內(nèi)部鉗位限制了傳輸?shù)綎艠O電壓為13V。因此可以提供具有更高電壓的驅(qū)動器(引腳9),無任何風(fēng)險(xiǎn)外部MOS柵氧化層的損傷。鉗位不會導(dǎo)致芯片內(nèi)部的功耗增加,因?yàn)殚T電荷的電流峰值出現(xiàn)在柵極電壓是幾伏,而鉗位不是積極的。而且,當(dāng)閘極電壓為13V,穩(wěn)態(tài)。

在圖26)中,為了確保外部MOS不能打開acciden tally。這種電路的特點(diǎn)是能夠保持相同的接收器容量(通常為20mA@1V)從VCC=0V到啟動閾值。當(dāng)超過閾值時(shí),L5993開始工作,VREFOK被拉高(參考圖。26)電路失效。然后可以省略“放氣”電阻器(連接在門和源之間(MOS)通常用來防止不受歡迎的外部MOS的接通是因?yàn)橐恍┬孤╇娏鳌?/p>
針腳11。PGND(電源接地)。電流回路在排出外部閘門的過程中MOS通過這個(gè)引腳閉合。這個(gè)循環(huán)應(yīng)該盡可能短,以減少電磁干擾和運(yùn)行與信號電流回路分開。

針腳12。SGND(信號接地)。這個(gè)接地是指集成電路的控制電路,因此所有相關(guān)外部部件的接地連接要控制功能,必須引出這個(gè)引腳。鋪設(shè)中在PCB外,必須注意防止從流經(jīng)SGND路徑。
針腳13。ISEN(當(dāng)前感覺)。這個(gè)別針連接到電流感應(yīng)的“熱”引線上電阻Rsense(另一個(gè)接地),至得到一個(gè)電壓斜坡,它是開關(guān)電流(IQ)的圖像。當(dāng)電壓相等時(shí):
開關(guān)的導(dǎo)電終止。

為了提高抗擾度,一個(gè)“領(lǐng)先優(yōu)勢大約100ns的“消隱”在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)為如圖27所示。因此,平滑這個(gè)引腳和Rsense之間的RC濾波器可以重新移動,或者至少可以大大減少。針腳14。DIS(設(shè)備禁用)。當(dāng)電壓當(dāng)針腳14上升到2.5V以上時(shí),IC關(guān)閉需要拉VCC(IC電源電壓,引腳8)低于UVLO閾值,以允許設(shè)備重新啟動。引腳可由外部邏輯信號驅(qū)動在電源管理的情況下,如圖。28也可以實(shí)現(xiàn)過電壓保護(hù),如“應(yīng)用”一節(jié)所示如果使用的話,用一個(gè)濾波器電容器將這個(gè)引腳接地,以避免由于噪音尖峰。如果沒有,則必須連接到中士。針腳15。DC-LIM(最大占空比限制)。這個(gè)占空比范圍的上限D(zhuǎn)x取決于施加在該引腳上的電壓。差不多,

如果DC-LIM接地或保持浮動。相反,將DC-LIM連接至VREF(半占空比操作),Dx將設(shè)置為:

開關(guān)頻率將減半
對于振蕩器,因?yàn)閮?nèi)部T觸發(fā)器(參見方框圖,圖1)被激活。圖29示出了操作。半占空比選項(xiàng)加速定時(shí)電容器CT的放電(為了占空比盡可能接近50%),因此振蕩器頻率-相同的RT和CT-將略高。頻率減半可以用來減少在所有那些必須符合有關(guān)能源消耗的要求(如顯示器,見“應(yīng)用想法”)。

針腳16。C-功率(恒功率函數(shù))。連接在這個(gè)引腳之間的外部電容器SGND完成峰值保持電路檢測同步os cillator的峰值電壓。電路得到一個(gè)直流電壓(隨著同步頻率的增加引腳1(同步)上升)用于鉗制誤差放大器輸出(VCOMP),如圖30的詳細(xì)內(nèi)部示意圖所示。這樣,逐脈沖設(shè)定點(diǎn)被移動頻率上升時(shí)向下(反之亦然)由于47kΩ的放電電阻,頻率降低,因此,負(fù)載的最大功率保持不變。外部電容器必須足夠大在引腳上得到一個(gè)真正的直流電壓。考慮到內(nèi)部47kΩ電阻器的最小擴(kuò)展電容值(CCP)需要小于疊加在直流電壓上的1%紋波為:
式中,ƒmin(Hz)是最小同步頻率。
不使用此功能時(shí),針腳16必須直接連接到針腳4。考慮到變壓器,電路通常在沒有任何調(diào)整。不管怎樣改變開關(guān)頻率和/或電源電壓的最大功率限制可以通過修改以下一項(xiàng)或多項(xiàng)來最小化
參數(shù):
-初級電感;
-變壓器匝數(shù)比;
-振蕩器自由運(yùn)行頻率;
-感應(yīng)電阻器。
需要一個(gè)試驗(yàn)過程,包括更容易修改的參數(shù)。事實(shí)上,對于特定的上述參數(shù)與de的組合取決于電源電壓范圍和同步頻率范圍。
可通過以下方式實(shí)現(xiàn)額外的“微調(diào)”在電流感應(yīng)引腳(13,ISEN)。對于廣泛的電源應(yīng)用來說,這是無論如何建議補(bǔ)償電流檢測路徑的傳播路徑(PWM比較器+閂鎖+驅(qū)動器),電路如圖41“應(yīng)用理念”部分所示。
布局提示
一般來說,正確的電路板布局是對正確操作至關(guān)重要,但并非易事。小心放置組件,正確布線,適當(dāng)?shù)嫩E線寬度,如果高電壓,符合隔離距離主要問題。L5993通過將兩個(gè)引腳用于單獨(dú)的電流偏壓(SGND)和開關(guān)驅(qū)動電流的返回(PGND)這件事很復(fù)雜,這里只會提醒幾個(gè)重要的問題。
(1) 返回所有電源信號
(接地、屏蔽等)應(yīng)單獨(dú)布線,且應(yīng)僅在單個(gè)接地點(diǎn)。
(2) 噪聲耦合可以通過最小化電流環(huán)所限定的區(qū)域。這個(gè)特別適用于高脈沖回路水流。
(3) 對于高電流路徑,應(yīng)在PCB的另一側(cè)可能:這將降低兩個(gè)阻力以及線路的感應(yīng)。
(4) 磁場輻射(和雜散電感)可以通過保留所有痕跡來減少開關(guān)電流盡可能短。
(5) 一般來說,攜帶信號電流的軌跡應(yīng)遠(yuǎn)離攜帶脈沖電流或電壓快速擺動的痕跡。從這種觀點(diǎn),應(yīng)該特別小心高阻抗點(diǎn)(電流感應(yīng)輸入、反饋輸入等)。可能是個(gè)好主意在PCB一側(cè)和另一邊有電源痕跡。
(6) 對一些重要的電路的點(diǎn),例如參考電壓,IC的電源引腳等。
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