欧美日本亚洲一区二区-亚洲中文字幕第八页在线看-男女猛烈国产无遮挡免费网站-国模小黎精品超大尺度-国产一区二区三区精彩视频-日本最新一区二区三区免费-师道之不传也久矣之的意思-亚洲精品中文字幕一二-蜜臀免费在线观看视频

您現(xiàn)在所在位置: 主頁 > 新聞中心 > 元器件百科

LTC1436A LTC1436A-PLL/LTC1437A 高效低噪聲 同步降壓 開關(guān)調(diào)節(jié)器(一)

發(fā)布日期:2024-02-21 09:35 瀏覽次數(shù):

特征

在低輸出電流下保持恒定頻率

雙N溝道MOSFET同步驅(qū)動

可編程固定頻率(PLL可鎖定)

寬VIN范圍:3.5V至36V操作

低最低接通時間(≤300ns)高頻率、低占空比應(yīng)用

極低壓降運行:99%占空比

低壓差,0.5A線性調(diào)節(jié)器,用于CPU I/O或低噪音音頻設(shè)備

內(nèi)置上電復位定時器

可編程軟啟動

低電量探測器

遠程輸出電壓檢測

可折疊限流(可選)

引腳可選輸出電壓

邏輯控制微功率關(guān)機:IQ<25μA輸出電壓從1.19V到9V

提供24引線窄SSOP和28引線SSOP包

應(yīng)用軟件U

筆記本和掌上電腦、PDA

移動電話和無線調(diào)制解調(diào)器

便攜式儀器

電池供電設(shè)備

直流配電系統(tǒng)

說明

LTC®1436A/LTC1437A為同步降壓驅(qū)動外部的開關(guān)調(diào)節(jié)器控制器固定相位鎖定N溝道功率mosfet頻率架構(gòu)。自適應(yīng)PowerTM輸出級在頻率上選擇性地驅(qū)動兩個N溝道m(xù)osfet高達400kHz,同時降低開關(guān)損耗高效率,低輸出電流。使用外部PNP的0.5A輔助線性調(diào)節(jié)器pass器件提供低噪聲、低電壓差來源。二次繞組反饋控制引腳(SFB)無論主負載如何,都能保證調(diào)節(jié)通過強制連續(xù)操作輸出。一個額外的比較器可用作低電池檢測器。包括上電復位定時器(POR)產(chǎn)生延遲65536/fCLK(300ms)的信號通常)當輸出在規(guī)定值的5%以內(nèi)時輸出電壓。內(nèi)部電阻分壓器提供引腳可選擇的輸出電壓具有遠程感應(yīng)能力。用戶可通過外部電流檢測電阻器。寬輸入電源范圍允許在3.5V至30V(最大36V)范圍內(nèi)工作。

絕對最大額定值

輸入電源電壓(VIN)36V至–0.3V

上部模塊驅(qū)動器電源電壓(升壓)42V至–0.3V

開關(guān)電壓(SW)VIN+5V至–5V

EXTVCC電壓 10伏至-0.3伏

POR,LBO電壓 12V至–0.3V

AUXFB電壓20V至–0.3V

AUXDR電壓28V至-0.3V

感測+,感測-,感測電壓 INTVCC+0.3V至-0.3V

VPROG電壓 INTVCC至–0.3V

PLL LPF,ITH電壓 2.7V至–0.3V

奧克森,普林,SFB,運行/SS,LBI電壓 10V至–0.3V

峰值驅(qū)動器輸出電流<10μs(TGL,BG)2A

峰值驅(qū)動器輸出電流<10μs(TGS)250毫安

INTVCC輸出電流 50毫安

工作溫度范圍

LTC143XAC 0°C至70°C

LTC143XAI–40°C至85°C

結(jié)溫(注1)125攝氏度

儲存溫度范圍–65°C至150°C

鉛溫度(焊接,10秒)300攝氏度

電氣特性TA=25°C,VIN=15V,VRUN/SS=5V,除非另有說明

電氣特性TA=25°C,VIN=15V,VRUN/SS=5V,除非另有說明。

表示適用于整個操作的規(guī)范溫度范圍。

LTC1436Acgn-ic/" title="LTC1436ACGN">LTC1436ACGN/LTC1436Acgn-ic/" title="LTC1436ACGN">LTC1436ACGN-PLL/LTC1437ACG:0°C≤TA≤70°C

LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN/LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN-pll-ic/" title="LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN-PLL">LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN-PLL/LTC1437AIG:-40°C≤TA≤85°C

注1:TJ根據(jù)環(huán)境溫度TA和功率計算

耗散PD根據(jù)以下公式:

LTC1436Acgn-ic/" title="LTC1436ACGN">LTC1436ACGN/LTC1436Acgn-ic/" title="LTC1436ACGN">LTC1436ACGN-PLL/LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN/

LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN-pll-ic/" title="LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN-PLL">LTC1436Aign-ic/" title="LTC1436AIGN">LTC1436AIGN-PLL:TJ=TA+(PD)(110°C/W)

LTC1437ACG/LTC1437AIG:TJ=TA+(PD)(95°C/W)

注2:LTC1436A/LTC1437A在反饋回路中測試

伺服VOSENSE到誤差放大器的平衡點(維生素=1.19V)。

注3:由于柵極電荷以開關(guān)頻率傳送。查看應(yīng)用程序信息第1節(jié)。

注4:通過測量COSC電荷和放電電流和應(yīng)用公式:

注5:輔助調(diào)節(jié)器在伺服回路中進行試驗到誤差放大器的平衡點。對于具有

VAUXDR>9.5V,VAUXFB使用內(nèi)部電阻分壓器。看到了嗎應(yīng)用程序信息。

注6:最小接通時間試驗條件對應(yīng)于一個電感器峰間紋波電流≥IMAX的40%(見最小接通時間應(yīng)用信息部分的注意事項)

典型性能特征

引腳功能

VIN:主電源引腳。必須與IC的信號接地引腳。

INTVCC:內(nèi)部5V調(diào)節(jié)器和EXTVCC的輸出開關(guān)。驅(qū)動器和控制電路由這個電壓。必須與電源接地緊密解耦含至少2.2μF鉭或電解電容器。底部MOSFET驅(qū)動電源電壓。

EXTVCC:連接到INTVCC的內(nèi)部開關(guān)的輸入。此開關(guān)關(guān)閉并在任何時候提供VCC電源EXTVCC高于4.7V。請參閱中的EXTVCC連接應(yīng)用程序信息部分。開啟時不要超過10伏這個別針。如果VOUT≥5V,則連接至VOUT。

增壓:向上部模塊浮動驅(qū)動器供電。引導程序電容器返回到這個引腳。此針腳處的電壓擺動從INTVCC到VIN+INTVCC。開關(guān)節(jié)點連接到電感器。電壓擺幅在這個引腳是來自肖特基二極管(外部)的電壓降地下到車輛識別號。小信號接地。必須單獨布線從其他接地到COUT的(–)終端。

PGND:驅(qū)動器電源接地。連接到源底部N溝道MOSFET和CIN的(–)端。

SENSE–:電流比較器的(–)輸入。

SENSE+:電流比較器的(+)輸入。在SENSE和SENSE+管腳之間的內(nèi)置偏移使用RSENSE設(shè)置當前跳閘閾值。

VOSENSE:接收遙感反饋電壓從輸出或外部電阻分壓器整個輸出。VPROG引腳決定哪一點VOSENSE必須連接到。

VPROG:這個電壓選擇輸出電壓。對于VPROG<VINTVCC/3使用VOSENSE將輸出設(shè)置為3.3V連接到輸出端。當VPROG>VINTVCC/1.5時當VOSENSE連接到輸出時,輸出設(shè)置為5V。保持VPROG打開(DC)允許輸出電壓通過連接到VOSENSE的外部電阻分壓器進行設(shè)置。COSC:從這個引腳到接地裝置的外部電容器工作頻率。

