0.5A輸出電流

8至35 V電源電壓范圍

外部可編程電流

限制

非耗散過電流保護

熱關(guān)機

HYS  TERESYS欠壓閉鎖

電壓過低、溫度過高和過高的診斷輸出

當(dāng)前

外部異步復(fù)位輸入

過載診斷的預(yù)設(shè)延遲

開放接地保護

浪涌保護（IEC 805-1）

抗突發(fā)瞬態(tài)（IEC 801-4）

ESD保護（人體模型±2千伏）

說明

這個裝置是單片智能電源驅(qū)動用多功率BCD開關(guān)技術(shù)感應(yīng)、電容或電阻負載。CPU反饋診斷和廣泛使用電氣保護裝置使該裝置具有很強的不可破壞性，適用于一般的工業(yè)應(yīng)用。

電氣特性（Vs=24V；Tj=-25至125°C；除非另有規(guī)定。）直流操作

輸入段

輸入和異步復(fù)位

兼容寬電壓范圍的TTL/CMOS高抗擾度（得益于內(nèi)置的hys  teresis）可供選擇。過熱保護（OVT）一種片上過溫保護在極端情況下對設(shè)備提供了極好的保護條件。當(dāng)芯片中央部分測得的溫度超過Tmax=150 C（典型值）設(shè)備關(guān)閉，診斷輸出變低。當(dāng)芯片溫度（通常在幾秒鐘后）降至以下時，恢復(fù)正常操作Tmax Thys=130攝氏度（典型值）。遲滯避免間歇性行為發(fā)生。

欠壓保護（UV）

電源電壓預(yù)計在8到35 V。在這個范圍內(nèi)，設(shè)備工作正常。低于8 V時，必須認為整個系統(tǒng)不可靠。為了避免任何故障持續(xù)監(jiān)控電源電壓，以提供欠壓保護。當(dāng)Vs下降時，Vsth Vshys較低（通常為7.5 V，見圖1）輸出功率MOS關(guān)閉，DIAG out輸出變低。正常操作恢復(fù)為一旦Vs超過Vsth。遲滯特性可防止低電源下的間歇性運行電壓。

過流運行

為了實施短路保護輸出功率MOS以線性模式驅(qū)動以限制Isc值的輸出電流。這個Isc限制是可通過外部1/4 W進行外部設(shè)置從Rsc引腳和GND連接的電阻器。這個電阻值必須根據(jù)以下公式：Isc（A）=5/Rsc（千歐）具有5<Rsc<30（千歐）為Rsc<5（千歐）Isc限制為Isc=1.1A（典型值）。這種情況（電流限制為Isc值）持續(xù)一噸時間間隔，可以通過電容器（Cdon）連接到ON根據(jù)以下公式延遲引腳：Ton=1.28毫秒/pF對于50pF<Cdon<2nF噸間隔過期后，輸出功率MOS在Toff時間間隔內(nèi)關(guān)閉：Toff=64

當(dāng)Toff時間間隔到期時，輸出功率MOS接通。現(xiàn)在可能會出現(xiàn)兩種情況-過載仍然存在。在這種情況下，輸出功率MOS再次以線性模式驅(qū)動（限制Isc的輸出電流）再增加一噸，開始新的循環(huán)，或-過載條件消除，輸出功率MOS不再線性驅(qū)動模式。所有這些情況都出現(xiàn)在診斷圖上銷（見圖2）。我們稱這種獨特的功能為耗散短路保護，即使在永久性的情況下也能保證非常安全的運行過載情況。請注意，當(dāng)然，請為噸間隔選擇最合適的值（即Cdon電容器的值）延遲將防止在DIAG輸出上出現(xiàn)誤導(dǎo)性的短路信息，當(dāng)驅(qū)動電容性負載時（表現(xiàn)為短路最開始的電路）或白熾燈燈（冷燈絲的電阻很低值）。

無耗散短路保護

禁用（保持Ton=0，但有輸出只需將電流限制在地上。感應(yīng)負載的消磁L6377有一個內(nèi)部箝位齊納二極管能夠消磁感應(yīng)負載。請注意限制來自于包可以處理。必須注意正確的電路板熱設(shè)計。如果，出于什么原因（負載電流或感應(yīng)值也是大）峰值功率損耗太高，外部齊納二極管配置，會形成對地或?qū)Φ叵臯s（見圖5和圖6）。擊穿電壓選擇外部齊納二極管時，必須考慮內(nèi)部箝位電壓（Vcl）和電源電壓（Vs）根據(jù)：Vz<Vcl（最小值）-Vs（最大值）對地消磁或Vs（最大）<Vz<Vcl（最小）退磁Vs

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