特征

在低輸出電流下保持恒定頻率

雙N溝道MOSFET同步驅(qū)動(dòng)

可編程固定頻率（PLL可鎖定）

寬VIN范圍：3.5V至36V操作

超高效

極低壓降運(yùn)行：99%占空比

低壓差，0.5A線性調(diào)節(jié)器，用于VPP生成或低噪聲音頻供應(yīng)

內(nèi)置上電復(fù)位定時(shí)器

可編程軟啟動(dòng)

低電量探測(cè)器

遠(yuǎn)程輸出電壓檢測(cè)

可折疊限流（可選）

引腳可選輸出電壓

邏輯控制微功率關(guān)機(jī)：IQ<30μA

輸出電壓從1.19V到9V

提供28和36鉛SSOP封裝

應(yīng)用

筆記本和掌上電腦、PDA

便攜式儀器

電池供電裝置

直流配電系統(tǒng)

說(shuō)明

LTC®1438/LTC1439是雙同步降壓開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器控制器，用于驅(qū)動(dòng)外部鎖相式N溝道功率mosfet頻率架構(gòu)。自適應(yīng)PowerTM輸出級(jí)在頻率上選擇性地驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道m(xù)osfet高達(dá)400kHz，同時(shí)降低開(kāi)關(guān)損耗高效率，低輸出電流。使用外部PNP的0.5A輔助線性調(diào)節(jié)器pass器件提供低噪聲、低電壓差來(lái)源。二次繞組反饋控制引腳（SFB1）保證調(diào)節(jié)不受主負(fù)載的影響通過(guò)強(qiáng)制連續(xù)操作輸出。一個(gè)附加的比較器可作為低值使用電池探測(cè)器。包括上電復(fù)位定時(shí)器（POR）產(chǎn)生延遲65536/fCLK的信號(hào)（典型值300ms）輸出在規(guī)定值的5%以內(nèi)輸出電壓。內(nèi)部電阻分壓器提供引腳遠(yuǎn)程感應(yīng)功能開(kāi)啟時(shí)的可選輸出電壓兩個(gè)輸出之一。操作電流電平可通過(guò)用戶編程外部電流檢測(cè)電阻器。寬輸入電源范圍允許在3.5V至30V（最大36V）范圍內(nèi)工作。

典型應(yīng)用

絕對(duì)最大額定值

輸入電源電壓（VIN）36V至-0.3V

上部驅(qū)動(dòng)電壓（升壓1，2）42V至-0.3V

開(kāi)關(guān)電壓（SW1，2）VIN+5V至–5V

EXTVCC電壓 10V至–0.3V

POR2，LBO電壓 12V至-0.3V

AUXFB電壓 20V至-0.3V

AUXDR電壓 28V至-0.3V

感官+1，感官+2，感官-1，感官-2，

VOSENSE2電壓 INTVCC+0.3V至-0.3V

VPROG1，VPROG2電壓 INTVCC至–0.3V

PLL LPF，ITH1，ITH2電壓 2.7V至–0.3V

奧克遜，奧克遜B1，

運(yùn)行/SS1，運(yùn)行/SS2，LBI電壓 10V至–0.3V

峰值輸出電流<10μs（TGL1，2，BG1，2）2A

峰值輸出電流<10μs（TGS1，2）250毫安

INTVCC輸出電流 50毫安

工作環(huán)境溫度范圍

商業(yè) 0°C至70°C

工業(yè)–40°C至85°C

結(jié)溫（注1）125攝氏度

儲(chǔ)存溫度范圍–65°C至150°C

鉛溫度（焊接，10秒）300攝氏度

電氣特性TA=25°C，VIN=15V，VRUN/SS1,2=5V，除非另有說(shuō)明。

電氣特性TA=25°C，VIN=15V，VRUN/SS1,2=5V，除非另有說(shuō)明。

表示適用于整個(gè)操作的規(guī)范溫度范圍。

注1:TJ根據(jù)環(huán)境溫度TA和功率計(jì)算

耗散PD根據(jù)以下公式：

LTC1438CG、LTC1439CG:TJ=TA+（PD）（95°C/W）

LTC1439CGW:TJ=TA+（PD）（85°C/W）

注2:LTC1438和LTC1439在反饋回路中進(jìn)行測(cè)試將VOSENSE1,2伺服到誤差放大器的平衡點(diǎn)（維生素1,2=1.19V）。