ITH:誤差放大器補償點。電流比較器閾值隨控制電壓的增大而增大。此引腳的標稱電壓范圍為0伏至2.5伏。

RUN/SS:軟啟動和運行控制的結(jié)合輸入。電容器在這個引腳接地設(shè)置斜坡時間至全電流輸出。時間約為0.5s/μF。

強制此引腳低于1.3V會導致設(shè)備關(guān)閉趴下。停機時,所有功能均被禁用。

TGL主通道:高電流門MOSFET。這是帶有電壓擺幅等于疊加在開關(guān)節(jié)點電壓開關(guān)。

TGS:用于小型頂部N溝道的大電流門驅(qū)動器MOSFET。這是帶有等于疊加電壓的擺幅開關(guān)節(jié)點電壓開關(guān)。使TGS保持打開狀態(tài)將調(diào)用突發(fā)低負載電流下的模式操作。

BG:底部N通道的大電流門驅(qū)動器MOSFET。此針腳處的電壓擺動是從接地到INTVCC(DRVCC)。

SFB:二次繞組反饋輸入。正常情況下從連接到反饋電阻分壓器二次繞組。

此引腳應(yīng)連接至:接地強制連續(xù)操作;INTVCC應(yīng)用于不要使用二次繞組;以及應(yīng)用中使用二次繞組的輸出。

POR:N通道下拉的開漏輸出。這個當輸出電壓為調(diào)整和釋放65536個振蕩器周期后輸出電壓升至其規(guī)定值的-5%。這個當Run/SS為低獨立性時斷言POR輸出對你來說。

LBO:N通道下拉的開漏輸出。這個當LBI引腳低于1.19V時,引腳將吸收電流。

LBI:低電池電壓比較器的(+)輸入。(–)輸入連接到1.19V參考電壓。

PLLIN:相位檢測器的外部同步輸入。該引腳以50kΩ在內(nèi)部端接至SGND。領(lǐng)帶在不使用鎖相環(huán)。

鎖相環(huán)LPF:鑒相器輸出和控制輸入振蕩器。通常串聯(lián)RC低通濾波器網(wǎng)絡(luò)是從這個引腳接地。把這個別針系在SGND上不使用鎖相環(huán)的應(yīng)用。可以由0V至2.4V邏輯信號驅(qū)動,進行頻率變換選項。

AUXFB:輔助調(diào)節(jié)器的反饋輸入/比較器。當用作線性調(diào)節(jié)器時,此輸入可以連接到外部電阻分壓器或直接連接到外部PNP傳遞設(shè)備的收集器12V操作。當用作比較器時,它是反向輸入的比較器的非可逆輸入連接到內(nèi)部1.19V參考電壓。見輔助應(yīng)用信息部分的調(diào)節(jié)器/比較器。

奧克森:把這個大頭針拉高打開輔助調(diào)節(jié)器/比較器。閾值為1.19V。

AUXDR:輔助調(diào)節(jié)器的開漏輸出/比較器。外部PNP設(shè)備的基礎(chǔ)是連接到這個引腳上用作線性調(diào)節(jié)器。安外部上拉電阻器需要用作比較器。AUXDR上大于9.5V的電壓導致內(nèi)部12V電阻分壓器連接至AUXFB。

操作(參考功能圖)

主控制回路

LTC1436A/LTC1437A采用恒定頻率、電流模式降壓架構(gòu)。在正常操作期間,當振蕩器設(shè)置RS鎖存器,當主電流比較器I1重置RS鎖存器。山頂I1復位RS鎖存器的電感電流由第i個引腳上的電壓控制,這是錯誤的輸出放大器EA。VPRGM和VOSENSE引腳,如引腳中所述功能,允許EA接收輸出反饋電壓來自內(nèi)部或外部電阻分壓器的VFB。負載電流增加,會導致相對于1.19V參考電壓的VFB,這反過來導致第i個電壓增加,直到平均電感器電流匹配新的負載電流。當頂部MOSFET關(guān)閉時,底部MOSFET被打開,直到其中一個電感器電流開始反轉(zhuǎn),如電流比較器I2所示,或下一個周期的開始。頂部的MOSFET驅(qū)動器來自浮動啟動帶電容器CB,通常在每個關(guān)閉周期。但是,當車輛識別號(VIN)降至電壓時接近VOUT時,循環(huán)可能進入dropout并嘗試持續(xù)打開頂部MOSFET。衰減檢測器計算振蕩周期數(shù)MOSFET保持開啟,并周期性地強制關(guān)閉允許CB充電的時間。通過拉動RUN/SS引腳關(guān)閉主控制回路低。釋放RUN/SS允許內(nèi)部3μA電流電源充電軟啟動電容器CSS。當CSS達到1.3V,主控制回路通過ITH啟用箝位電壓約為其最大值的30%價值觀。隨著CSS繼續(xù)充電,ITH逐漸重新出租,允許恢復正常操作。比較器OV防止瞬態(tài)超調(diào)>7.5%關(guān)閉頂部MOSFET并保持關(guān)閉直到故障排除。

