特征

100%測試沉降時間340ns典型值

在和節(jié)點處為1mV，10V步進最大540ns

用固定反饋電容器測試

最小轉(zhuǎn)換速率60V/μs

增益帶寬產(chǎn)品14MHz

功率帶寬（20Vp-p）1.2 MHz

單位增益穩(wěn)定；相位裕度60°

輸入偏置電壓最大600μV

輸入偏置電流25°C最大75pA

70°C最大600pA

輸入偏移電流25°C最大40pA

70°C最大150pA

應用程序

快速12位D/A輸出放大器

高速緩沖器

快速采樣保持放大器

高速積分器

電壓-頻率轉(zhuǎn)換器

有源濾波器

對數(shù)放大器

峰值檢波器

說明

LT1122 JFET輸入運算放大器組合高速精密性能。獨特的多晶硅柵JFET工藝使柵極系列最小化電阻和柵漏電容，方便寬帶寬性能，不降低JFET晶體管匹配。它在80V/μs下旋轉(zhuǎn)，在340ns下沉降。LT1122是內(nèi)部補償為統(tǒng)一增益穩(wěn)定，但它有一個帶寬為14MHz，電源電流僅為7mA。它速度使LT1122成為快速沉降的理想選擇12位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和采集系統(tǒng)。LT1122偏置電壓為120μV，電壓增益為500000還支持12位精確應用。輸入偏置電流為10pA，偏置電流為4pA結(jié)合其速度，LT1122可用于例如高速采樣保持放大器、峰值檢測器和積分器等應用。

絕大最值

電源電壓 ±20伏

差分輸入電壓 ±40伏

輸入電壓 ±20伏

輸出短路持續(xù)時間不確定

鉛溫度（焊接，10秒）300攝氏度

工作溫度范圍

LT1122AM/BM/CM/DM –55°C至125°C

LT1122AC/BC/CC/DC/CS/DS –40°C至85°C

儲存溫度范圍

所有設(shè)備 –65°C至150°C

除非另有說明，否則電氣C特性VS=±15V，TA=25°C，VCM=0V。（注1）

除非另有說明，否則電氣C特性VS=±15V，TA=25°C，VCM=0V。

表示適用于整個操作的規(guī)范溫度范圍。

注1：LT1122在自動測試儀中的測量值小于1第二次是在通電之后。取決于使用的包裝，功率散熱、散熱和氣流條件下，完全預熱芯片溫度可比環(huán)境溫度高10°C至50°C。

注2：使用沉降法對A和C級的沉降時間進行100%測試顯示時間測試電路。此測試不包括在質(zhì)量保證中樣品測試。

注3：輸入電壓范圍功能通過測試偏移量來保證輸入電壓范圍內(nèi)的電壓最大限制為4mV（a、B等級），至5.7mV（C、D級）。

注4：通過測量在±5V電源條件下最大為7毫伏。

注5:LT1122未經(jīng)測試，也未經(jīng)質(zhì)量保證抽樣–40°C和85°C。這些規(guī)格由設(shè)計保證，-55°C、0°C、25°C、70°C和/或125°C的相關(guān)性和/或推斷測驗。

電氣特征

VS=±15V，VCM=0V，–40°C≤TA≤85°C，除非另有說明。（注5）

典型性能特征

典型應用

沉降時間測量

穩(wěn)定時間測試電路設(shè)備數(shù)據(jù)表要求：

1.“平頂”脈沖發(fā)生器。不幸的是，平頂脈沖發(fā)生器不是商用的。

2.裝置周圍的可變反饋電容器測試。這個電容器在四比一的范圍內(nèi)變化。大概是因為每一個運算放大器都是用來測量的時間，電容器被微調(diào)以優(yōu)化沉降那個特殊裝置的時間到了。

3.一個小電感器負載優(yōu)化的沉降。試驗中對LT1122的沉降時間進行了100%的測試所示為電路。不需要“平頂”脈沖發(fā)生器。使用市面上可買到的集成電路，可以方便地構(gòu)建測試電路。當然，標準高頻應遵循板材施工技術(shù)。全部LT1122采用恒定反饋電容進行測量。不需要微調(diào)。速度提升/過度補償終端LT1122的引腳8可用于更改輸入級裝置的工作電流。將針腳8短接到正電源（引腳7）增加了轉(zhuǎn)換速率和帶寬減少了大約25%，但代價是階段性的減少邊緣大約18度。單位增益有效負載處理能力從通常的500pF降低到100華氏度。相反，將15k電阻從引腳8連接到接地將1mA從針腳8中拔出（V+=15V）。這個將轉(zhuǎn)換率和帶寬降低25%。相位裕度電容性負載處理能力得到改善；后者是典型的增加到800pF。

高速運行

與大多數(shù)高速放大器一樣，應該小心帶電源去耦、引線和組件安置。LT1122的電源連接必須在帶寬為20兆赫。當驅(qū)動一個重要的電阻或電容負載時，這一點尤其重要，因為所有的電流都會傳遞負載來自電源。多重高建議為每種電容器提供優(yōu)質(zhì)的旁路電容器任何關(guān)鍵應用中的電源線。0.1μF如圖所示，放置陶瓷和1μF電解電容器盡可能靠近放大器（使用短導線電源長度（公共）將確保足夠高頻旁路，在大多數(shù)應用中。

當運算放大器周圍的反饋是電阻（RF）時，a將用射頻、源電阻和電容（RS，CS）和放大器輸入電容（CIN≈4pF）。在低閉環(huán)增益配置和當RS和RF在千歐姆范圍內(nèi)時，這個磁極可以產(chǎn)生過大的相移甚至振蕩。小電容器（CF）與RF并行可消除此問題。與RS（CS+CIN）=RFCF，反饋極點的影響為完全移除。

典型應用

9ppm失真石英穩(wěn)頻振蕩器

　　安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價格請咨詢在線客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導體/HDSC_華大半導體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導體/TD_TECHCODE美國泰德半導體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責聲明：部分圖文來源網(wǎng)絡(luò)，文章內(nèi)容僅供參考，不構(gòu)成投資建議，若內(nèi)容有誤或涉及侵權(quán)可聯(lián)系刪除。