注3：由于柵極電荷以開(kāi)關(guān)頻率傳送。請(qǐng)參閱應(yīng)用程序信息。

注4：通過(guò)測(cè)量COSC電荷和放電電流（IOSC）和應(yīng)用公式：fOSC（kHz）=8.4（108）[COSC（pF）+11]–1（1/ICHG+1/IDISC）–1個(gè)

注5：輔助調(diào)節(jié)器在伺服回路中進(jìn)行試驗(yàn)到誤差放大器的平衡點(diǎn)。對(duì)于具有VAUXDR>9.5V，VAUXFB使用內(nèi)部電阻分壓器。查看應(yīng)用程序信息科。

典型性能特征

引腳功能

VIN：主電源引腳。必須與IC的信號(hào)接地引腳。

INTVCC：內(nèi)部5V調(diào)節(jié)器和EXTVCC開(kāi)關(guān)。驅(qū)動(dòng)器和控制電路由該電壓供電。必須與至少2.2μF鉭或電解電容器。INTVCC調(diào)節(jié)器在以下情況下關(guān)閉RUN/SS1和RUN/SS2都很低。參考LTC1538/LTC1539適用于5V不帶電應(yīng)用。外部電源輸入到內(nèi)部開(kāi)關(guān)。這個(gè)開(kāi)關(guān)閉合并為INTVCC供電，繞過(guò)內(nèi)部當(dāng)EXTVCC高于4.7V.將此引腳連接到控制器的VOUT輸出電壓更高。此針腳上的電壓不要超過(guò)10伏。看到了嗎應(yīng)用程序信息部分的EXTVCC連接。

推進(jìn)器1，推進(jìn)器2：向上部漂浮的補(bǔ)給。引導(dǎo)電容器返回到這些別針。這些引腳上的電壓擺動(dòng)從INTVCC到VIN+INTVCC。

SW1，SW2：開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)到電感器的連接。這些引腳的電壓波動(dòng)來(lái)自肖特基二極管（外部）接地電壓降到VIN。小信號(hào)接地。兩個(gè)控制器共用，必須與大電流接地分開(kāi)布線至COUT電容器的（–）端子。

PGND：驅(qū)動(dòng)器電源接地。連接到源底部N溝道m(xù)osfet和CIN的（–）端子。SENSE–1，SENSE–2：連接到的（–）輸入電流比較器。除了LTC1438-ADJ，SENSE-1內(nèi)部連接到第一個(gè)控制器的VOUT感應(yīng)點(diǎn)。第一個(gè)控制器只能用作3.3V或5.0V調(diào)節(jié)器，由VPROG1引腳控制LTC1438、LTC1438X和LTC1439。LTC1438-ADJ控制器1實(shí)現(xiàn)可調(diào)的遙感調(diào)節(jié)器。第二個(gè)控制器可設(shè)置為3.3V、5.0V或由VPROG2引腳控制的可調(diào)調(diào)節(jié)器（見(jiàn)表1）。

引腳功能

SENSE+1，SENSE+2：每個(gè)電流的（+）輸入比較器。SENSE–1和SENSE+1引腳與RSENSE1一起設(shè)置電流跳閘閾值（與第二個(gè)控制器相同）。從VO2直接接收來(lái)自外部傳感器的反饋輸出端的電阻分壓器。VPROG2引腳決定VOSENSE2必須連接到哪個(gè)點(diǎn)。這個(gè)VOSENSE1引腳，僅在LTC1438-ADJ上可用，需要一個(gè)外部電阻分壓器來(lái)設(shè)置輸出電壓。