低電流運行

自適應(yīng)電源模式允許LTC1436A/LTC1437A在兩個輸出級之間自動切換不同的負載電流。TGL和BG引腳驅(qū)動大高功率同步N溝道m(xù)osfet電流,而TGS引腳驅(qū)動的電流要小得多與肖特基結(jié)合使用的N溝道MOSFET低電流運行二極管。這允許循環(huán)繼續(xù)以正常頻率作為負載運行電流減小而不會產(chǎn)生大的MOSFET門電荷損耗。如果TGS引腳保持打開,則環(huán)路默認為突發(fā)模式操作,其中MOSFET根據(jù)負載需求間歇運行。自適應(yīng)電源模式提供恒定頻率操作,降低至額定負載電流的約1%。這個導致負載電流降低一個數(shù)量級在突發(fā)模式操作開始之前。沒有小型MOSFET(即:無自適應(yīng)功率模式),過渡到突發(fā)模式操作約為額定負載電流。當com  parator I2檢測到電流反轉(zhuǎn)并關(guān)閉底部MOSFET。如果RSENSE上的電壓超過I2(約20mV)的滯后完整循環(huán),然后在接下來的循環(huán)中,頂部驅(qū)動器被路由到TGS引腳和BG引腳處的小型MOSFET被禁用。這個持續(xù)到電感器電流峰值超過20mV/RSENSE或第i個電壓超過0.6V使驅(qū)動器在下一個循環(huán)中返回到TGL引腳。即使負載電流另有規(guī)定,兩種情況也會強制持續(xù)同步運行低電流運行。一是當共模SENSE+和SENSE–引腳的電壓低于1.4V,并且另一種是當SFB引腳低于1.19V時條件用于輔助二次繞組調(diào)節(jié)如應(yīng)用程序信息部分所述。

頻率同步

鎖相環(huán)(PLL)可在LTC1436A-PLL和LTC1437A允許振蕩器已同步到連接到的外部源PLLIN引腳。鎖相環(huán)低通濾波器相位檢測器的輸出引腳也是振蕩器的控制輸入在0V至2.4V范圍內(nèi)工作,對應(yīng)-30%頻率為30%。鎖定時,鎖相環(huán)將頂部MOSFET的導通與同步信號的上升沿對齊。當PLLIN保持打開或恒定直流時電壓,PLL LPF變低,迫使振蕩器到最小頻率。

操作(參考功能圖)

上電復位

POR引腳是開路漏極輸出,當主調(diào)節(jié)器輸出電壓超出調(diào)節(jié)范圍。當輸出電壓上升到調(diào)節(jié)的7.5%以內(nèi)時,定時器啟動,在216后釋放POR(65536)振蕩器周期。停堆時,POR輸出為拉低了。

輔助線性調(diào)節(jié)器

LTC1436A/LTC1437A中的輔助線性調(diào)節(jié)器控制一個外部PNP晶體管500毫安。一個12V的內(nèi)部AUXFB電阻分壓器當AUXDR引腳高于9.5V至使12V VPP電源易于實現(xiàn)。AUXDR低于8.5V外部反饋分配器可能用于設(shè)置其他輸出電壓。拿著奧克森針低關(guān)閉輔助調(diào)節(jié)器,提供一個轉(zhuǎn)換邏輯控制電源。AUX塊可用作比較器反向輸入連接到內(nèi)部1.19V參考。這個AUXDR引腳用作輸出,需要外部向上拉至低于8.5V的電源,以抑制調(diào)用內(nèi)部電阻分壓器。INTVCC/DRVCC/EXTVCC電源頂部和底部MOSFET驅(qū)動器和most的電源其他LTC1436A/LTC1437A電路的INTVCC引腳。底部MOSFET驅(qū)動器為DRVCC供電引腳內(nèi)部連接到LTC1436A中的INTVCC外部連接到LTC1437A中的INTVCC。何時EXTVCC引腳保持開路,內(nèi)部5V低壓差調(diào)節(jié)器為INTVCC供電。如果上面有EXTVCC4.8V,5V調(diào)節(jié)器關(guān)閉,內(nèi)部開關(guān)打開以將EXTVCC連接到INTVCC。這使得INTVCC電源來自高效外部源,如調(diào)節(jié)器本身的輸出或二次繞組,如應(yīng)用信息部分所述。

應(yīng)用程序信息

LTC1436A的基本應(yīng)用電路如圖所示1、高效降壓轉(zhuǎn)換器。外部組件選擇由負載要求驅(qū)動,以及從RSENSE的選擇開始。一旦RSENSE知道,COSC和我可以選擇。下一步,力量選擇MOSFETs和D1。最后,CIN和COUT挑選出來的。可以配置圖1所示的電路對于高達28V輸入電壓的操作(受外部MOSFET)。輸出電流的RSENSE選擇根據(jù)所需的輸出電流選擇RSENSE。LTC1436A/LTC1437A電流比較器的最大閾值為150mV/RSENSE,輸入公共線SGND到INTVCC的模式范圍。電流比較器閾值設(shè)置電感器電流的峰值,產(chǎn)生最大平均輸出電流IMAX等于峰值值減去峰間紋波電流∆IL的一半。允許LTC1436A的變化/LTC1437A和外部元件值產(chǎn)生:

LTC1436A/LTC1437A與RSENSE值配合良好≥0.005Ω。工作頻率的COSC選擇LTC1436A/LTC1437A使用恒定頻率

頻率由外部

振蕩器電容器。每次上部的MOSFET打開,COSC上的電壓被重置為接地。在準時,COSC由固定電流加上與輸出成比例的附加電流相位檢測器VPLLLPF(LTC1436A-PLL)的電壓/LTC1437A)。當電容器上的電壓達到1.19V,COSC復位接地。然后重復這個過程。COSC的值是根據(jù)期望的操作計算出來的頻率。假設(shè)振蕩器沒有鎖相環(huán):

圖中給出了選擇COSC與頻率的關(guān)系圖2隨著工作頻率的增加,柵極電荷損耗會更高,降低效率(參見效率考慮)。建議的最大值開關(guān)頻率為400kHz。當使用圖2可同步應(yīng)用,選擇COSC對應(yīng)于低于中心30%的頻率頻率。(參見鎖相環(huán)和頻率同步。)

電感器值計算

工作頻率和感應(yīng)器的選擇是相互關(guān)聯(lián)的,因為更高的工作頻率允許使用電感和電容值較小。那為什么呢有沒有人選擇在較低頻率下工作更大的部件?答案是效率。更高的頻率通常會導致效率降低,因為MOSFET柵電荷損耗。除了這個基本的權(quán)衡,電感值對紋波電流的影響和還必須考慮低電流運行。電感值對紋波電流有直接影響。這個電感紋波電流∆IL隨電感或頻率的增大而減小,隨VIN或VOUT的增大而增大:

接受較大的∆IL值允許使用低電感,但會導致更高的輸出電壓紋波以及更大的核心損失。一個合理的起點整定紋波電流為∆IL=0.4(IMAX)。記住,那個最大∆IL出現(xiàn)在最大輸入電壓下。電感值對低電流也有影響操作。開始向低電流運行過渡當電感器電流達到零而底部MOSFET開啟。較低的電感器值(較高的∆IL)將在較高的負載電流下發(fā)生這種情況在低電流的上限范圍內(nèi)導致效率下降操作。在突發(fā)模式操作中(TGS引腳打開),較低的電感值將導致突發(fā)頻率減少。圖3給出了建議的感應(yīng)值與工作頻率和電壓的范圍