VPROG1，VPROG2：編程內(nèi)部電壓衰減器用于輸出電壓感應(yīng)。首先是電壓傳感控制器內(nèi)部連接到SENSE–1，而VOSENSE2引腳允許第二次遙感控制器。對(duì)于VPROG1，VPROG2<VINTVCC/3，除法器為設(shè)置為3.3V的輸出電壓。對(duì)于VPROG1、VPROG2>VINTVCC/1.5，分頻器設(shè)置為輸出電壓為5V。保持VProg2打開(kāi)（DC）允許輸出由外部設(shè)備設(shè)置的第二個(gè)控制器的電壓電阻分壓器連接到VOSENSE2。COSC：從這個(gè)引腳到接地裝置的外部電容器工作頻率。

ITH1，ITH2：誤差放大器補(bǔ)償點(diǎn)。每個(gè)與之相關(guān)的電流比較器閾值都會(huì)隨之增加控制電壓。

RUN/SS1，RUN/SS2：軟啟動(dòng)和RUN的組合控制輸入。在每個(gè)引腳接地的電容器將斜坡時(shí)間設(shè)置為全電流輸出。現(xiàn)在是時(shí)候了大約0.5s/μF。將這些針腳壓在下面1.3V使IC關(guān)閉所需的電路那個(gè)特殊的控制者。把這兩個(gè)針都?jí)涸谙旅?.3V使設(shè)備完全關(guān)閉。為需要5V保持帶電的應(yīng)用，請(qǐng)參閱LTC1538-AUX/LTC1539。

TGL1，TGL2：主頂部的大電流門(mén)驅(qū)動(dòng)器N溝道MOSFET。這些是浮動(dòng)的輸出電壓擺幅等于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓SW1和SW2上的INTVCC的驅(qū)動(dòng)器。

TGS1、TGS2：小型頂部N通道的門(mén)驅(qū)動(dòng)器MOSFET。這些是浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器的輸出電壓擺幅等于疊加在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓開(kāi)關(guān)。使TGS1或TGS2打開(kāi)為該控制器調(diào)用突發(fā)模式操作。

BG1，BG2：底部大電流門(mén)驅(qū)動(dòng)輸出N溝道m(xù)osfet。這些引腳上的電壓擺動(dòng)來(lái)自接地至INTVCC。

SFB1：二次繞組反饋輸入。此輸入起作用僅在第一個(gè)控制器上，通常連接到二次繞組反饋電阻分壓器。將此引腳拉到1.19V以下將強(qiáng)制第一個(gè)控制器持續(xù)同步運(yùn)行。這個(gè)別針應(yīng)該

系于：地面部隊(duì)連續(xù)作戰(zhàn)；INTVCC在不使用二次繞組的應(yīng)用中；以及電阻分壓器在應(yīng)用中使用二次繞組。

POR2：這個(gè)輸出是N通道下拉的消耗。當(dāng)?shù)诙€(gè)引腳的輸出電壓控制器的輸出電壓下降7.5%，并在輸出電壓后重新釋放65536個(gè)振蕩器周期第二個(gè)控制器上升到其調(diào)節(jié)值的-5%以內(nèi)價(jià)值觀。在RUN/SS1和RUN時(shí)斷言POR2輸出/SS2都很低，與VOUT2無(wú)關(guān)。這個(gè)別針不是在LTC1438X上運(yùn)行。

LBO：這個(gè)輸出是N通道下拉的一個(gè)消耗。這個(gè)當(dāng)LBI引腳低于1.19V時(shí)，引腳將吸收電流。

LBI：比較器的（+）輸入，可以用作低電池電壓探測(cè)器。（–）輸入已連接至1.19V內(nèi)部基準(zhǔn)。

PLLIN：相位檢測(cè)器的外部同步輸入。該引腳以50kΩ在內(nèi)部端接至SGND。領(lǐng)帶在不使用鎖相環(huán)。

鎖相環(huán)LPF：鑒相器輸出和控制輸入振蕩器。通常串聯(lián)RC低通濾波器網(wǎng)絡(luò)是從這個(gè)引腳接地。把這個(gè)別針系在SGND上不使用鎖相環(huán)的應(yīng)用。可以由0V至2.4V邏輯信號(hào)驅(qū)動(dòng)換檔選擇。

AUXFB：輔助調(diào)節(jié)器/Com輔助裝置的反饋輸入。當(dāng)用作線性調(diào)節(jié)器時(shí)，該輸入可以連接到外部電阻分壓器或直接連接到外部PNP傳遞設(shè)備的收集器12V操作。當(dāng)用作比較器時(shí)，它是反向輸入的比較器的非可逆輸入連接到內(nèi)部1.19V參考電壓。參見(jiàn)輔助調(diào)節(jié)器應(yīng)用部分。

奧克森：把這個(gè)引腳拉高，打開(kāi)輔助調(diào)節(jié)器/比較器。閾值為1.19V。這是一個(gè)對(duì)流線性電源邏輯控制的開(kāi)/關(guān)輸入。

AUXDR：輔助調(diào)節(jié)器的開(kāi)漏輸出/比較器。當(dāng)用作線性調(diào)節(jié)器時(shí)，外部PNP裝置的底座與該引腳相連。安需要使用外部上拉電阻器作為比較裝置。AUXDR上大于9.5V的電壓導(dǎo)致內(nèi)部12V電阻分壓器與AUXFB引腳串聯(lián)連接。

操作（參考功能圖）

主控制回路

LTC1438/LTC1439使用恒定頻率、電流模式降壓架構(gòu)。在正常運(yùn)行期間，當(dāng)振蕩器工作時(shí)，頂部的MOSFET在每個(gè)周期被打開(kāi)設(shè)置RS閂鎖，當(dāng)主電流比較器I1重置RS鎖存器。峰值電感器I1重置RS閂鎖的電流由控制ITH1（ITH2）引腳上的電壓，是每個(gè)引腳的輸出誤差放大器（EA）。VPROG1引腳，如引腳中所述函數(shù)，允許EA接收選擇性衰減的傳感器的輸出反饋電壓VFB1–1針，同時(shí)VPROG2和VOSENSE2允許EA從內(nèi)部或外部電阻接收輸出反饋電壓VFB2第二個(gè)控制器上的分隔器。當(dāng)負(fù)載電流增加時(shí)，會(huì)導(dǎo)致心室顫動(dòng)相對(duì)于1.19V參考電壓，進(jìn)而導(dǎo)致ITH1（ITH2）電壓增加直到平均電感器電流匹配新的負(fù)載電流。在大型頂部MOSFET之后已經(jīng)關(guān)閉，底部的MOSFET被打開(kāi)直到電感器電流開(kāi)始反轉(zhuǎn)，如所示電流比較器I2，或下一個(gè)周期的開(kāi)始。頂部MOSFET驅(qū)動(dòng)器是從浮動(dòng)啟動(dòng)偏置帶式電容器CB，通常在每個(gè)關(guān)閉周期。當(dāng)車輛識(shí)別號(hào)（VIN）降至接近但是，循環(huán)可能進(jìn)入dropout并嘗試持續(xù)打開(kāi)頂部MOSFET。衰減檢測(cè)器計(jì)算振蕩周期數(shù)MOSFET保持開(kāi)啟，并周期性地強(qiáng)制關(guān)閉允許CB充電的時(shí)間。

主控制回路通過(guò)拉閘關(guān)閉/SS1（運(yùn)行/SS2）引腳低。釋放運(yùn)行/SS1（運(yùn)行/SS2）允許內(nèi)部3μA電流源為軟啟動(dòng)充電電容器CSS。當(dāng)CSS達(dá)到1.3V時(shí)，主控件當(dāng)ITH1（ITH2）電壓鉗制在約為最大值的30%。隨著CSS繼續(xù)充電，ITH1（ITH2）逐漸釋放，允許恢復(fù)正常操作。當(dāng)同時(shí)運(yùn)行/SS1和RUN/SS2低，所有LTC1438/LTC1439功能關(guān)閉。參考LTC1538-AUX/LTC1539數(shù)據(jù)5V保持帶電應(yīng)用的薄板。比較器OV防止瞬態(tài)超調(diào)>7.5%關(guān)閉頂部MOSFET并保持關(guān)閉直到故障已排除。