對于低占空比、高頻應(yīng)用所需的最小接通時間,

小于350ns,可能對確保正常工作的電感。有關(guān)更多詳細信息,請參閱最小開機時間注意事項部分。

電感器鐵芯選擇

一旦L的值已知,電感器的類型必須被選中。高效轉(zhuǎn)換器通常不能承擔低成本鐵粉的鐵心損耗磁芯,迫使使用更昂貴的鐵氧體,molypermalloy或Kool Mμ®核心。實際鐵心損耗為獨立于鐵心尺寸的固定電感器值,但它很大程度上取決于所選的電感。作為電感增加,核心損失減少。不幸的是,增加了電感需要更多的線匝,因此銅的損失將會增加。鐵氧體設(shè)計具有非常低的鐵心損耗,并且在高開關(guān)頻率,因此設(shè)計目標可以集中在銅損耗和防止飽和。鐵素體鐵芯材料飽和“硬”,這意味著當峰值設(shè)計電流為超過。這導致電感器突然增加紋波電流和隨之而來的輸出電壓紋波。做不要讓核心飽和!Molypermalloy(來自Magnetics,Inc.)是一種非常好的低但對于環(huán)形線圈來說,比材料損耗更貴鐵氧體。同一制造商的合理折衷方案是Kool Mμ。環(huán)面非常節(jié)省空間,尤其是當你可以使用幾層電線的時候。因為它們通常缺少線軸,所以安裝更多很難。然而,表面貼裝的設(shè)計是可用的不會顯著增加高度。

功率MOSFET和D1選擇

必須選擇三個外部功率mosfet對于LTC1436A/LTC1437A:一對用于頂部(主)開關(guān)的N溝道MOS  FET和一個N溝道MOSFET用于底部(同步)開關(guān)。為了利用自適應(yīng)功率輸出級,兩個必須選擇上部模塊MOSFET。A大(低RSD(開))MOSFET和一個小型(RDS(ON))MOSFET是必修的。采用大型MOSFET作為主開關(guān)與同步開關(guān)配合工作。較小的MOSFET僅在低負載下啟用當前狀況。這提高了中電流效率同時繼續(xù)以恒定頻率工作。同時,通過使用小型MOSFET電路可以保持恒定在循環(huán)之前,頻率運行降低到較低的電流發(fā)生跳轉(zhuǎn)。小型MOSFET推薦的RDS(ON)是約0.5Ω。注意不要使用帶有RDS(ON)太低;記住,我們要保存門電荷。(更高的RDS(ON)MOSFET具有更小的柵極電容,因此需要較少的電流來充電門)。對于成本敏感的應(yīng)用,小型MOSFET可以移除。然后電路將開始突發(fā)模式負載電流下降時的操作。峰間柵極驅(qū)動電平由INTVCC設(shè)置電壓。啟動期間,該電壓通常為5V(參見EXTVCC引腳連接)。因此,邏輯層大多數(shù)LTC1436A必須使用閾值MOSFET/LTC1437A應(yīng)用。唯一的例外是應(yīng)用程序其中EXTVCC由外部電源供電大于8V(必須小于10V),其中哪個標準可使用小于4th的[VGS]。結(jié)清注意MOSFETs as的BVDSS規(guī)范很多邏輯電平的mosfet限制在30V或者更少。功率mosfet的選擇標準包括“ON”電阻RSD(ON),反向轉(zhuǎn)移電容CRS,輸入電壓和最大輸出電流。當LTC1436A/LTC1437A以連續(xù)模式運行頂部和底部mosfet的占空比為:


  安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。(關(guān)于元器件價格請咨詢在線客服黃經(jīng)理:15382911663

  代理分銷品牌有:ADI_亞德諾半導體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導體/HDSC_華大半導體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導體/TD_TECHCODE美國泰德半導體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等


免責聲明:部分圖文來源網(wǎng)絡(luò),文章內(nèi)容僅供參考,不構(gòu)成投資建議,若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。

15382911663