低電流運(yùn)行

自適應(yīng)電源模式允許LTC1439在兩個(gè)輸出級(jí)之間自動(dòng)切換，以適應(yīng)不同的輸出級(jí)負(fù)載電流。TGL1（TGL2）和BG1（BG2）引腳驅(qū)動(dòng)大型同步N溝道m(xù)osfet高電流，而TGS1（TGS2）引腳驅(qū)動(dòng)小型N溝道MOSFET與肖特基二極管工作在低電流。這允許當(dāng)負(fù)載電流降低而不引起大的MOSFET柵電荷損耗。如果TGS1（TGS2）引腳如果保持打開(kāi)狀態(tài)，則循環(huán)默認(rèn)為突發(fā)模式操作大型mosfet間歇工作的依據(jù)是什么負(fù)荷需求。自適應(yīng)電源模式提供恒定頻率操作，降低至額定負(fù)載電流的約1%。這個(gè)導(dǎo)致負(fù)載電流降低一個(gè)數(shù)量級(jí)在突發(fā)模式操作開(kāi)始之前。沒(méi)有小型MOSFET（即，無(wú)自適應(yīng)功率模式）過(guò)渡到突發(fā)模式操作約為額定負(fù)載電流。

當(dāng)com  parator I2檢測(cè)到電流反轉(zhuǎn)并關(guān)閉底部MOSFET。如果RSENSE上的電壓超過(guò)I2（約20mV）的滯后全循環(huán)，然后在接下來(lái)的循環(huán)中，頂驅(qū)被路由連接到TGS1（TGS2）引腳和BG1的小型MOSFET（BG2）pin已禁用。直到電感器電流峰值超過(guò)20mV/RSENSE或ITH1（ITH2）電壓超過(guò)0.6V，這兩種情況都會(huì)導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)器在下一個(gè)循環(huán)中返回到TGL1（TGL2）引腳。即使負(fù)載電流另有規(guī)定，兩種情況也會(huì)強(qiáng)制持續(xù)同步運(yùn)行低電流運(yùn)行。一是當(dāng)共模感測(cè)+1（感測(cè)+2）和感測(cè)-1的電壓（感應(yīng)–2）引腳低于1.4V，另一個(gè)是當(dāng)SFB1引腳低于1.19V。后一種情況用于輔助二次繞組調(diào)節(jié)，如中所述應(yīng)用程序信息部分。

頻率同步

LTC1439上有一個(gè)鎖相環(huán)（PLL）使振蕩器與外部同步電源連接到PLLIN引腳。的輸出PLL LPF引腳上的相位檢測(cè)器也是控制輸入在0伏到2.4伏的范圍內(nèi)工作對(duì)應(yīng)于-30%到30%的頻率。鎖定后，鎖相環(huán)將頂部MOSFET的開(kāi)啟對(duì)準(zhǔn)同步信號(hào)的上升沿。當(dāng)PLLIN如果保持開(kāi)路，PLL LPF變低，迫使振蕩器最小頻率。

上電復(fù)位

POR2引腳是一個(gè)開(kāi)漏輸出，拉低當(dāng)主調(diào)節(jié)器輸出電壓的第二個(gè)控制器失控。當(dāng)輸出電壓上升到7.5%的調(diào)節(jié)范圍內(nèi)，定時(shí)器啟動(dòng)在216（65536）個(gè)振蕩器周期后釋放POR2。這個(gè)功能在LTC1438X上不可用。

輔助線性調(diào)節(jié)器

LTC1439中的輔助線性調(diào)節(jié)器控制外部PNP晶體管，工作電流高達(dá)500毫安。A當(dāng)AUXDR引腳高于9.5V，允許調(diào)節(jié)12VVPP供應(yīng)易于實(shí)施。當(dāng)AUXDR低于8.5V時(shí)，可使用外部反饋分配器進(jìn)行設(shè)置其他輸出電壓。奧克森針低關(guān)輔助調(diào)節(jié)器提供方便的邏輯控制電源。

AUX塊可用作比較器

反向輸入連接到內(nèi)部1.19V參考。這個(gè)AUXDR引腳用作輸出，需要外部向上拉至低于8.5V的電源，以抑制調(diào)用內(nèi)部電阻分壓器。

INTVCC/EXTVCC電源

頂部和底部MOSFET驅(qū)動(dòng)器和most的電源其他LTC1438/LTC1439電路的INTVCC引腳。底部MOSFET驅(qū)動(dòng)電源也是連接到INTVCC。當(dāng)EXTVCC引腳保持打開(kāi)狀態(tài)時(shí)，一個(gè)內(nèi)部5V低壓差調(diào)節(jié)器為INTVCC供電。如果EXTVCC電壓高于4.8V，則5V調(diào)節(jié)器轉(zhuǎn)動(dòng)關(guān)閉并打開(kāi)內(nèi)部開(kāi)關(guān)以連接EXTVCC至INTVCC。這允許導(dǎo)出INTVCC功率從一個(gè)高效率的外部來(lái)源，如輸出調(diào)節(jié)器本身或二次繞組，如所述在應(yīng)用程序信息部分。

應(yīng)用程序信息

基本LTC1439應(yīng)用電路如圖1所示。外部構(gòu)件選擇由荷載驅(qū)動(dòng)從RSENSE的選擇開(kāi)始。一次RSENSE是已知的，COSC和L可以選擇。接下來(lái)，是選擇功率mosfet和D1。最后，CIN和COUT被選中。圖1所示的電路可配置為在高達(dá)28V的輸入電壓下運(yùn)行（受外部MOSFET）。

輸出電流的RSENSE選擇

根據(jù)所需的輸出電流選擇RSENSE。LTC1438/LTC1439電流比較器的最大閾值為150mV/RSENSE，輸入公共線SGND到INTVCC的模式范圍。電流比較器閾值設(shè)置電感器電流的峰值，產(chǎn)生最大平均輸出電流IMAX等于峰值值減去峰間紋波電流的一半，∆IL。為L(zhǎng)TC1438的變化留出一些余地/LTC1439和外部組件值產(chǎn)生：

LTC1438/LTC1439與RSENSE值配合良好從0.005Ω到0.2Ω。

工作頻率的COSC選擇

LTC1438/LTC1439采用恒定頻率結(jié)構(gòu)，頻率由外部設(shè)備決定COSC上的振蕩器電容器。每次上部的MOSFET打開(kāi)，COSC上的電壓被重置為接地。在準(zhǔn)時(shí)，COSC由固定電流加上與輸出成比例的附加電流相位檢測(cè)器（VPLLLPF）的電壓（僅限LTC1439）。當(dāng)電容器上的電壓達(dá)到1.19V時(shí)，COSC為復(fù)位到地面。然后重復(fù)這個(gè)過(guò)程。COSC的值是根據(jù)期望的操作計(jì)算出來(lái)的頻率。假設(shè)鎖相環(huán)沒(méi)有外部振蕩器輸入（VPLLLPF=0V）：

圖中給出了選擇COSC與頻率的關(guān)系圖2隨著工作頻率的增加，柵極電荷增加損失會(huì)更大，降低效率（見(jiàn)效率注意事項(xiàng)）。建議的最大開(kāi)關(guān)量頻率為400kHz。當(dāng)使用圖2可同步應(yīng)用，選擇COSC對(duì)應(yīng)頻率大約低于中心30%頻率。（參見(jiàn)鎖相環(huán)和頻率同步化）。

電感器值計(jì)算

工作頻率和感應(yīng)器的選擇是相互關(guān)聯(lián)的，因?yàn)楦叩墓ぷ黝l率允許使用電感和電容值較小。那為什么呢有沒(méi)有人選擇在較低頻率下工作更大的部件？答案是效率。更高的頻率通常會(huì)導(dǎo)致效率降低，因?yàn)镸OSFET柵電荷損耗。除了這個(gè)基本的貿(mào)易關(guān)斷時(shí)，電感值對(duì)紋波電流的影響較小還必須考慮當(dāng)前操作。電感值對(duì)紋波電流有直接影響。這個(gè)電感紋波電流∆IL隨電感或頻率的升高而減小，隨VIN或VOUT的升高而增大：

應(yīng)用程序信息

接受較大的∆IL值允許使用低電感，但會(huì)導(dǎo)致更高的輸出電壓紋波以及更大的核心損失。一個(gè)合理的起點(diǎn)整定紋波電流為∆IL=0.4（IMAX）。記住，那個(gè)最大∆IL出現(xiàn)在最大輸入電壓下。電感值對(duì)低電流也有影響操作。開(kāi)始向低電流運(yùn)行過(guò)渡當(dāng)電感器電流達(dá)到零而底部MOSFET開(kāi)啟。較低的電感器值（較高的∆IL）將在較高的負(fù)載電流下發(fā)生這種情況在低電流的上限范圍內(nèi)導(dǎo)致效率下降操作。在突發(fā)模式操作（TGS1，2個(gè)引腳斷開(kāi)），較低的電感值將導(dǎo)致突發(fā)頻率減少。圖3給出了建議的感應(yīng)值與工作頻率和電壓的范圍

電感器鐵芯選擇

一旦L的值已知，電感器的類型必須是挑選出來(lái)的。高效率的轉(zhuǎn)換器一般不能承受低成本粉末鐵心的鐵心損耗，迫使使用更昂貴的鐵素體，鉬合金或Kool Mμ®內(nèi)核。實(shí)際鐵心損耗與鐵心無(wú)關(guān)尺寸為一個(gè)固定的電感器值，但它是非常依賴的選擇電感。隨著電感的增加，鐵心損耗下去。不幸的是，增加電感需要更多導(dǎo)線匝數(shù)和銅損耗將增加。鐵氧體設(shè)計(jì)具有非常低的鐵心損耗，是首選在高開(kāi)關(guān)頻率下，因此設(shè)計(jì)目標(biāo)可以集中在銅損耗和防止飽和上。鐵素體鐵芯材料飽和“硬”，這意味著當(dāng)峰值設(shè)計(jì)電流為超過(guò)。這導(dǎo)致電感器突然增加紋波電流和隨之而來(lái)的輸出電壓紋波。做不要讓核心飽和！Molypermalloy（來(lái)自Magnetics，Inc.）是一種非常好的低圓環(huán)體的核心材料損失，但比鐵氧體。同一制造商的合理折衷方案是Kool Mμ。環(huán)面非常節(jié)省空間，尤其是當(dāng)你可以使用幾層電線的時(shí)候。因?yàn)樗麄円话愣紱](méi)有線軸，所以安裝更多很難。然而，表面貼裝的設(shè)計(jì)是可用的不會(huì)顯著增加高度。

功率MOSFET和D1選擇

必須為每一個(gè)選擇三個(gè)外部功率mosfetLTC1439控制器：一對(duì)N溝道MOSFET用于頂部（主）開(kāi)關(guān)和用于底部（同步）開(kāi)關(guān)。只有一個(gè)頂級(jí)MOSFET每個(gè)LTC1438控制器都需要。為了利用自適應(yīng)功率輸出級(jí)，兩個(gè)必須選擇上部模塊MOSFET。A大[低RSD（ON）]需要MOSFET和一個(gè)小的[更高RDS（ON）]MOSFET。大型MOSFET用作主開(kāi)關(guān)和與同步開(kāi)關(guān)配合使用。這個(gè)較小的MOSFET只能在低負(fù)載電流下啟用條件。這樣做的好處是提高低到中電流在繼續(xù)以恒定頻率運(yùn)行的同時(shí)提高效率。此外，通過(guò)使用小型MOSFET，電路將保持恒定頻率切換至較低頻率電流和延遲跳躍周期。

小型MOSFET推薦的RDS（ON）是約0.5Ω。注意不要使用帶有RDS（ON）太低；記住，我們要保存門(mén)電荷。（更高的RDS（ON）MOSFET具有更小的柵極電容，因此需要較少的電流來(lái)充電門(mén)）。對(duì)于所有LTC1438和成本敏感型LTC1439應(yīng)用，不需要小型MOSFET。那么電路呢當(dāng)負(fù)載電流下降時(shí)，開(kāi)始突發(fā)模式操作。

　　安芯科創(chuàng)是一家國(guó)內(nèi)芯片代理和國(guó)外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國(guó)產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開(kāi)發(fā),以及元器件一站式采購(gòu)服務(wù),類型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服黃經(jīng)理：15382911663）

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